金属氧化物半导体SnO_x薄膜对NO_x气体敏感性能研究

本文研究了用PECVD方法制备的SnO_∞薄膜对NO_2气体的敏感特性。控制薄膜厚度和化学成份可以获得对NO_2气体的高探测灵敏度和快动态响应。工作温度比体型低得多。此外,本文还阐述了SnO_∞薄膜的敏感机制。     

高温退火Fe3O4薄膜的结构和磁输运性质研究

利用直流反应磁控溅射方法制备了厚度为480nm,不同掺氧量γ的Fe3O4薄膜,再经过480度80分钟的高温退火处理.系统研究了薄膜的微结构和电、磁输运性质,发现随掺氧量增大,薄膜的电阻率从20.6增大到1100mΩcm,磁滞回线和磁电阻曲线表明在磁特性方面高掺氧量薄膜明显优于低掺氧量薄膜,当掺氧量为0.675:50时室温下薄膜有最大磁电阻2.1%.X射线衍射表明所有的Fe3O4薄膜都显示出外延生成倾向,磁电阻随温度变化曲线证实薄膜在低温时经历Verwey转变.综合比较表明掺氧量为0.65:50和O.675:50的薄膜具有最佳的结构和电磁特性.     

半导体伏安行为的计算机模拟

推导了适用性广泛的有关半导体在氧化还原对溶液中的伏安行为的数学表达式,利用计算机FORTRAN语言计算了表达式中出现的表征浓差极化的定积分的数值解.然后,用最小二乘法对用M351-1腐蚀综合测试仪测得的不锈钢彩色膜的伏安曲线进行了曲线拟合,求得了表观传递系数.并由此表观传递系数利用文中推得的表达式求得了过电位在彩色膜和Helmholtz层之间的分配系数.     

Sm─FeCo─N合金薄膜的磁性与微观结构

采用离子注入方法制备Ｓｍ－ＦｅＭ－Ｎ磁性合金薄膜，研究少量Ｃｏ部分取代Ｆｅ对薄膜磁性能的影响，探索研究Ｓｍ－ＦｅＭ－Ｎ磁性材料的新途径．实验发现：Ｃｏ＋注入使样品的饱和磁化强度明显增加，Ｓｍ－ＦｅＣｏ－Ｎ薄膜的饱和磁化强度是Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ薄膜的１．６倍．经ＴＥＭ分析，Ｃｏ＋没有与Ｓｍ或Ｆｅ形成化合物     

中国电影的营销策略研究

拥有全球五分之一电影市场的中国是有着巨大的吸引力和发展潜力的。但加入WTO之后．国际电影业前所未有的冲击及国内电影频道的日益专业化．VCD、DVD等的多样化生产与多元化营销．网络在线收看的不断便捷化都将使中国电影市场面临着巨大的生存压力。本文就电影市场中至关重要的营销环节做些研究和探讨．以期让中国电影能够摆脱“在夹缝中求生存”的尴尬局面。     

二硫化铁光电薄膜的制备技术的研究现状

黄铁矿结构的二硫化铁(FeS2)是一种具有合适的禁带宽度(Eg≈0.95eV)和较高光吸收系数(当λ≤700nm时,α=5×105cm-1)的半导体材料,而且其组成元素在地球上储量丰富、无毒,有很好的环境相容性.因此,FeS2薄膜在光电子以及太阳能电池材料等方面有潜在的应用前景,受到人们的广泛关注.本文从不同制备方法所制备出的二硫化铁薄膜的研究结果,分析二硫化铁薄膜的研究现状.     

腔式静压轴承工况的数学模型的研究

本文应用润滑理论建立了腔式静压轴承工况的数学模型，编制了计算机仿真程序，仿真结果与实验结果基本吻合，证明本文所建立的数学模型是正确的．此项研究为进一步计算机辅助分析和设计腔式静压轴承提供了理论基础．     

非常态分子CH4在稀土La薄膜不同表面温度下的激活化学吸附

本用分子束改变平动能的方法，研究了非常态分子ＣＨ４在处于不同表面温度下的稀土Ｌａ薄膜上的激活化学吸附。实验结果表明，当非常态分子的平动能在１０．１－６４．０ｋＪ／ｍｏｌ之间变化时，只有能量大于５２．３ｋＪ／ｍｏｌ的分子才发生化学吸附，此值称为阈值。当非常态分子的平动能超过阈值时，初始粘着几率Ｓ０随平动能的增大而线性增加。当样品表面温度由５００Ｋ升至７００Ｋ时，虽然样品表面温度升高，但ＣＨ４的阈值