用拉曼波谱分析金刚石膜的内应力

对拉曼波谱测量金刚石薄膜内应力时存在的差异现象进行了分析。研究表明应力方向和晶体取向的未知,导致多晶金刚石薄膜中应力值与拉曼波谱位移量之间的比例系数难以准确选取,是造成计算出的内应力结果不一致的原因之一。     

磺化酞菁铜L-B膜的制备及紫外可见吸收光谱

研究磺化酞菁铜（ＣｕＴｓＰｃ）Ｌ－Ｂ膜的制备方法,并利用紫外可见吸收光谱研究它的结构。结果表明：磺化酞菁铜（ＣｕＴｓＰｃ）是具有独特的平面分子结构的非两亲性长链分子,可采用静电相互作用来制备这种Ｌ－Ｂ膜。（ＣｕＴｓＰｃ）Ｌ－Ｂ膜中的磺化酞菁铜分子主要以面对面的二聚体形式存在,磺化酞菁铜分子平面按平行于载片平面的方式排列。     

InAs-SiO2的电学特性研究

通过测定一系列镶嵌薄膜样品的电学特性,发现其电阻具有ＶＲＨ电导特性,认为主要是由于薄膜中的半导体受到三维发域作用导致局域态的波函数交叠引起的。研究表明对于Ⅲ－Ｖ族元素半导体颗粒镶嵌薄膜的变程跳跃电导在导电机制中起主导作用。     

照相胶片的非线性对全息图透射率的影响

本文计算出了全息照相中线性胶片和非线性胶片的振幅透射率,分析和讨论了影响全息图再现像的非线性胶片透射率的振幅和位相的关系．     

金刚石膜制备工艺对其应力-应变特性的影响

研究了在直流热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积制备金刚石厚膜的工艺过程中, 放电电流和甲烷浓度对金刚石膜应力-应变特性的影响规律.      

加水量对溶胶-凝胶制备TiO2膜相转变和性能的影响

加水量是溶胶-凝胶制备TiO2膜的重要参数．笔者以乙酰丙酮为螯合剂,配制不同加水量的溶胶r=2,3,4,6,8[r为n（H2O）／n（钛酸丁酯）],分别制备了TiO2膜和粉体,以考察加水量对TiO2膜性能的影响．干凝胶的TGA表明,r=6比r=2较易脱除有机物和水分．利用XRD对其进行表征．结果表明：r=6的样品比r=2的由锐钛矿相向金红石相的转变温度要高出560℃左右．光催化脱除甲醛实验结果表明,r=6的溶胶制备TiO2薄膜（镀膜6次）的光催化活性最好,光照2h甲醛的降解率达80％．     

掺氮可见光响应TiO2-xNx光催化薄膜的制备及性能初探

采用反应磁控溅射法在玻璃基片上制备N掺杂TiO2-xNx薄膜和纯TiO2薄膜,并且对两种薄膜样品分别进行了300、400和500℃的退火处理.采用X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见光光度计(UV-Vis)对经过退火处理的样品进行了表征.结果表明:成功制备了N掺杂TiO2-xNx薄膜,部分N进入了TiO2薄膜晶格,并且以N-O键形式存在;N掺杂TiO2-xNx薄膜和纯TiO2薄膜相对比,晶型和表面形貌没有什么太大的区别,但通过紫外-可见光吸收谱图可以发现经过400℃退火处理的N掺杂TiO2-xNx薄膜吸收带边从纯TiO2薄膜的400 nm红移到455 nm.     

石墨烯银纳米线透明导电薄膜的制备进展

透明导电薄膜是触摸器件以及液晶显示器等的重要组成部分,制备透明导电薄膜的材料主要有金属氧化物、导电聚合物、碳材料、金属材料和复合材料等。其中,一维银纳米线和二维石墨烯材料制备透明导电薄膜具有光电性能优异、化学性能稳定和柔韧性好等特点,有望应用于柔性电子设备中。介绍了石墨烯银纳米线透明导电薄膜常用的制备方法：旋涂法、真空抽滤法、棒涂法、喷涂法、滴涂法等5种以及各种制备方法的优缺点;总结了石墨烯银纳米线复合薄膜的应用领域;展望了石墨烯银纳米线透明导电薄膜的发展前景。     

脉冲偏压占空比对MgO薄膜成分及结构的影响

采用阴极真空电弧离子沉积技术在玻璃衬底上制备出了具有择优取向的透明MgO薄膜.利用卢瑟福背散射谱、X射线衍射仪、扫描电子显微镜及紫外-可见吸收光谱仪分别对MgO薄膜的成分、结构、表面形貌及可见光透过率进行了分析.结果表明:MgO薄膜具有(100)和(110)两种取向,且择优取向趋势不随占空比的变化而变化.随着占空比的增大,脉冲偏压为-150V时制备的MgO薄膜中Mg和O的原子含量之比逐渐增大,占空比为30%时,n(Mg)∶n(O)接近1∶1;SEM图表明,晶粒尺寸随着占空比的增大几乎没有发生明显的改变;在350～900nm范围内,MgO薄膜的可见光透过率可以达到90%以上.     

基于雷达和光电传感器的融合跟踪

基于防空武器系统的跟踪制导问题提出了一种利用雷达和光电传感器的融合跟踪方法。雷达能探测目标的斜距、方位角和高低角 ,光电传感器能较精确地探测目标的方位角和高低角 ,数据融合技术充分利用了雷达和光电传感器的观测信息及目标运动的特征信息 ,能显著改善系统机动目标的跟踪性能 ,提高武器系统的命中率。