用不同靶材制备B-C-N薄膜及其红外表征

采用射频磁控溅射方法,分别利用六方氮化硼(h-BN)、硼(B)和石墨(C)靶,在氩气和氮气的氛围中,沉积B-C-N薄膜.傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明:在1200～1800cm-1和1000～1750cm-1处出现了较宽的吸收峰;在2200cm-1处出现了CN键的特征吸收峰.表明在沉积的薄膜中,C原子与N原子相结合.分别溅射C和h-BN靶,红外光谱分析表明,B—C键在1100cm-1处未产生吸收峰,即利用h-BN和C靶沉积的B-C-N薄膜倾向于相分离,利用B和C靶沉积的B-C-N薄膜中的原子实现了原子量级的化合.     

新型存储与传输技术在影视传媒领域中的应用

介绍了现阶段影视传媒制作中采用的资料存储技术.同时讨论了专业光盘和固态存储卡这2种应用于未来影视传媒记录介质的特性和相关摄录设备的特性.论述了以蓝光盘为代表的最新光记录技术及虚拟存储技术,以全波光纤、密集波分技术与存储区域网(SAN高速光纤网络)为代表的传输技术,以及新型记录技术和传输技术在相关影视传媒技术领域中的应用和优劣,并且分析了以光技术与虚拟存储技术为基础的新型影视媒体产业的可行性方案.     

Photoluminescence from Ge-SiO2 thin films and its mechanism

Ge-SiO₂ thin films were deposited on p-type Si substrates using the radio frequency (rf) magnetron sputtering technique with a Ge-SiO₂ composite target. Films were annealed in N₂ ambience for 30 min at 300℃—1000℃ with an interval of 100℃. Through the X-ray diffraction, the average size of Ge nanocrystals (nc-Ge) was determined. They increased from 3.9 to 6.1 nm with increasing annealing temperature in the range of 600℃—1000℃. Under ultraviolet excitation, all samples emit a strong violet band centered at 396 nm. With the formation of nc-Ge, the samples exhibit another emission of orange band with the peak at 580 nm and its intensity increases with the increasing size of nc-Ge. The peak positions of two bands do not shift obviously. Experimental data indicate that the violet band comes from GeO defect and the orange band originates mainly from the luminescence centers at the interface between the nc-Ge and SiO₂ matrix.     

Co/ZnO颗粒膜的超顺磁性研究

对金属颗粒与氧化物半导体颗粒膜的超顺磁特性用Ｌａｎｇｅｖｉｎ函数进行了拟和，理论与实验结果符合的较好，同时分析了样品的磁矩随退火温度的变化关系。     

建立以光盘为存储载体的CAD/CAM系统共用数据库研究

在一个单位内建立CAD/CAM系统的子系统——共用数据库,将全部经鉴定有利用价值的科技档案和在研型号当前研制阶段的现行文件装入此库,使之直接为广大工程技术人员在CAD/CAM系统中所利用,即实现利用科技档案计算机化,这是在CAD/CAM条件下科技档案工作的根本任务。本文介绍了共用数据库的建库级别、内容和规模、因存储载体的不同而形成的三种模式、将共用数据库建立在光盘上的根据等。     

机床误差的正交光栅检测及分离

提出一种提出了利用平面正交光栅进行几何误差检测的方法。以CINCINNATI750三坐标立式加工中心为对象，建立了包含21项几何误差的数控机床误差分离模型以分离出机床的单向误差。所提出的误差参数分离模型可以推广到多轴数控机床的误差分析上。测量实验表明该误差分离模型是可行的。该方法具有测量精度高，误差参数分离准确的特点。     

基片温度对CNx薄膜性能和结构的影响

采用离子束溅法，在单晶Si（100）基片上制备CNx薄膜。研究了基片温度对CNx薄膜性能和结构的影响。结果表明：随着基片温度的提高，薄膜生长致密，表面光滑；薄膜硬度逐渐提高，但温度升高到200℃后，硬度增加缓慢。同时，基片温度升高使薄膜中的N含量增加，促进C－N化合物结晶。X射线衍射结果证明在850℃时，薄膜中产生α－C3N4晶相。     

CsI/Ni薄膜系统的化学深度剖面分布

利用XPS研究了CsI/Ni薄膜系统的深度剖面分布,研究结果指出:CsI膜在20～200℃的温度范围内是热稳定的,而且CsI膜厚度随烘烤温度增加而增加。由于Ni扩散至CsI层内,CsI/Ni紫外光电阴极长波阈向长波延伸。     

光无线组网技术研究

介绍光无线组网技术。分析光无线组网的网络拓扑结构和几种无线局域网标准的性能以及无线组网技术的优势。     

射频溅射法制备氟碳高分子膜的泛黄问题研究

为改善射频溅射法制备的防水透湿涂层的外观和拒水性，对涤纶织物基底上的溅射氟碳高分子膜的泛黄问题进行了研究，采用颜色光学中测定色差的方法对泛黄程度作了定量测试，得出不同功率、工作压力和靶距与膜的泛黄程度间的关系，测试结果表明，泛黄程度随着溅射功率的增加而增加，随着工作压力的增加而减小。