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181.
制备了不同Al2O3厚度的Co／Al2O3／FeNi隧道结，并在77K温度下测量了其输运特性。发现随着厚度的增加，TMR下降。但是当Al2O3厚度降为2nm时，磁电阻不再出现典型的双峰曲线，而是呈现高阻和低阻两个状态。测量了隧道结的TMR随外加电压的变化、伏安特性曲线、电阻随温度的变化曲线，综合所有因素，在文中制备条件下，Al2O3厚度为4nm时，隧道结性能最好。 相似文献
182.
183.
本文讨论了半导体激光器的结电压饱和特性,并给出了其可靠性和结电压饱和特性关系的实验结果. 相似文献
184.
陈士华 《武汉大学学报(自然科学版)》1995,41(1):8-14
利用Ｌｉａｐｕｎｏｖ－Ｓｃｈｍｉｄｔ方法对高维自治系统的周期解进行了研究，得到了周期解的鞍结分歧产生的一个充分条件，并给出了一个具体的例子。 相似文献
185.
186.
研究了 1 .3 μmInGaAsp InpDCC结构中间夹层厚度对激光器阈值和T0 值的影响 ,并得到了最佳的夹层厚度 相似文献
187.
实验研究了电子束辐照诱导半导体掺杂技术制作的浅结硅光伏电池光响应特性。给出其相对光谱响应和激光感生光电压值。结果表明该器件具有较好的光响应特性。 相似文献
188.
189.
研究了分子束外延生长的不同舍量的GaAs1-xSbx／GaAs量子阱的光荧光特性和时间分辨光谱特性．分析表明，利用电子空穴分离导致了能带弯曲和能带填充效应，实验结果说明了GaAs1-xSbx／GaAs异质结至少在Sb原子数目百分比为16％～26％时是Type-Ⅱ结构． 相似文献
190.
科学界正在热切地准备纪念沃森与克里克的划时代论文发表 50周年。但DNA不仅是双螺旋的图像结构。本文勾勒出了一个真正动态的DNA分子—— 相似文献