ZnSe/5B2O3-95SiO2纳米复合材料的制备及性能表征

采用溶胶凝胶工艺在室温合成合有Zn、Se成分和玻璃相成分的均匀透明凝胶，并通过CO还原气氛热处理，在凝胶玻璃中原位生长出ZnSe纳米晶体．利用BET比表面积、透射电镜、吸收光谱、荧光光谱等分析手段对ZnSe纳米复合材料的组成结构及量子尺寸效应影响下的光学性能进行了表征，结果表明：5B2O3—95SiO2凝胶玻璃的多孔结构可有效地分散ZnSe纳米晶粒；纳米复合材料中ZnSe纳米晶粒呈球形，粒径约为3．5nm；吸收光谱中，ZnSe纳米复合材料的吸收边相对于ZnSe体材料发生蓝移，随着ZnSe在凝胶玻璃中摩尔分数的增大，蓝移量减小，相应ZnSe纳米晶粒尺寸增大；在荧光光谱中，500nm附近的发光带是凝胶玻璃中的ZnSe纳米晶体表面态复合和缺陷发光，当ZnSe的摩尔分数达到0．07时，观测到了浓度的荧光淬灭现象．     

施锌对薄壳山核桃幼苗生长及体内锌分配的影响

以薄壳山核桃1年生实生苗为材料,研究了施锌对薄壳山核桃幼苗生长的影响及锌元素在植株各器官中的分配规律。结果表明:叶面喷施低质量分数ZnSO4促进了薄壳山核桃幼苗的生长,ZnSO4质量分数过高时幼苗的生长反而受到抑制;用ZnSO4浸种也表现出"低促高抑"的效应;两种施锌方式下,随着ZnSO4质量分数的升高,叶片叶绿素含量均呈现出"下降—增加—迅速下降"的趋势;经叶面喷施后锌在薄壳山核桃各器官中的比例大幅增加,其中以叶片富集锌的量最多,茎次之,根系最少;而ZnSO4浸种后,以茎中锌积累的量最多,叶片次之,根系最少。综合试验结果认为,以0.4%ZnSO4叶面喷施对促进薄壳山核桃幼苗营养生长及光合作用效果最佳。     

Ba(Zn1/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷的B位二价Ni2 离子取代的研究

利用Ni2+离子取代Ba(Zn1/3Nb2/3)O3的B位Zn2+离子来改善其介电性能并研究其微观结构的变化.XRD表明,系统的主晶相为立方钙钛矿的BZNN,并有少量第二相如Ba5Nb4O15、BaNb6O16等.系统在较低温度(1 350℃)下烧结时以及在1 300℃退火处理会形成微弱的有序相,这种趋势说明了Ni2+和Nb5+离子的相互扩散会随着热能和时间的增长而增长.在较高温度下烧结(1550℃)则会形成富Nb液相区.当系统中Ni2+含量为0.7时,1 500℃烧结时系统得到优异的介电性能,介电常数为35.7,容量温度系数为-4.7×10-6/℃,损耗tan δ为0.33×10-4(1 MHz).     

一种非化学计量钛氧化物的制备和表征

用钛粉和草酸反应制得前驱物 ,在氮气保护下 6 0 0℃热分解前驱物制备了一种非化学计量钛氧化物 .讨论了前驱物的组成和热分析结果 ,对其化学式进行了推断 ,并从组成、颜色、比表面积等方面对产物进行了表征 .认为前驱物的化学式可能是TiC2 O4·2H2 O .热分析的结果表明前驱物的热分解可分为三个过程 ,并且将热分解温度控制在 6 0 0℃可以保证前驱物的完全分解 .X射线粉末衍射分析 (XRD)结果显示产物中包含Ti2 O和TiO2两相 .本法制得的产物比表面积大 ,黑色度高 ,可以用作黑色颜料     

Characterization of mechanothermally processed nanostructured ZnO

In this paper, the Taguchi method with an L₉(34) orthogonal array was used as experimental design to determine the optimum conditions for preparing ZnO nanoparticles via a mechanothermal route. ZnSO₄·H₂O and Na₂CO₃ were used as starting materials. The effects of milling time, Na₂CO₃/ZnSO₄·H₂O molar ratio, and ball-to-powder mass ratio (BPR) on the bandgap (E_g) of ZnO nanoparticles were investigated. The ranges of the investigated experimental conditions were 5–15 h for the milling time (t), 1.0–1.2 for the Na₂CO₃/ZnSO₄·H₂O molar ratio (M), and 10–30 for BPR. The milling time and BPR exhibited significant effects; an increase in milling time reduced the bandgap. The optimum conditions from this study were t₃ = 15 h, M₁ = 1, and BPR₂ = 20. Only two significant factors (t₃, 15 h; BPR₂, 20) were used to estimate the performance at the optimum conditions. The calculated bandgap was 3.12 eV, in reasonable agreement with the experimental results obtained under the optimized conditions.     

金属氧化物纳米晶体的表面结构控制及功能调控的研究进展

晶体具有各向异性,不同晶面上的原子排布、成键方式等都不尽相同,从而导致各种晶面的物理和化学性质的差异,因此通过控制裸露晶面就可以调控晶态材料(特别是微纳米晶态材料)的相关性质.近年来,关于微纳米晶体的表面结构控制的研究已成为纳米材料的一个研究热点.在文中,首先简要回顾国际上在该领域研究的情况,然后着重介绍了在部分金属氧化物微纳米晶体的表面结构控制方面的相关研究进展.     

射频反应磁控溅射制备氧化铬薄膜技术及性能

研究了采用射频反应溅射方法制备氧化铬耐磨镀层的技术和薄膜的性能.结果表明,采用金属靶材进行射频反应溅射时,由于靶材与反应气体的反应,会出现两种溅射模式,即金属态溅射和非金属态溅射,非金属态溅射模式的沉积速率很低.氧化铬薄膜的硬度主要决定于薄膜中Cr2O3含量,在供氧量不足时会生成低硬度的CrO,制备高硬度氧化铬薄膜需要采用尽可能高的氧流量进行溅射.采用在基片附近局域供氧,可以实现高溅射速率下制备出高硬度的氧化铬薄膜.     

氧化石墨烯-单壁碳纳米管复合物的超电容性能研究

以氧化石墨烯(GO)作为表面活性剂分散原始的单壁碳纳米管(SWNT),采用超声、冷冻干燥的办法得到氧化石墨烯-单壁碳纳米管复合物,利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和电化学测试对样品的形貌、结构、组成以及电化学性质进行表征.结果表明:氧化石墨烯-单壁碳纳米管复合物电化学性质得到了显著的提高,通过调节单壁碳管与GO的比例,发现SWNT质量为GO的10%时,得到的复合材料具有最好的超电容储能特性,在6mol·L~(-1)的KOH电解液中,0.5A·g~(-1)电流密度下其比电容可达155F·g~(-1),是相同条件下GO比电容(81.5F·g~(-1))的1.9倍,这种简单的方法获得的GO-SWNT复合材料在能量存储装置方面展现了广阔的应用前景.     

层层自组装构筑｛Hb-ZnO/IP_6｝_6修饰电极及其直接电化学行为

将纳米氧化锌与血红蛋白(Hb)的混合液,通过肌醇六磷酸酯(IP6)层层自组装于玻碳电极(GCE)表面,制备了{Hb-ZnO/IP6}6修饰电极.用循环伏安法、电化学阻抗光谱和场发射扫描电镜对{Hb-ZnO/IP6}6膜进行了表征.实验结果表明:{Hb-ZnO/IP6}6/GCE呈现层状三维多孔结构,实现了血红蛋白和电极表面的直接电子转移.该修饰电极对过氧化氢有很好的电催化活性,线性范围为2.00×10-6～1.12×10-4mol.L-1,最低检测限为1.40×10-6mol.L-1(信噪比S/N=3),米氏常数为5.1 mmol.L-1.     

直接沉淀法制备Pr6O11纳米材料及其表征

研究了直接沉淀法合成纳米结构氧化镨(Pr6O11)的相关工艺参数。通过控制沉淀反应过程中各工艺参数,可制备出组成分布较均匀、良好热稳定性的氧化镨纳米材料。实验结果表明:焙烧反应温度和焙烧反应时间是影响氧化镨粒度和晶型的主要因素。