用锁相放大器测量热敏电阻的温度特性

介绍锁相放大器测量 微弱信号的原理。设计锁相放大器测量热敏电阻温度特性的电路，并对测量结果进行分析和处理，证实被测的热敏电阻的温度特性为指数变化的特性。     

LiF和B2O3在Al-Si-O陶瓷结合剂中的作用

研究了ＬｉＦ和Ｂ２Ｏ３在Ａｌ－Ｓｉ－Ｏ系陶瓷结合剂中的作用,结果表明,恰当的ＬｉＦ和Ｂ２Ｏ３含量可以使结合剂与磨粒之间有足够大的结合力,但若进一步提高试样强度就必须考虑结合剂自身的强度,在作为ｃＢＮ的结合地,结合剂中含有ＬｉＦ和Ｂ２Ｏ３,对保护ｃＢＮ磨粒是有利的。     

p—n结击穿电压蠕变饱和陷阱理论的改进

在深入分析击穿电压蠕变时间常数τ物理机构的基础上,进一步改进了p-n结击穿电压蠕变饱和陷阱理论,使理论与实验结果更为吻合。     

氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究进展

超宽禁带氧化镓(Ga₂O₃)半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势,在功率电子和微波射频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景.尽管Ga₂O₃材料与器件研究已取得很大进展,但其极低的热导系数和缺少有效的p型掺杂方法成为限制其复杂器件结构制备和器件性能提升的主要瓶颈.针对上述两大关键瓶颈,本文综述了利用异质材料集成的方法实现高导热衬底Ga₂O₃异质集成晶体管与基于p型氧化镍/n型氧化镓(pNiO/n-Ga₂O₃)异质结的Ga₂O₃功率二极管和超结晶体管的研究进展.采用离子刀智能剥离-键合技术实现的高导热衬底Ga₂O₃异质集成方案可有效解决其导热问题,碳化硅(Si C)和硅(Si)基Ga₂O₃异质集成晶体管展现出远优于Ga₂O₃     

g-C3N4基异质结光催化剂研究进展

石墨相氮化碳(g-C₃N₄)是一种典型的非金属n型聚合物半导体光催化剂.因其具有合适的带隙(2.7 eV),高的热稳定性和化学稳定性,较强的可见光响应等优良特性而被广泛关注.基于g-C₃N₄构建出2种或2种以上的半导体异质结,具有提高可见光利用率,增强氧化还原能力,促进光生载流子转移和分离等作用,因而成为一种提高光催化活性的可行和高效策略.综述了近年来g-C₃N₄基异质结的构建及其光催化机理的研究进展,并进一步展望了研究前景.     

DS18B20温度传感器在温室大棚多路测控技术中的应用

本文针对温室大棚中温度分布不均匀的温度检测,利用单片机AT89C2051对多个温度传感器DS18B20的控制,实现多点的温度检测和数码显示.     

浅谈框架结构柱拉结筋的埋置方法

为保证框架结构填充墙体的稳定性,确保填充墙体与框架结构协同工作,成为一个整体,在填充墙砌筑前,在框架结构柱上需按要求埋置拉结筋.     

GaN/InGaN异质结应变层临界厚度的研究

本文主要借鉴PB模型和Fisher模型通过优化其中的参数,考虑影响临界厚度的相关因素,对GaN/InGaN异质结应变层临界厚度进行理论估算,再结合实验值进行比较分析,发现PB模型比较能准确估计GaN/InGaN异质结应变层临界厚度,最后进一步考虑热应力对临界厚度的影响时,发现对其影响不大。     

Au／MoO3和Pt／MoO3薄膜光致变色反应的研究

报道了金属Ａｕ或Ｐｔ与ＭｏＯ３薄膜形成的肖特基结对ＭｏＯ３薄膜光致变色的增幅作用。纯粹的ＭｏＯ３薄膜只对紫外光有响应，但经过阴极极化处理后，薄膜就有产生可见光变色效应。为了提高变色效率，在薄膜表面蒸镀一层金属Ａｕ（或Ｐｔ），ＭｏＯ３薄膜的紫外和可见光致变色能力都有大幅度提高。这可用金属Ａｕ或Ｐｔ与ＭｏＯ３之间形成的特殊结构－肖特基结来解释。Ｐｔ与ＭｏＯ３的Ｆｅｒｍｉ能级差大于Ａｕ与ＭｏＯ３的Ｆｅｒ