气相交换平衡技术在获得近化学计量比LiNbO3晶体中的应用

本文详细介绍了利用气相交换平衡（vapor transport equilibration:VTE)技术获得近化学计量比铌酸锂晶体薄片及其处理工艺。通过测量其OH^-红外吸收谱线宽及吸收边的位置，分析确定晶体薄片中的Li2O含量为49．9％，即[Li]/[Nb]=0.996，接近其化学计量比。     

织物稳态和动态传湿性能测定

织物的透湿性能与织物的空隙率大小和织物的吸湿散湿性能有关,在织物达吸湿平衡前,织物的传湿速率是变化的。本文自制了织物湿阻仪。用本仪器对织物动态传湿性能进行了测定,同时也对织物稳态传湿阻力进行了测定。测试过程可以在各种温度梯度和各种湿度梯度条件下进行,若同时调整织物距测试表面间的距离,就可以改变被测试样所在处的水汽浓度大小,因此本仪器具有较大的适用性。对织物稳态传湿性能的测定一般仅需半小时左右。     

化学气相淀积过程中钛酸丁酯热解反应机理及动力学

利用热解-色质联用分析系统,对文题进行了研究,发现其热解过程是一个复杂的多元反应过程。在500～800℃,钛酸丁酯(Ⅰ)热解尾气产物主要是烯烃、醇、醚和醛类化合物。经热解机理分析,发现Ⅰ的重排断裂反应是整个热解过程的主反应,其反应动力学常数为3.87×10~5,活化能为69.3 kJ/     

电弧放电法快速合成金刚石薄膜

本文用电弧放电等离子体ＣＶＤ快速生长金刚石薄膜。用拉曼散射，Ｘ射线衍射、电子显微镜等方法进行了结构表征。文中所论述的恒定的基板温度对沉积金刚石薄膜是非常重要的。     

甘蔗愈伤组织耐盐性研究:耐盐愈伤组织的筛选及脯氨酸、还原糖含量变化

在附加不同浓度NaCl及2.4-D 2mg/L的MS培养基上,甘蔗愈伤组织表现出不同的生长效应。培养基中NaCl浓度低时(1%以下),甘蔗愈伤组织表现为适应性生长;而在高NaCl浓度时(2%以上),愈伤组织生长表现出盐害特征。脯氨酸、还原糖测定结果显示,在盐适应情况下,甘蔗愈伤组织中的脯氨酸含量较高,还原糖含量较低;在盐害情况下则相反。     

现代外延生长技术

由于现代外延生长技术的不断完善，使异质结器件、量子阱与超晶格材料的生长与应用得到迅速发展．本文概述了目前半导体材料与器件研究最先进的几种外延生长技术，包括ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＣＢＥ、ＡＬＥ和ＨＷＥ．     

射频PECVD方法生长含氢非晶碳膜的结构及摩擦学性能

利用射频等离子体增强化学气相沉积技术在不锈钢表面制备了含氢非晶碳膜.采用Raman光谱、红外光谱、X射线光电子能谱和原子力显微镜等研究了薄膜的微观结构和表面形貌,在栓盘摩擦磨损试验机上考察了薄膜在不同载荷与滑动速度下的摩擦学性能.结果表明:所制备的含氢非晶碳膜具有典型的类金刚石结构特征,薄膜均匀、致密,表面粗糙度小;薄膜与不锈钢球对磨时显示出良好的抗磨减摩性能;薄膜的抗磨减摩性能同对磨件表面上形成的转移膜以及摩擦过程中薄膜结构的石墨化相关.     

Ni_3Si涂层对Ti_6Al_4V合金抗NaCl/O_2/H_2O(g)协同腐蚀性能的影响

研究了磁控溅射法制备的Ni3Si涂层对Ti6Al4V合金在600℃下,抗NaCl/氧气/水蒸气协同腐蚀性能的影响.结果表明,在材料遭受腐蚀的过程中,Ni3Si涂层有效地改善了Ti6Al4V合金抗NaCl/氧气/水蒸气综合腐蚀的能力;而无涂层试样遭受了严重的腐蚀,不仅发生了内氧化,而且有大量的腐蚀产物脱落.利用带能谱的扫描电镜、X射线衍射、电子探针和表面光电子能谱对样品的腐蚀行为进行了分析,并讨论了涂层抗腐蚀的机理.     

高纯元素合成磺化汞及其单晶的生长

研究了“真空冷指升华法”制备高纯碘（I2）；采用“三温区汽相合成法”将高纯汞（Hg)与高纯碘合成碘化汞（HgI2);α-HgI2单晶的“三温区定点成核法”的汽相生长，分析讨论了温度场对晶体生长的影响，实验结果表明：汞与碘合成时对碘源区，汞源区，碘化汞沉积区分别设置成不同的合适温度，在合成时碘的量比按化学配比的计算值过量5％左右，且在长晶时对原料进行碘处理的方法能确保HgI2的纯度及汞与碘的最佳化学比，长晶时源区温度在125－126℃，长晶区温度在111－112℃，源区与长晶区的温度梯度为1℃/cm，这样在生工安瓿中所形成的温度场对晶体的生长是比较适宜的。     

Epitaxy of SiGe Layers by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition

Introduction　　Becausethepropertiescanbeadjustedbythestraindistributionandthepossibleintegrationwithstandardsilicontechnology,silicon-germanium(SiGe)heterosystemshavebecomemoreimportantinrecentyears.AnumberofinterestingelectronicandopticaldeviceshavebeendevelopedusingSiGe.Thesedevicesincludeheterostructurefieldeffecttransistors(HFET)[1,2],heterojunctionbipolartransistors[35],andinfrareddetectors[6,7].Futureprospectshaveencouragedthesearchforimproveddepositiontechniquesforsiliconandsilicon…