新型材料——单原子石墨膜

graphene是按蜂房结构密集排列的单原子层碳薄膜二维材料。它的π键（价带）与π键（导带）,在蜂房结构晶格布里渊区顶角两个不等价点互相接触。荷电载流子显现极高的本征迁移率,在室温下,能在亚微米距离弹道运行而不受到散射。它是世界上最薄的电子材料,可制备超高频晶体管。文章分析了近年对graphene材料的研究和应用情况,试图探索今后的发展方向,还讨论了graphene的中文译名。     

2012-09 科技期刊亮点

分子动力学模拟单层石墨烯温度效应华南理工大学土木与交通学院韩强等采用分子动力学方法,对不同温度(0K—3000K)下单层石墨烯的弛豫性能和单层石墨烯在两个方向的拉伸性能进行模拟,研究温度变化对单层石墨烯在弛豫过程中稳定性的影响效应,以及单层石     

大粒径氧化石墨及石墨烯的制备与表征

以0.10、0.15、0.18、0.30 mm 4种不同粒径的石墨为原料,采用密闭氧化、氨-水合胼还原法,经过2个控温阶段制备了10~20 μm大粒径氧化石墨(GO)与石墨烯,并通过正交实验、单因素实验优化了制备条件. 测定了GO与石墨烯的傅里叶红外光谱、拉曼光谱及热稳定性.用扫描电镜、X线衍射光谱、原子力显微镜测试了产品的结构与石墨烯片层厚度. 实验结果表明:石墨粒径越小,片层剥离程度越高, GO的产率、热稳定性也均有提高. 石墨烯在800 ℃下残炭率高于80%,剥离层厚度约为1 nm. 本实验研究为制备大粒径GO与石墨烯提供了一种可行的实验方法.     

石墨烯取代硅，前景预测被批乐观

 石墨烯因其优异的电学、光学和机械性能被媒体称作奇迹材料,近年来吸引了众多科学家和大量科研资金的投入。石墨烯的发现更是获颁2010年度诺贝尔物理学奖。不过最近,IBM研究人员却宣称石墨烯的应用前景可能被夸大了,因为石墨烯本身的性质导致石墨烯研究存在一些障碍。     

应变对石墨型B3N4几何与电子结构的影响

通过密度泛函理论研究了非磁状态下应变对石墨型B3N4（g-B3N4）几何与电子结构的影响：结果发现g-B3N4结构具有较高的稳定性,是性能良好的导体,导电电荷主要是N中P电子贡献;随着材料由压缩到拉伸,材料的导电能力变弱,暗示了又一无金属元素导体材料g-B3N4的可靠存在.     

微波膨化对膨胀石墨性能影响分析

本文介绍了微波膨化的机理,并基于微波加热原理分析了微波法对膨胀石墨性能的影响。     

东昆仑地区石墨矿地质特征及找矿前景初探

通过对青海省格尔木市郭勒木德镇晶质石墨矿含矿特征、岩石地球化学特征以及成矿环境的分析,查明晶质石墨矿赋存于早元古代金水口岩群白沙河岩组的大理岩段与加里东期岩浆接触部位;大理岩具有构造多期叠加、变形强烈的特征.晶质石墨矿具有层控后期热液变质的特征,具有很好的成矿环境和找矿前景.     

微波消解-石墨炉原子吸收法测定大米中的痕量钒

用微波消解-石墨炉原子吸收光谱法测定大米样品中痕量钒。研究了不同微波消化体系对大米钒测定结果的影响,确定了微波消解样品和石墨炉原子吸收测定钒的最佳条件。结果表明,采用四段微波消解方式,以HNO3-HCl-H2O2(3∶1∶1)为消解液、EDTA为基体改进剂,进行钒测定可获得满意的结果。方法的检出限为0.63μg/L,线性范围0～300μg/L,相关系数R=0.997 8。该法简便快速,具有较高的灵敏度和准确度,用于大米样中钒的测定,回收率在101.2%～105.8%,标准试样结果平均相对偏差在10%以内。     

氧化石墨负载的手性二胺铑催化剂催化芳香酮的不对称氢转移反应

以石墨为原料通过Hummer化学氧化法制备出功能化氧化石墨材料,然后将手性二胺基团嫁接到氧化石墨上,再通过后修饰与金属铑配位制备出非均相催化剂,该催化剂在水介质中温和条件下对芳香酮的不对称氢转移反应显示出高的催化活性和对映选择活性.     

Analysis of the carbon source for diamond crystal growth

The lattice constants of diamond and graphite at high pressure and high temperature （HPHT） were calculated on the basis of linear expansion coefficient and elastic constant. According to the empirical electron theory of solids and molecules （EET）, the valence electron structures （VESs） of diamond, graphite crystal and their common planes were calculated. The relationship between diamond and graphite structure was analyzed based on the boundary condition of the improved Thomas-Fermi-Dirac theory by Cheng （TFDC）. It was found that the electron densities of common planes in graphite were not continuous with those of planes in diamond at the first order of approximation. The results show that during the course of diamond single crystal growth at HPHT with metal catalyst, the carbon sources forming diamond structure do not come from the graphite structure directly. The diamond growth mechanism was discussed from the viewpoint of valence electron structure.