带滞留时间的陶瓷生产线的提前/拖期排序研究

为实现JIT生产控制策略,讨论了陶瓷订单在带滞留时间的m台成型设备和1条窑炉组成的陶瓷生产线上,有共同交货期的提前/拖期间题,且其交货期也是优化对象,本文通过将原问题归结为业己解决的两个子问题而获解,在文章的最后给出了算例.     

CuO添加对0.2(Na0.5La0.5)TiO3+0.8CeO2复合介质陶瓷微波性能影响的研究

采用固相合成法制备CuO掺杂的0.2(Na0.5La0.5)TiO3 0.8CeO2复合微波介质陶瓷材料.研究了CuO对该复合体系的烧结性能、微观结构和微波介电性能的影响.研究表明,CuO有效地降低了该复合体系的烧结温度,改善了体系的微观结构.随CuO含量的增加,体系的介电常数εr和Qf值均不断下降.当CuO的掺入量为0.25%(质量分数),在1 400℃烧结,保温2.5 h的条件下,在该复合体系中可得到εr=39.1,Qf=15130 GHz的最佳微波介电性能.     

反应烧结锆英石质多孔陶瓷烧结机理初探

研究了以工业氧化锆、天然石英为原料,加入少量氧化物为助剂制备锆英石质多孔陶瓷的烧结过程和烧结机理。试验结果表明,在研究所涉及 的温度范围内,该体系为气相传质,烧结过程为有气相参与的反应烧结过程,锆英石的合成反应与烧结过程交替进行。     

复合掺杂对BaTiO3瓷介电常数温度特性的影响

研究了Ｄｙ－Ｎｂ、Ｃｅ－Ｎｂ氧化物复合掺杂对ＢａＴｉＯ３瓷温度特性的影响。结果表明，能使ＢａＴｉＯ３瓷的介电常数－温度关系曲线变得相当平缓。对造成此结果的原因，进行了理论分析和讨论。     

Experimental Studies on Ultrasonic Vibration Grinding of the Workpiece Made from Fine-crystalline Zirconia Ceramics

The performances of fme-crystalline zirconia ceramics in workpiece ultrasonic vibration grinding （WUVG） and conventional grinding （CG） with diamond wheel were researched. The effects of WUVG and CG on material removal rate, grinding forces, surface roughness and microstructure of zirconia ceramic were investigated. Experimental results indicated that： （1） The material removal rate （MRR） in ultrasonic grinding process is two times as large as that of in conventional grinding. The material removal rate increases with increasing grinding depth in both ultrasonic grinding and conventional grinding. （2） The ultrasonic vibration grinding force is lower than that of conventional grinding force, and the increase of the worktable speed leads to a decrease of the grinding force, while the grinding force increases with larger grinding depth in both WUVG and CG. （3） The surface of ultrasonic vibration grinding has no spur and build-up edge and its surface roughness is smaller than that of CG significantly. Surface quality of WUVG is superior to that of conventional grinding, it is easy for ultrasonic vibration grinding that material removal mechanism is ductile grinding.     

电致发热SiC多孔陶瓷导电性能研究

研究了Al，B和Zr元素对电致发热多孔碳化硅陶瓷导电性的影响。室温电阻率测定表明，加入Al，B和Zr都可显著降低电致发热多孔碳化硅陶瓷的电阻率，随着Al，B和Zr加入量的增加，试样的室温电阻率下降。讨论了Al，B和Zr在碳化硅中的存在形式，并分析了试样的导电机理。     

泡沫陶瓷的制作及其吸附和脱色作用探讨

以膨润土、陶土，滑石粉和稀土氧化物为主要原料，用聚氨酯泡沫塑料作载体，制作成一种泡沫陶瓷吸附剂，其比表面达７．８５×１０４ｃｍ２／ｇ，对溶液中铬的吸附和对污水的脱色处理作了初步试验，结果表明能使含铬浓度由１０００μｇ／Ｌ降至４００μｇ／Ｌ，能使污水色度降低１／８倍     

压电陶瓷压力与应电压曲线测试分析

给出了一种新型测量压电陶瓷所受压力与应电压曲线的方法，即用小球冲击压电元件，测出动量与电压的关系曲线，该曲线可类比于压力与应电压曲线．实验结果表明，压电陶瓷的压力与应电压的关系不总是线性的，这与理论推算结果一致，证明了实验方法的正确性与实用性．     

原料种类对C－B_4C－SiC复合材料性能的影响

就原料种类对Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ碳／陶复合材料性能的影响进行了研究，当使用β－ＳｉＣ代替α－ＳｉＣ作原料时，复合材料的性能明显提高，特别是断裂韧性，提高幅度达２０％；鳞片石墨代替石油焦作碳原料时，复合材料表面密度和电阻率明显地降低，抗弯强度因鳞片石墨的各向异性及添加剂的不同，数据也各不相同。     

GaAs压电物性的研究

较详细地讨论了GaAs压电效应的起源。有3种不同的机制对压电效应有贡献.这些机制是离子电荷的内部位移、电子电荷的内部位移和由于应变引起的离子性的变化.推导出了任意晶体取向压电常数张量的表达式,证明了,对正应力而言,GaAs〈111〉方向有最强压电效应发生,且Ga原子呈负电性,而As原子则呈正电性.