发电厂锅炉运行中炉内结渣产生过程及防止措施的探讨

本文主要分析了电厂锅炉运行中炉内结渣过程及结渣的危害，并探讨了如何防止炉膛结渣的措施与方法。     

外加磁场中镍线纳米点接触的电镀制备研究

在传统的电镀沉积纳米镍点接触方法的基础上，在电镀时外加一个恒定的磁场，改变了其纳米点结的微观磁结构，改善了样品的成功率和重复性．这种性能的改善被认为是在电镀过程中的纳米镍晶在外磁场下择优取向所致，这种择优取向引起了纳米点结的磁畴结构的变化，从而揭示了纳米点接触中的弹道磁电阻效应．     

晋城无烟煤流化床气化结渣机理的探索

为探索晋城无烟煤流化床气化结渣的机理,采用化学成分和XRD分析法对晋城无烟煤气化炉渣块和煤灰的化学成分及晶相组成进行了分析,并对煤灰在升温过程中矿物质的演变行为进行了研究.结果表明:晋城无烟煤流化床气化过程中于1 100℃、左右低熔点共融物铁尖晶石(铁铝酸盐)以及钙长石(钙铝硅酸盐)等的形成是引起结渣的主要因素.     

高倍聚光光伏模组中不同二次聚光结构性能研究

目前高倍聚光光伏(high concentrating photovoltaic,HCPV)模组效率与III-V多结高倍聚光太阳电池效率相比还有很大差距;而在高倍聚光光伏模组中,常用菲涅尔透镜及二次聚光器作为聚光器件。不同的聚光结构会对光照及温度分布产生影响,进而影响模组整体的输出特性。通过对室外条件下不同二次聚光类型的高倍聚光光伏模组性能进行实验探究。结果表明二次聚光棱镜模组具有较好的温度均匀性和光线接收角,实际发电性能较优。对于二次聚光模组的设计具有参考意义。     

新疆油田防蜡剂的研制与性能评价

根据原油防蜡剂的作用机制,通过分子设计,以甲基丙烯酸十八酯(O),马来酸酐(M),苯乙烯(S)作为为共聚反应的单体,过氧化苯甲酰(BPO)作为引发剂,甲苯为溶剂,采用溶液聚合的方式合成三元共聚物OMS,考察其最佳合成条件。结果表明:在n(O)∶n(M)∶n(S)=9∶1∶1、反应温度为90℃,w(BPO)=1.2%、反应时间为8 h的条件下,合成的防蜡剂对新疆油田的油井防蜡率可以达到50%;OMS与OP型表面活性剂复配后,防蜡效果更好,且防蜡剂具有一定的降黏降凝作用。     

无结晶体管的研究现状及展望

晶体管是电子设备的关键器件,对电子设备的性能起到很大的作用.现有的晶体管主要是由引入掺杂原子到半导体材料中形成半导体结构成.而无结晶体管是源极、漏极、沟道共用一根纳米线,没有形成传统的源极结和漏极结,因此简化了制作工艺,降低了制作成本.本文主要论述了无结晶体管的发展历史、工作原理、主要性能和分类,并对无结晶体管的应用进行了展望.     

ANXA2表达对Caco2细胞形态影响的扫描电镜观察

为研究ANXA2表达水平对结直肠癌细胞(Caco2)形态学的影响,将ANXA2特异性干扰重组质粒pU6H1-GFP-siANXA2导入Caco2细胞,用扫描电子显微镜在转染后不同时间点对Caco2细胞的形态及表面结构进行观察.结果显示,抑制ANXA2表达后Caco2细胞的外观形态改变,细胞表面微绒毛及伪足等结构受损,并随时间延长而加剧,最终细胞表面趋于光滑,部分细胞出现凋亡表型.这些结果提示,ANXA2高表达是维持Caco2细胞活跃运动力有关恶性形态学特征的重要因素.     

无结晶体管的研究现状及展望

晶体管是电子设备的关键器件,对电子设备的性能起到很大的作用。现有的晶体管主要是由引入掺杂原子到半导体材料中形成半导体结构成。而无结晶体管是源极、漏极、沟道共用一根纳米线,没有形成传统的源极结和漏极结,因此简化了制作工艺,降低了制作成本。本文主要论述了无结晶体管的发展历史、工作原理、主要性能和分类,并对无结晶体管的应用进行了展望。     

缠绕方程组的解法

考虑缠绕方程组 N（O＋ iR）＝ Ki （i＝0,1,2,3）,其中 O是有理缠绕或者是2个有理缠绕的和,R是有理缠绕,并且O和R都是未知的缠绕,iR表示i个R的缠绕和,N是缠绕的分子的构造,Ki是已知的纽结或链环。解出上述模型中的未知缠绕 O和R 。通过将有理缠绕与有理纽结或链环（二桥结）联系起来,对于方程组 N（O＋ iR）＝ Ki （i＝0,1,2,3）,从 Ki（0≤ i≤3）的交叉点数入手,得到了方程组的一般解法。     

p-n型Cu2O-TiO2复合可见光催化材料的研究进展

半导体光催化剂TiO2由于其无毒无害、稳定性好、催化活性高等优点而备受关注,但其较宽的禁带宽度遏制了对太阳光的利用率,并且量子效率低.为了提高二氧化钛的光利用率,可通过与Cu2O复合对其改性,并形成p-n型异质结光催化剂.因其特殊的能带结构和载流子输送特性而备受关注.详细介绍了Cu2O-TiO2光催化剂的特性、研究现状以及应用领域,并对未来的研究方向进行了展望.