GaAs纳米颗粒复合薄膜光吸收特性研究

对射频磁控共溅射技术制备的GaAs半导体纳米颗粒复合薄膜光吸收特性进行了研究.与大块GaAs材料相比,复合薄膜的光学吸收边发生了明显的蓝移,GaAs颗粒尺寸3 2nm的复合薄膜吸收边蓝移达1 16eV.     

Tl2Ba2CaCu2O8高温超导薄膜中的本征约瑟夫森效应

我们在不同温度下对Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８高温超导薄膜进行了本征的瑟夫森效应研究，对薄膜微桥Ｉ－Ｖ特性和临界是流随温度变化关系的测试表明，Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ２Ｏ８薄膜中的本征约瑟夫森效应呈现ＳＩＳ结特性。     

电致变色WO3薄膜的结构与光电性能研究

对电致变色ＷＯ３薄膜的结构与光电性能进行了研究．首先从ＷＯ３薄膜的微观结构、电子能态出发，分析了电化学反应导致ＷＯ３薄膜光吸收并着色的机理；其次介绍了ＷＯ３薄膜的制作方法和过程．采用真空电子枪将热压块状ＷＯ３（纯度９９．９％）蒸镀在普通玻璃衬底上，然后用多种物理手段测试了ＷＯ３薄膜的性能与工艺参数的关系，如ＸＲＤ、ＸＰＳ．选择适当的工艺参数可使得膜层的特性达到最佳．最后指出ＷＯ３薄膜最有希望应用在光电子学和太阳能应用领域     

廉价制备大面积金刚石膜的高功率直流等离子体喷射设备的研制

本文介绍了在８６３新材料领域资助下最新研制成功的１００ｋｗ级高功率直流等离子体喷射（ＤＣＰｌａｓｍａＪｅｔ）金刚石膜沉积系统。利用该系统在氩气—氢气—甲烷气体系中进行了初步的工艺试验，经过４０小时的连续运行，在Φ１１０ｍｍ的基片上沉积出中心厚１．９ｍｍ，边沿厚１．６ｍｍ的金刚石膜。平均生长速率达４４μｍ／ｈ。     

非均匀磁性薄膜的临界温度,位移指数及相干临界指数

用非均匀磁性薄膜，采用变分累积展开方法，分别对海森堡模型及伊辛模型，计算了四阶临界温度Ｔ＾（４）ｃ（Ｌ），位移指娄λ，及相干临界指数ｖ，得到了ｖＩ＝０．７１２，ｖＨ＝０．７１０，此结果与实验值ｖ＝０．７０４符合得相当好。     

牛顿环问题探讨

运用薄膜干涉的理论，分析了不同条件下的牛顿圈干涉条纹。通过对比，说明条纹的异同，并得出一般性的结论。     

激光干涉式气体测量仪的研制

激光干涉式气体测量仪的研制陈捷光，梅立功（科学仪器与精密机械系）利用光干涉原理测量气体浓度，具有高精度、高灵敏度以及结构简单等优点，在科研和生产方面得到了广泛应用．有一种光干涉测定甲烷的仪器大量用在煤矿井中，成为矿井安全监测不可缺少的仪器，但原有国产...     

化学气相沉积金刚石薄膜的表面过程

采用简单表面反应模式，对化学气相沉积金刚石薄膜的表面动力学过程进行了研究，得到了金刚石薄膜的沉积速率公式，揭示了影响薄膜生长的因素并由此讨论了金刚石薄膜生长的机制和规律。     

单模光纤中光孤子传输问题的简单解法

根据麦克斯韦方程，使用普通数学方法推导出了弱导波单模非线性光纤中光孤子的传输方程，进而解出了光弧子波的表达式。所得结果与其它文献一致。