激光晶体Tm3+/Yb3+:GdAl3(BO3)4的生长和光谱性能研究

采用助熔剂法生长了优质透明的Tm3+/Yb3+:GdAl3(BO3)4晶体.在室温下测试了晶体的偏振吸收谱,对谱图中的7个吸收峰进行了能级归属,并计算了偏振吸收截面.实验表明,晶体能够采用两种商业化的InGaAs LD或GaAlAs LD进行泵浦.讨论了Yb离子敏化Tm离子过程中能量传递的方式,并展示了晶体在多波长激光方面潜在的应用前景.     

镁铝尖晶石本征色心的计算机模拟

利用计算机模拟技术和经验参数化方法,通过对镁铝尖晶石(MgAl2O4)晶体结构、晶格形成能及本征缺陷形成能的计算,论证了镁空位VMg^2-、氧空位Vo^2 和少量的AlMg^ 是MgAl2O4中的本征点缺陷．并指出其会以[VMg^2--Vo^2 ]空位对和[VMg^2--2lMg^ ]的形式实现电荷补偿．     

ZnGa2Se4:V3+ 光谱的理论研究

应用区分t₂和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵, 在考虑和忽略静电参量B₀₀的条件下, 分别研究了t₂和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa₂Se₄:V ³⁺能级以及低对称分裂的影响; 计算了ZnGa₂Se₄:V ³⁺晶体的能级的低对称分裂, 并与实验值进行比较. 计算结果与实验值符合很好. 研究发现: 在对ZnGa₂Se₄:V ³⁺晶体的光学性质进行理论研究时, 在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t₂和e轨道共价性的差异是非常有必要的; 晶场参量B₀₀对ZnGa₂Se₂4:V ³⁺的能级有重要影响, 因此不能忽略.     

新显色剂HSNPT的合成及其与铜的光度性能研究

合成了新显色剂2-羟基-4-磺酰氨基苯-3-(4-硝基苯)-三氮烯(HSNPT),并对HSNPT与铜的显色反应进行了研究.结果表明:在表面活性剂TX-100存在下,在pH=11.0的Na2B4O7-NaOH缓冲溶液中,HSNPT与铜形成配合比为3:1型淡黄色配合物.配合物最大负吸收峰位于535nm处,表观摩尔吸光系数为1.60×105L·mol-1·cm-1.Cu2 的浓度在25mL中0～12μg范围内符合比尔定律.     

关于整数的平方和

借N2 =[12 ,2 2 ,3 2 ,… ]中之数的一种特殊形式的表达式以及N2 中的部分和表推导出N中之数用N2中之数的和来表达的可能性 ,并提出合理的猜想 .对N3 =[13 ,2 3 ,3 3 ,… ]与N4=[14 ,2 4,3 4 ,… ]也得到一部分类似的结果     

CuO掺杂对10NiO-NiFe2O4陶瓷致密化烧结及其力学性能的影响

采用冷压成型和常压烧结工艺制备CuO掺杂10NiO-NiFe2O4陶瓷,研究CuO掺杂量对10NiO-NiFe2O4陶瓷的致密度、抗折强度及热震稳定性的影响。结果表明,在1 300℃烧结温度下,掺杂CuO能够有效提高10NiO-NiFe2O4陶瓷的致密度,其中添加6%CuO试样的相对密度（95.55%）最大;掺杂CuO可大幅提高10NiO-NiFe2O4陶瓷的抗折强度,其中添加8%CuO试样的抗折强度（139MPa）最高,且在800℃下经过1次和3次热循环后,该试样的抗折强度损失率仅分别为5.7%和8.6%,表现出良好的抗热震性能。     

基于遗传神经网络算法的海面风速反演新方法

针对海面运动的复杂性、海面电磁散射理论模型的局限性以及利用SAR图像反演海面风速存在的非线性现象,基于遗传神经网络的方法,以业务化的CMOD4模式函数数据为基础,采用Fletcher-Reeves算法的变梯度反向传播算法,建立一种SAR风速反演的新模型。试验结果表明,利用遗传神经网络方法反演海面风速是可行的,当随机误差小于10%时,模型的抗噪能力较强,风速反演的精度较为理想。比较不同风速下的反演结果可以发现,在中、小风速的情况下,模型的抗噪能力较强,模型学习拟合和预测检验的精度相对较高;在大风速的情况下,模型的反演能力有待于进一步提高。     

由羟基磷酸铁制备的磷酸铁锂用于锂离子电池正极材料的性能研究

为了实现废物循环利用及节能减排,以磷化工副产物磷铁废渣、磷酸、过氧化氢为原料合成了羟基磷酸铁进而制备了磷酸铁锂,并采用多种测试方法对产物进行了分析.实验结果表明,当磷酸/过氧化氢配比为1.2/1时合成的羟基磷酸铁的结晶度最好,由其制备的磷酸铁锂首次放电容量可达151.6 m Ah/g,库仑效率达93%.同时,实验过程实现了零污染、低成本,为磷酸铁锂正极材料制备提供了新方向.     

SO2-4对电沉积法制备氢氧化镁的影响

以海绵钛副产品氯化镁为原料,采用水溶液电沉积法制备氢氧化镁时,氢氧化镁团聚严重,且在极板上脱落困难.通过向电解液中加入适量SO^2-₄来优化氢氧化镁分散性,可有效解决氢氧化镁团聚严重的问题.探究了SO^2-₄对氢氧化镁脱落性能、产物形貌及生长方式的影响.结果表明:SO^2-₄的质量浓度对氢氧化镁初始脱落时间影响较大,SO^2-₄的质量浓度为0.45g/L时,氢氧化镁性能最佳,初始脱落时间最短约 10min;氢氧化镁在极板上结晶长大时,生长方式为层岛复合生长模式,同时发现添加SO^2-₄后,能够诱导氢氧化镁以阶梯状的方式生长.     

晶质石墨活化提纯锂离子电池负极材料机理研究

研究了一种新的石墨提纯方法:先焙烧石墨,然后用NaOH,H_2SO_4和HCl处理,并确定了最佳工艺条件.结果表明,这种方法可以使固定碳质量分数为95.12%的晶质石墨提纯到99.76%.