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111.
提出一种新的啁啾编码的高通联合变换相关器.这种相关器,可以使相关峰在不同的平面上输出.其与经典和二元化的联合变换相关器相比,具有更好的相关输出性能,而且能有效地抑制因非线性化操作所产生的谐波项的影响.给出对具有灰度级的输入景物的计算机模拟结果.  相似文献   
112.
113.
e型枪热蒸法制备的非化学计量ZnO薄膜的结构性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用e型电子枪热蒸技术,在不同条件下成功地制备了不同O/Zn比的非化学计量ZnO薄膜。利用系列物理手段,如XPS,XRD法对其结构性能进行了分析。结果表明,选择适当的基底温度及热处理温度可获得物理性能很好的非化学计量的ZnO薄膜。  相似文献   
114.
CNX薄膜是一种新型的超硬膜。我们用等离子增强化学气相淀积法,制备了含氮量的21at%的CNX膜,并用俄歇电子探针,红外谱仪和拉曼光谱仪及X光衍射仪对其结构进行了研究。结果表明膜听屡元素主要以C≡N,C=B,C-N键的形成与碳结合。  相似文献   
115.
SiCl_4-H_2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 .着重分析放电功率的影响 ,结果表明 :随着功率的增大 ,薄膜沉积速率基本上线性增大 ,之后有减小的趋势 ;薄膜晶化度随功率的增大而减小 ;功率较大时 ,晶粒密度也大 ,且比较均匀 ,但晶粒尺寸较小 ,功率较小时 ,大尺寸的晶粒明显增多 ,但仍有较多的小晶粒存在  相似文献   
116.
用射频磁控溅射方法制备了一系列颗粒型 N i/Pb不连续多层膜样品 ,并采用 X射线衍射方法表征了样品的微观结构。在铁磁共振实验中 ,观察到了一致进动模 (uniform m ode)和高场光学模 (optical mode)的共振吸收峰。主共振峰和光学模的峰位依赖于外磁场的角度及薄膜厚度。高场光学模的发现表明 ,颗粒型 N i/Pb不连续多层膜存在较强的反铁磁耦合 ,耦合强度随Pb层厚度以指数衰减形式变化。这与面内磁滞回线得到的饱和场随 Pb层厚度的变化关系定性上一致。  相似文献   
117.
0 IntroductionArtificialarthrosiseshavebeenwidelyusedintheoperatorsclinicalsurgeriesforthepatientswhosearthrosiseswerese riouslyseverelydamaged.Butmostofartificialarthrosisescanon lybeusedforabouttenyearslongduetotheseriousabrasion .Forthisreason ,theimprovementofthelongevityofartificialarthrosisbecomesanimportantsubjectofstudy .TheartificialarthrosisesbeingmadeupofTialloyTC4(Ti 6Al 4V)andthepolythenewithultrahighmolecularweighthavegreatpotentialitiesonim provinglongevitybecauseTC4canreac…  相似文献   
118.
Photoluminescence (PL) properties of porous anodic alumina (PAA) films prepared by using electrochemical anodization technique in a mixed solution of oxalic and sulfuric acid have been investigated. The PAA films have an intensive ultraviolet PL emission around 350 nm, of which a possible PL mechanism has been proposed. It was found that the incorporated oxalic ions, which could transform into PL centers and exist in the PAA films, are responsible for this ultraviolet PL emission.  相似文献   
119.
可调光衰减器(VOA)是光通信中重要的光无源器件。设计了一种透射型电可调光衰减器,该衰减器以Perpend icular VOA d ie作为核心部件,并设计了配套电路。经过实测,衰减器参数指标达到使用要求。  相似文献   
120.
采用阴极真空电弧离子沉积技术在硅基片上制备出了MgO薄膜。利用椭圆偏振光谱、原子力显微镜及扫描电子显微镜分别对不同氧流量下制备的MgO薄膜的厚度,光学常数,表面粗糙度及表面形貌进行了分析,并对椭圆偏振光谱的光学粗糙度结果和原子力显微镜的均方根粗糙度结果进行了对比和分析。结果表明,不同氧流量下制备出的MgO薄膜,表面粗糙度及薄膜颗粒随着氧流量的增加而增大。椭偏光谱与AFM得到的表面粗糙度存在线性一致关系,表明椭偏光谱可作为一种很好的无损分析手段。  相似文献   
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