互生共长的长青藤与参天大树——从文学作品改编看20世纪中国文学与现代传播之电影

20世纪中国文学十分幸运地发生、发展在一个现代传播飞速发展的时代.电影,是现代传播的一种形式.在过去的近百年的中国文学发展的历史中有许多的文学作品借助电影这一现代传播的形式得以广泛传播,经久不衰;电影也从20世纪中国文学的宝库中汲取了丰富的创作源泉.近百年来,它们互生互长,共同繁荣,结出了累累硕果.     

对电子束蒸发沉积的ZnO：Al膜电学性能的研究

使用电子束蒸发法沉积了铝掺杂的氧化锌透明导电膜。     

Bi4Ti3O12铁电薄膜溶胶—凝胶法制备过程中Bi—Ti溶胶的匀胶规律研究

介绍了Ｓｏｌｇｅｌ法制备Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的工艺过程,研究了ＢｉＴｉ溶胶在Ｓｉ基片上的匀胶规律;用ＴＧＤＴＡ和ＴＥＭ技术研究了ＢｉＴｉ干凝胶的形态,并成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ基片上制备了ｃ轴取向的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜．     

小尺寸金属系统电导率的计算

运用量子统计要函数方法和久保公式分别计算一维金属线、二维金属薄膜的杂质散射电导率,计算结果表 尺寸金属系统的电导率跟金属系统上有关,具有量子尺寸效应。     

TiO2薄膜光催化降解二氯乙酸和三氯乙酸水溶液

用常压化学气相沉积法镀TiO2薄膜,以紫外灯为光源,对二氯乙酸和三氯乙酸溶液进行光催化降解,并证实了此过程符合一级反应动力学方程。结果表明:卤代度以及不同的半导体化合物底物均对二氯乙酸和三氯乙酸溶液的降解有影响,卤代度低的二氯乙酸比卤代度高的三氯乙酸降解效果要好;同样条件下半导体的带隙能越低,降解效果越好。     

Dielectric and Structural Properties of SrTiO_3 Thin Films Grown by Laser Molecular Beam Epitaxy

Dielectric and Structural Properties of SrTiO_3 Thin Films Grown by Laser Molecular Beam Epitaxy[1]Hao J H,Gao J,Wang Z,et al.Interface structure and phase of epitaxial SrTi O3(110)thin fil ms grown directly on silicon[J].Appl Phys Lett,2005,87:131908. [2]Hao J H,Gao J,Wang HK.SrTi O3(110)thin fil ms grown directly on different oriented silicon substrates[J].Appl Phys A,2005,81:1233. [3]Aki mov I A,Sirenko A A,Clark A M,et al.Electric-field-induced soft-mode hardening in SrTi O3fil ms[J].Phys Rev Lett...     

射频磁控溅射高饱和磁化强度Fe-N薄膜

用射频磁控溅射法分别在具有20nmFe衬底的Si(100)和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对Fe-N薄膜相结构和磁性的影响.结果表明,当氮气分压为2.66×10-2Pa,基片温度为100~150℃时,最有利于α-″Fe16N2相的形成.在此条件下制备的Fe-N薄膜的饱和磁化强度高达2.735T,超过纯Fe的饱和磁化强度值.     

磁透镜技术及其在沉积金刚石/类金刚石薄膜中的应用

阐明了磁透镜原理，依照磁透镜理论和几何光学理论，给出一种确定磁透镜位置的方法。并将磁透镜技术应用到直流等离子射流化学沉积金刚石薄膜／类金刚石薄膜装置中，很好地消除了边界效应，实现高速大面积沉积高纯度金刚石薄膜／类金刚石薄膜的目标。     

EPON上行方向物理编码子层的FPGA实现

目前EPON的物理层(其中包含物理编码子层)在上行方向尚无ASIC芯片可以直接使用，该文提出了EPON物理编码子层在上行方向的设计思想，并用FPGA实现，功能仿真的结果验证了该设计逻辑功能的正确性。     

纳米结构V2O5薄膜的溶胶凝胶制备与特性研究

采用溶胶 -凝胶技术 ,以V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的V2 O5薄膜 .使用椭偏仪、X射线衍射仪(XRD)、红外分光光度计 (FTIR)、电化学分析、原子力显微镜 (AFM)等方法研究了V2 O5薄膜的特性 .实验结果表明 :薄膜具有纳米多孔结构 ;热处理使得薄膜致密 ,折射率提高 ,薄膜结晶 .红外吸收测量揭示了刚制备的薄膜中钒以 4价离子为主 ,高温热处理后形成 5价钒离子 ,相应出现了V2 O5特征吸收峰 .这种结构的薄膜具有很好的锂离子注入 /退出可逆性和很高的离子注入容量 ,可用作锂离子电池的高性能阴极材料 .