CsNiCl3晶体光谱、EPR谱和x散射实验的理论研究

采用半自洽场(semi-SCF)d轨道模型和完全对角化方法，对CsNiCl3晶体的吸收光谱，EPRg因子和零场分裂D和x散射实验作出了新的统一解释，计算结果与实验值符合得很好．在此基础上，进一步对CsNiCl3在低温下顺磁共振g因子随温度的漂移作了半定量的解释．     

环境温度变化对光缆数字线路系统中信号漂移的影响

讨论了光缆数字线路系统中信号漂移的累积和表达方式；用实验验证了当光缆线路上温度变化的分布不同时，系统中数字信号漂移累积的温度补偿性；导出了在几种典型温度变化分布的情况下系统中数字信号日漂移量和年漂移量的计算公式。     

Nanoparticles and Nanostructured Thin Films Based on Strong Polycations of Integral type

Nonstoichiometric interpolyelectrolyte complexes （NIPECs） as nanoparticles, on the one side, and nanostructured thin films with controlled architecture, deposited on some planar surfaces, on the other side, have been designed by eco-friendly techniques using strong polycations （PC） containing quaternary ammonium groups in the backbone and either strong polyanions or multicharged azo dyes.     

GaAs纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及光电子能谱研究

采用射频磁控共溅技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜，GaAs在薄膜中所占分子百分比达19．0％，光电子能谱分析表明随着基片温度升高，薄膜中元素Ga，As的被氧化程度有所增强，但元素Ga，As仍主要以化合物半导体GaAs的形式，元素Si,O主要以SiO2分子的形式存在于复合薄膜中。     

有机超薄膜中分子的光致重新取向及可逆性

用旋转样品二次谐波法研究了在皮秒红外偏振脉冲激光照射下，氐盐ＬＢ单层膜中分子的重新取向。发现，重新取向效应在光照时间较长时将达到饱和，并且具有一定程度的可逆性。     

银锌复合透明抗菌薄膜的制备及其性能研究

采用sol—gel法，以正硅酸乙酯（Si（OC2H5）4）作为反应的前驱体，硝酸锌、硝酸银为抗菌活性成分，柠檬酸为配合剂，无水乙醇为溶剂，HNO3为催化剂，通过浸渍提拉法在普通的玻璃基片上制备银锌复合薄膜，用扫描电镜（SEM）和紫外可见光谱（UV-Vis）对薄膜进行了表征，抑菌圈法评价银锌复合薄膜的抗菌性能，结果表明：透明的银锌复合薄膜具有优良的抗菌性能。     

温度对13Cr不锈钢在高 CO2 分压环境中腐蚀行为的影响

通过高温高压电化学测试,获得不同实验温度下13Cr不锈钢的循环伏安曲线、交流阻抗谱和Mott-Schottky曲线,结合ZSIMPWIN软件和扫描电子显微镜分析,研究高温高CO2 分压环境下,温度对13Cr不锈钢腐蚀电化学行为的影响. 在高温高CO2 分压环境下,随温度升高,13Cr不锈钢发生腐蚀的倾向增加,表面钝化膜稳定性下降,点蚀敏感度增加.     

基于脆性薄膜动态响应的冲击波超压测试方法

为评价爆炸冲击波威力大小,根据脆性材料的强度尺寸效应,采用纸张这种典型的脆性薄膜材料以及自制的薄膜固定装置,研究了不同尺寸的周边固支的圆形脆性薄膜材料在冲击载荷作用下的响应特性. 通过实验研究,得到了薄膜破裂时的冲击波超压随薄膜直径的变化规律,并对3种纸张材料在不同尺寸条件下破裂时的冲击波超压临界值进行了标定,给出了该固定装置约束下的薄膜破坏临界超压的计算公式,可用于外场试验的爆炸场的威力测试,是一种简单易行的测试方法.     

N-掺杂石墨烯薄膜的超电容性质研究

采用自组装/源位还原法相结合制备了自支撑褶皱N-掺杂石墨烯薄膜。运用场发射扫描电镜、X射线粉末衍射和光电子能谱仪等表征手段对所制备的韧性薄膜进行了表征。电化学性能测试表明所制备的N-掺杂石墨烯薄膜具有良好的超电容特性:在1 A/g的电流密度下,其比容量为210 F/g;当电流密度增加10倍时,仍然具有初始容量的71.0%。在5 A/g的电流密度下循环1 000次后比容量值为原来的95.3%。     

非寻常光在单轴晶体薄膜中的反射-透射研究

通过对非寻常光在光轴平行于入射面的单轴晶体中传播情况的分析,研究了光轴平行于入射面时,非寻常光在单轴晶体薄膜中的反射与透射特性.根据入射光、反射光和折射光之间的相位匹配条件,利用单轴晶体的折射率面和非寻常光光线与光波法线的关系,得到单轴晶体光轴平行于入射面时其表面的边界条件.然后根据晶体内部前后表面处电场量的相位关系,联系两表面处的边界条件,计算了单轴晶体薄膜的反射率与透射率.应用得出的计算方法,计算了石英(正晶体)薄膜和铌酸锂(负晶体)薄膜的透射率和折射率随光轴角度的变化关系.结果表明,计算方法正确,不仅适合正晶体对负晶体也适用,求解方法简单实用,所给的表达式具有一般性,可以直接使用.