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91.
本文介绍了单片机和宽行打印机的硬件连接方法,着重介绍了从PC机汉字库中调用汉字点阵编码的方法以及单片机控制下打印机打印汉字的方法。  相似文献   
92.
0-75at%Co的Fe-Co合金,具有一系列的物理性质。运用新建立起来的固溶体综合理论,对此作出了较为满意的解释。原子态主要受最近邻〈F.N.N〉原子的影响。设i元素的原子状态以F.N.N中溶质原子个数j标记,则j特征原子态特征参量可表为Q_(ij);相应的状态浓度为c_(ij),它服从随机分布规律: c_(1j)=(j!/(J-j)!j!)(1-c)~(J-j+1)c~j c_(2j)=(j!/(J-j)!j!)(1-c)~(J-j)c~j合金相应的平均参量Q=∑c_(ij)Q_(ij)称之为特征参量相加定律。根据Fe-Co合金实验规律,并利用上述定律,确定了Fe,Co原子的特征态以及与之相应的特征参量;再代入同一公式,算出了无序合金α-c,m-c理论曲线。认为有序化过程中,各特征原子态的价电子结构不变,只是状态浓度发生变化,导致合金性质改变。利用有序度的概念,以及根据统计学观点,导出了Fe,Co特征原子态浓度计算式: c_(Fsj)=(J!/(J-j)!j!){(1/2)(c+η/2)(1-c+η/2)~(j-i)(c-η/2)~j+(1/2)(c-η/2)~(j+J)(1-c-η/2)~(J-j)} c_(Coj)=(J!/(J-j)!j!){(1/2)(1-c-η/2)(c-η/2)~j(1-c+η/2)~(J-j) +(1/2)(1-c+η/2)(c+η/2)~(J-j)}计算结果,最大有序度合金与无序合金的α-c曲线在38at%Co处相交,这与实验结果极为一致;有序合金的平均原子磁矩均比无序的大,亦与实验规律相吻合。将特征参量相加定律应用于合金平均结合能E_c计算中,对该合金比热特性作出了解释。计算结果表明,有序→无序转变,是结合能高〈即努阱深〉的态向势阱浅的态之转变过程,从而,出现正常比热峰;正常比热峰温度T_(NS)-C曲线与E_c-c理论曲线有类似的变化规律,说明T_(NS)高低应由有序合金结合能决定。当加热有序合金至一特定温度T_(as)时,发生部分有序→无序转变,这是势阱很深的态向势阱浅的态之转变过程,需要很高的激活能,出现正的反常峰;当加热无序合金时,情况将与上述相反,故将出现负的反常峰。此外,认为相互转变的两态间特征结合能差值愈小,则激活能愈小,转变量愈大,比热峰愈高。以此解释了反常比热峰温度T_(as)以及峰高与Co含量的关系。  相似文献   
93.
结合次合同、O-合同矩阵等概念,提出新的定义次O-合同。证明了次O-合同是一种等价关系,同时给出了矩阵A、B次O-合同的充分必要条件,然后利用次正交矩阵的性质得到次O-合同矩阵的行列式之间的关系。  相似文献   
94.
在选定了多项式环GF(2)[x]上的8次不可约多项式p(x)之后,将有限域GF(28)上的元素用所选择生成元g的正规基形式进行表示,使得模逆运算和模乘运算等得以简化,从而提高了有限域算法效率。运用群论的概念建立有限域GF(2~8)上的椭圆曲线点阵群,将其应用于分组加密算法中,构建了基于有限域GF(2~8)上正规基表示的椭圆曲线点列的分组密码系统,并分析了该加密算法的安全性。  相似文献   
95.
许星光  赵杰 《科学技术与工程》2012,12(31):8133-8136
采用相关有效场理论,对具有正方点阵结构的S=2横向Ising模型,推导出系统的磁矩公式,并利用数值计算方法得到了基态的磁化曲线。研究发现在基态下,系统随晶场或横场的变化产生了一级有序—有序相变、一级有序—无序相变及二级相变,二级相变普遍存在,一级相变只存在于狭窄的晶场和横场范围内。  相似文献   
96.
通过S-丙基硫赶磷酰二氯酯与相应的酚类进行磷酰化反应合成了六种S-丙基-O、O-二芳基磷酸酯,并对它们的合成、IR和MS进行了初步的讨论。  相似文献   
97.
介绍小汉字库的建立方法以及汉字下拉菜单设计中几个问题的处理.  相似文献   
98.
本文介绍一种点阵式OLED模块YGG13264C的结构特征及工作原理.并以通用的8051系列单片机为例,介绍其接口连接方式及软件编程.  相似文献   
99.
为揭示热轧退火态Fe-6.5%Si(质量分数)合金的形变机制,研究了该合金不同温度下的力学性能,并利用透射电子显微镜分析了其有序结构和拉伸样品中的位错组态。结果表明,在中温拉伸过程中,热轧退火态Fe-6.5%Si合金因位错塞积和位错缠结而导致加工硬化,该合金B2有序结构温度下,出现了超点阵位错,在800℃拉伸时,则呈现了140%的高延伸率。  相似文献   
100.
声子晶体对声子晶体带结构的研究具有极大的理论和应用价值.介绍了用平面波展开法计算二维正方点阵的固态声子晶体带隙的方法,研究不同截面形状的散射物对晶体带隙的影响.当填充分数F<0.5时,圆形截面散射物体系比正方形截面及长方形截面的体系有利于带隙产生,而当F>0.5时,则正方形截面的体系更优越.  相似文献   
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