全文获取类型
收费全文 | 1369篇 |
免费 | 45篇 |
国内免费 | 115篇 |
专业分类
系统科学 | 17篇 |
丛书文集 | 37篇 |
教育与普及 | 4篇 |
现状及发展 | 10篇 |
综合类 | 1461篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 3篇 |
2022年 | 8篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 9篇 |
2019年 | 13篇 |
2018年 | 5篇 |
2017年 | 16篇 |
2016年 | 20篇 |
2015年 | 38篇 |
2014年 | 60篇 |
2013年 | 42篇 |
2012年 | 70篇 |
2011年 | 73篇 |
2010年 | 60篇 |
2009年 | 66篇 |
2008年 | 63篇 |
2007年 | 90篇 |
2006年 | 76篇 |
2005年 | 68篇 |
2004年 | 65篇 |
2003年 | 72篇 |
2002年 | 53篇 |
2001年 | 45篇 |
2000年 | 57篇 |
1999年 | 58篇 |
1998年 | 43篇 |
1997年 | 39篇 |
1996年 | 47篇 |
1995年 | 37篇 |
1994年 | 27篇 |
1993年 | 41篇 |
1992年 | 38篇 |
1991年 | 22篇 |
1990年 | 31篇 |
1989年 | 17篇 |
1988年 | 24篇 |
1987年 | 16篇 |
1986年 | 11篇 |
1985年 | 2篇 |
排序方式: 共有1529条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
使用基于密度泛函理论的第一性原理VASP程序包研究了Mo(110)表面的双层Fe的磁性。计算表明,在Fe/Mo(110)/Fe的单层和双层Fe的磁性有较大的变化。吸附单层的Fe的磁矩达到了2.59μB,而附加了双层的Fe的磁矩变化更大,最外层的磁矩比体结构的磁矩增大了27.7%,为2.81μB,内层与Mo的接触层磁性也增大了6%。这主要是来自层间有反铁磁交换相互作用和结构畸变产生的结果。 相似文献
92.
半导体热电材料Bi1-xSbx薄膜的电化学制备 总被引:2,自引:0,他引:2
B I1-XSBX半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低,在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸(2.4 MOL/L)的B I和SB盐酸溶液,成份从纯铋逐步变化到纯锑的B I1-XSBX合金半导体薄膜电化学沉积特性。测试了沉积过程I-V循环曲线和和沉积电荷效率等电化学参数。结果表明在所有成份范围内都可以得到典型的B I1-XSBX固溶体结构的高质量薄膜。薄膜生长为典型的溶液扩散控制过程,具有高的沉积电荷效率。薄膜沉积和溶解之间的电位差随溶液中SB(Ⅲ)离子浓度增加而增大,生长的薄膜越来越稳定。在30%SB浓度附近,电化学过程、薄膜结构和性能发生明显的突变。应用X射线衍射和电子显微镜研究薄膜结构,发现薄膜具有明显的(012)择优取向,薄膜晶粒尺寸也随SB浓度的增加而变化。 相似文献
93.
研究了TiO2过渡层对BiFeO3薄膜微结构和铁电磁性质的影响.采用溶胶-凝胶法分别在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了BiFeO3薄膜.通过加入约10 nm厚度的TiO2过渡层,在两种衬底上均制备出了纯相BiFeO3薄膜,而未加过渡层的薄膜均有杂相存在.与未加TiO2过渡层相比较,BiFeO3/TiO2薄膜表面颗粒大小更加均匀、致密、平整.在室温10kHz下沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的薄膜的损耗从0.094下降到0.028;而薄膜的介电常数变化不大,分别为177和161.在室温下同时测得了薄膜的电滞回线和磁滞回线.BiFeO3/TiO2薄膜的饱和磁化强度为16.8 emu/cm3,在600kV/cm电场下,剩余极化强度为9.8μC/cm2.研究表明,TiO2过渡层能够有效地抑制Bi FeO3薄膜杂相的生成,提高薄膜的表面平整度以及耐压性. 相似文献
94.
范九萍 《山西师范大学学报:自然科学版》2007,21(1):77-79
采用有交互作用的正交实验方法对磁控溅射法在玻璃基片上制备FePt/Ag纳米双层膜Ag底层的溅射参数进行研究.通过直观分析,方差分析和XRD图分析,可以选出Ag底层诱导FePt层取向生长的最佳溅射条件,为FePt磁性层性能的进一步研究应用奠定了基础. 相似文献
95.
本文利用JGP-560CⅧ型带空气锁的超高真空多功能溅射系统在Si(100)和玻璃基底上沉积了介质薄膜、半导体薄膜、金属薄膜和磁性薄膜,通过实验研究得到各种薄膜较好的镀膜条件;并采用可变入射角椭圆偏振光谱仪对其中一些薄膜的光学性质进行了分析,研究了制备条件对薄膜在可见光范围内光学性质的影响;还研究了直流溅射、射频溅射、反应溅射的特点和它们的适用范围。 相似文献
96.
在讨论(v,k,1)光正交码存在性的几个条件的基础上,利用组合学的知识及方法解决(v,k,1)光正交码的存在性,并给出一些结果。 相似文献
97.
界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响 总被引:2,自引:3,他引:2
研究纳米TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明, 沉积在Ti和Si基底上的TiO2薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程, Ti
O2薄膜导电层厚度也不相同, 沉积在玻璃表面TiO2薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致, 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度. 相似文献
98.
99.
棉花膜下滴灌田间小气候规律的试验研究 总被引:4,自引:0,他引:4
试验研究表明,棉花膜下滴灌的田间小气候优于普通沟灌,在光、温、水等方面能够较好配置,从而可充分利用光热资源,提高棉花的产量和品质。 相似文献
100.
通过光学活性的 2 ,2’-二取代 1 ,1’-联萘和间吡啶桥的连结 ,成功地合成了一种新型分子内双螺旋化合物 .其结构经 MS、NMR和元素分析得到确定 相似文献