半导体开关与RF MEMS开关性能分析与比较

为找出影响微波开关性能的参数及其开关的发展方向,从物理机理上分析和比较了．半导体开关和RFMEMS（射频微电机械）开关的性能。提出了微波串联开关的理想模型,定义了开关的品质因数,应用器件物理理论和电容公式推出了半导体开关和MEMS开关的品质因数表达式,分析出影响开关性能的参数,提出改善的方法。通过相关权威测试的品质因数得出：RFMEMS开关比半导体开关具有更优的性能,与理论分析相一致。通过开关的性能比较,明确RFMEMS开关可广泛地应用到射频微波电路中,有好发展前景。     

小型方向图可重构四单元缝隙天线的设计

提出一种小型方向图可重构天线.该天线是由4个缝隙单元组成的平面阵列,单一的缝隙单元能产生定向辐射方向图,且最大辐射方向是接近缝隙的开口端.将4个PIN二极管集成在4个缝隙单元上,通过4个二极管开关的导通与断开组合成不同的模式,使天线在xoy平面上获得8个定向和多个全向的辐射方向图.仿真结果表明:该天线的定向最大增益为2.90 dBi,全向最大增益为1.38 dBi,半功率波束宽度平均值为136°.该天线是半径为31 mm的圆,体积小,制造成本低,且满足无线通信频段2.40~2.50 GHz,适用于无线局域网(WLAN)等无线通信领域,可以降低多径衰落的影响,提高数据的传输速率.     

对PIN在公告前后异常及其原因分析

以证监会查处的17只公告前存在内幕交易或信息泄漏的股票为样本,分别利用EKOP模型和DY模型,从交易量和公共信息两个视角,研究A k tas等(2007)发现的信息性交易概率P IN在公告前降低在公告后升高的异常现象。结果表明,交易量和公共信息因素对P IN的估计有重要影响,考虑到这两个因素后,P IN在公告前降低的异常现象消失,但是P IN在公告后相对于公告前上升的异常继续存在。本文认为这是由于公共信息造成的指令流不平衡所致,并指出P IN作为总的买卖指令不平衡性的度量包含了比私人信息更多的内容,高估了市场的信息不对称程度。此外,本文提出了一个新的算法,彻底解决了用计算机对EKOP模型的似然函数进行估计时经常遇到的数值溢出问题。     

中国股票市场日内高频信息风险特征与实时测度

基于日内信息组成结构的时变特性,推导时变知情交易概率的非参数计算表达式,并构建测度日内高频信息风险的方法。应用此方法绘制上证50ETF产品2009年日内高频信息风险分布图。基于此测绘结果,对2009年7月29日该产品发生尾盘暴跌当日及其前后两日的高频分笔交易数据进行滚动跟踪测算,证明本文模型能够实时捕捉不断变化的信息风险状态,对由有毒信息流引起的资产价格突变具有预测功能。     

PIN二极管π型电调衰减器的设计

模拟衰减器在射频和微波网络中有广泛的应用,可用砷化镓MMICS和PIN二极管网络实现.现设计一种用PIN二极管实现的宽带衰减器,结构简单,制作容易,在较宽的频带范围内实现较好的匹配和较平坦的衰减.     

单路视频双向数据光纤传输系统设计

介绍了一种利用光纤波分复用器实现的单路视频双向数据光纤传输系统的设计，采用光纤进行视频和数据信号的模拟传输，给出了详细的系统设计原理框图，比较了方波调频方式SWFM和脉冲调频方式PFM调制解调的优缺点，阐述了其工作原理，并且介绍了实际系统应用中的设计要点．经试验验证，本系统具有较高的稳定性和可靠性．     

PIN二极管失真量的Volterra级数分析法

本文在叙述PIN二极管导电机理的基础上,采用Volterra级数方法对PIN二极管的失真进行了定量的分析。     

卫通的数字移相电路设计与建模

相控阵天线利用移相器改变波束指向使其对准卫星,同时完成信息交换。每个天线阵列都要使用移相器来完成波束扫描,因此移相器的参数指标,对整个相控阵系统至关重要。设计了一款适用于大S相控阵天线的六位数字移相电路,此电路由六个相移单元级联得到,小相位与大相位分别采用加载线单元与开关线单元实现。通过ADS对移相单元建模与优化,最后得出:在1.995GHz-2.185GHz频段里,中心频点处相移差低于0.6°,插损低于1.35dB,驻波比优于1.45,仿真数据显示,此研究达到大S天线进行波束扫描的移相器的要求。     

PIN二极管π型电调衰减器的设计

模拟衰减器在射频和微波网络中有广泛的应用,可用砷化镓MMICS和PIN二极管网络实现.现设计一种用PIN二极管实现的宽带衰减器,结构简单,制作容易,在较宽的频带范围内实现较好的匹配和较平坦的衰减.     

蓝牙链路级安全的研究

研究了蓝牙信息基带传输中的安全模式——链路级安全,对密钥的管理、生成和加密、认证算法进行了分析,实现了其安全过程,并对蓝牙的安全提出了一些看法.