闪存微控制器性能增高 实现最佳技术功能特点——爱特梅尔又添新宠

日前，爱特梅尔公司（Atmel Corporation）推出基于ARM9的AT91 SAM9XE系列产品，集成了性能达200MIPS的ARM926EJ-S^TM处理器核与512K字节高性能片上闪存的第一代单芯片闪存微控制器。新产品实现了前所未有的性能和功能集成度，适合空间有限但要求高性能的应用。     

NAND FLASH芯片在单片机系统上的应用

单片机作为一种微型计算机，其内部具有一定的存储单元（8031除外），但随着单片机运算速度和处理能力的不断提高，其在各个领域得到了更广泛的应用。随着其应用领域的不断扩大及集成化的不断提高，其内部存储单元及端口有限，很多情况已难以满足实际需求，往往需要对其内部资源进行扩展，从而实现单片机与片外存储器件的有效连接。本文以K9F2808UOC为例，采用AVRMEGA16L单片机连接，实现了用I／O模拟方式读写三星系列的NAND FLASH的功能。     

基于FPGA的NAND FLASH控制器的设计

文章主要介绍了基于FPGA实现NAND FLASH控制器的一种方法.通过系统分析,对该控制器的功能进行了模块划分,分为FLASH控制模块、FLASH读模块、FLASH写模块、FLASH擦除模块以及坏块处理模块,并用VHDL硬件描述语言进行编程,从而实现了该功能.本设计使用开发环境为Xilinx公司提供的ISE以及与其相应的开发工具.     

一种支持FAT文件系统的Flash转换层设计

针对Nand Flash先擦除后写入,block为最小擦除单位,page为最小读写单位,文档分配表文件（file allocation table,FAT）系统不能直接应用于Nand Flash的特点,提出一种基于缓存机制的应用于FAT文件系统的Flash转换层,设计一种逻辑块和物理块的映射机制处理Nand Flash的坏块;应用一种缓冲机制来提高系统读写速度,减少Flash存储块的擦除次数;应用循环冗余码校验算法(cyclical redundancy check,CRC)来改善Flash的负载平衡。本系统的闪存转换层（flash translation layer,FTL）有效地处理了Nand Flash的硬件限制,延长Flash的寿命。     

基于U盘应用的USB2.0设备端控制器的设计

介绍了一种专门针对优盘应用的USB2.0设备控制芯片的设计方法。着重对USB2.0设备控制器的功能进行了模块划分并对各模块实现进行了设计,同时给出了实现USB协议的处理流程以及USB设备控制器的设计要点。     

基于Uboot的嵌入式系统远程更新设计

提出了一种基于Uboot的嵌入式系统远程更新设计,主要由三星S5PV210微处理器、DM9000网卡芯片、NAND Flash芯片以及SDRAM随机存储芯片组成,结合MTD分区技术和tftp下载命令,通过对系统内核和Uboot的修改,添加自定义启动命令,从而实现Flash分区设计和远程映像文件自动更新.     

北理工携手东芝培养NAND型闪存开发人才

3月24日北京理工大学与东芝集团在京签署了NAND型闪存领域合作协议。根据协议，东芝将于今年4月开始派讲师给该校大四学生以及研究生讲授NAND型闪存知识课程9月双方在北理工成立共同实验室，进行NAND型闪存应用开发研究；随后将举办NAND型闪存应用产品的设计大赛，实施实习生计划，以及开展更为广泛的合作项目。北京理工大学副校长杨树兴在签约仪式上表示，     

NAND FLASH的数据管理方法

本文分析介绍了NAND FLASH的数据管理方法。针对NAND FLASH的固有特性提出其数据管理方法解决数据存取问题，并提高NAND FLASH读写速度、使用寿命和可靠性。     

NAND闪存物理特征测试平台设计

设计了基于现场可编程门阵列(FPGA)的快速、准确且可扩展的自动化闪存测试平台,测试平台由主机图形用户界面(GUI)、FPGA控制器和NAND闪存子板组成,通过更换测试座可以适配不同封装和不同类型的NAND闪存芯片,一个FPGA控制器可同时完成8块闪存芯片测试.实验结果表明:当编程/擦除(P/E)操作重复100次时,16 MiB的多层单元闪存(MLC)块测试时间为146 s,8个闪存芯片块的测试时间为188 s.对于常见的闪存芯片,1 d内可完成一个闪存块的耐力测试.原始错误比特数、擦除时间和编程时间随着闪存寿命有规律地变化,读取时间与闪存寿命无明显关系.测试结果符合闪存原理特性,表明测试平台快速有效且并行性高.     

铁电场效应晶体管:原理、材料设计与研究进展

系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理，重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、目前所研究的主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能．并介绍了关于FeFET研究的一些最新的进展如基于FeFET的FeCMOS逻辑电路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和有机半导体的FeFET的一些最新研究成果．最后对FeFET的未来研究发展趋势作出一些展望．