锌表面Mo(W)-S彩色簇合物膜的结构和性能

在锌表面获得多种具有金属光泽的不溶性Mo(W)-S彩色簇合物膜．膜层有良好的耐蚀性能和装饰效果，加热处理后其颜色发生变化，加速腐蚀试验结果表明，金黄色膜耐蚀性最佳．FT-IR、FT-Raman、XPS和AES分析表明，该膜层厚度约为60mm,钼在膜表面的价态为 6，而在膜内层则以 6、 4价共存．从AES深度分布曲线可知其组成为：Zn 32．5％，Mo 19．3％，S 39．4％，O 8．5％,膜为多分子层组成的复杂体系，其颜色是各组分统计分布的结果．     

光纤中光学高斯型脉冲的传输特性

从修正的非线性薛定谔方程出发，采用变分法，推出了光学高斯型脉冲参数随传输距离的演化方程组，研究了光纤中光学高斯型脉冲的传输特性。     

PbTiO3铁电薄膜的应力与尺寸效应

用推广的Landau Devonshire理论研究了应力与尺寸效应对PbTiO3(PTO)薄膜的铁电/介电性质的影响.研究表明:在外推长度δ>0时,张应力使膜的相变温度降低、自发极化减小,压应力使膜的相变温度升高、自发极化增加.在温度一定时PTO薄膜存在一个临界应力σc,当应力大于σc时,任意膜厚都保持顺电相.当应力小于σc时,存在尺寸驱动的相变,即当膜厚大于临界尺寸Lc时,膜进入铁电相;而当膜厚小于临界尺寸Lc时,膜处于顺电相.     

以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻

以三元合金NiFeNb作新种子层,采用直流磁控多靶设备制备了具有不同Nb含量(x)、NiFeNb厚度(t)和坡莫合金厚 度(d)的纳米级(Ni82Fe18)1-xNbx(tnm)/Ni82Fe18(dnm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜.测量了样品的各向异性磁电阻和微结 构.从实验角度详细研究了AMR随x,t,d和退火等工艺条件的变化.结果表明:①作为x或t的函数,AMR在x=23.8% 或x=2.75nm处分别最大;②NiFeNb作为种子层在提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻方面优于Ta;③在通过中高温退 火来改善坡莫合金薄膜AMR方面,NiFeNb种子层明显好于Ta和NiFeCr.     

球形界面折射成像

本文讨论了单球形折射面在傍轴条件下二相邻光束的光程差问题.在计算中用隐函数求导法,简化了计算手续,得出在=0°条件下光程差△的简单关系,并给出数字例子.     

近晶A相液晶在聚酰亚胺LB膜上的排列

合成了聚酰胺酸,研究了它在气液界面上的成膜条件;制备了聚酰胺酸盐的LB膜,通过亚胺化制得了Y型聚酰亚胺LB膜;用红外光谱证实了亚胺化较为完全。用聚酰亚胺LB膜作为排列S_A相液晶的定向膜,制成了液晶盒。通过偏光显微镜证实了未经摩擦的聚酰亚胺LB膜可以排列成近晶相液晶分子。讨论了影响成膜及液晶分子在聚酰亚胺LB膜上排列的因素。     

掺Er~(3+)光纤放大器的增益特性

本文通过对掺Er~(2+)光纤放大器的小信号增益特性进行理论研究,导出了小信号增益公式,从而为设计和研究掺Er~(3+)光纤放大器提供了理论依据。     

杨氏等间隔平行直条纹形成的制约因素

本文利用光程差的概念,分析了影响杨氏等间隔平行直条纹形成的若干制约因素,提出了获得高质量杨氏等间隔平行直条纹的注意用项。