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提高硅铜片磁性能的最佳途径是提高钢片的硅含量。本研究采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法,在(0.1~0.3)mm厚的普通硅钢片表面上涂硅,然后进行短时间高温扩散处理。结果表明:硅钢片的Si含量可达到6.5%,磁性能有很大改善。在(460-600)℃范围内渗硅,其它条件不变,渗硅速度随着温度的升高而降低,这是由等离子体反应的特殊动力学和热力学性质所决定。 相似文献
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本文对平行圆板型装置中等离子体化学汽相沉积(PCVD)质量转换过程,提出了一种数学描述方法.文中通过数值计算,主要讨论了活性粒子的产生频率、活性粒子沉积速率的径向分布及沉积速率与过程参量(如系统内气压、气体流速等)的相互关系,并对部分结果进行了理论分析. 相似文献