InAs/GaAs/InP及InAs/InP自组装量子点室温PL谱的研究

用五带 k· p模型计算 In As/ Ga As/ In P及 In As/ In P的室温 PL谱的能级分布 ,分析PL谱峰值 .发现 Ga As的张应变层影响 PL峰值位置 ,与 In As/ In P量子点相比 ,In As/Ga As/ In P量子点 PL谱峰值有明显红移 ,并从能带理论给出解释     

基于电力线载波的智能家居控制技术

介绍了一种基于电力载波芯片——PL3105的智能家居控制系统的控制模块、通信模块．设计了以PL3105为核心单元,应用主机与从机之间的载波通信对灯光和门窗开关状态进行远程监控的硬件及软件实现方案．实验结果表明：该方案能够实现智能家居的远程监控,具有较高的实用性。     

基于多参数稳定分布的GBAS垂直保护级计算

针对全球导航卫星系统(global navigation satellite system, GNSS)的地基增强系统(ground based augmentation system, GBAS)的完好性评估过程中, 使用误差包络理论计算保护级(protection level, PL)时, 误差模型存在的“厚尾”“不对称”“非零均值”等问题, 提出了基于稳定分布的误差包络理论。首先给出了高斯包络理论计算PL的模型; 其次推导了两参数与四参数稳定分布误差包络算法; 最后使用仿真数据和通过实验测得的数据, 对多参数稳定包络模型的算法进行评估。结果表明多参数稳定包络法在相似的计算复杂度下, 解决了高斯包络法建模时过于保守的问题, 显著提高了保护级计算的精确性。     

混晶法制备高亮度蓝色SrS∶Ce薄膜

以ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜，研究了新制备ＳｒＳ∶Ｃｅ膜的光致发光（ＰＬ）性能和它的电致发光（ＥＬ）器件的电致发光性能，并与直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ粉末制备的薄膜进行了对比．测量了它们的Ｘ射线衍射谱、ＰＬ激发光谱和发射光谱以及电致发光器件的ＥＬ光谱，结果表明混晶法制备的薄膜比直接法好，ＺｎＳ的引入弥补了在ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜中Ｓ的不足，且避免了在直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ材料蒸发过程中Ｓ气氛对环境的污染．     

3PL供应商评价选择方法的对比

目前,对于第三方物流(Third Party Logistics,简称3PL)供应商选择和评价的研究并不多,在此参照一些关于供应链中供应商选择的方法来进行评价选择 .主要针对3pl供应商的特征,对以往所用的评价选择方法进行了评述,对其各自的适用范围和优缺点进行比较分析.     

射频磁控溅射技术制备Ge-SiO2薄膜的结构和光学特性研究

用射频共溅射技术和后退火的方法，制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(nc-Ge／SiO2)。用XRD对薄膜的晶体结构进行了测试，未经退火的样品呈现非晶状态，600℃退火后的薄膜中开始有Ge纳米晶粒出现。研究了薄膜的Raman散射光谱，发现了其红移和宽化现象。测量了薄膜的光致发光谱，所有样品都在394nm处发出很强的光，随着Ge纳米晶粒的出现，样品有310nm和625nm处的光发出，其强度随晶粒平均尺寸的增大而增强。     

基于Oracle开发安全的PL/SQL Web应用程序

Web应用模式下，安全是需要考虑的重要问题．本文结合Intranet和Internet两种典型的Web应用模式，从用户与角色管理、权限管理和权限控制三方面，介绍了在Oracle环境下，如何利用PL／SQL网关的基本验证和自定义验证两种方式与数据库安全机制相结合的方法，开发安全的Web应用程序，着重论述了在基本验证方式下，通过数据库自身的权限管理机制来控制用户权限，自定义验证方式下，使用自定义的验证函数来实现权限控制，以及DAD的配置方法。     

基于USB接口的PC机读卡器设计

使用通用串行总线(USB)作为PC机读卡器与计算机的通信接口,设计了基于Prolific公司的PL2303芯片的硬件接口电路,并介绍了USBPC机读卡器的设计方法,包括设备端的硬件设计和软件设计     

硅锗合金氧化层中纳米结构的量子受限分析

在硅锗合金氧化层中发现锗纳米表层结构，并分析了其时应的PL谱结构。提出相对应的量子受限模型计算公式和算法，理论分析结果与实验结果拟合较好。     

硅锗合金氧化纳米结构的光致发光谱

首次发现硅锗合金氧化纳米结构中的锗纳米层的PL谱(5410A波长处的谱峰),采用量子受限模型分析PL谱结构得到的计算方法和结果与实验拟合较好.