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921.
以2,3-二氯吡啶为起始原料经过肼解、与马来酸二乙酯成环、溴代、氧化、水解得到关键中间体3-溴-1-(3-氯-2-吡啶)-1H-吡唑甲-1-甲酸,然后再与二氯亚砜反应生成甲酰氯,最后与各种环氨作用得到最终化合物3-溴-1-(3-氯-2-吡啶)-1H-吡唑甲酰胺类化合物,并对最终化合物进行表征. 相似文献
922.
低温固体硼碳氮稀土共渗的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了硼-碳-氮-稀土共渗工艺及共渗层的组织性能,并与硼-碳-氮渗工艺及组织性能进行了比较,结果表明,在一定范围内,稀土具有明显的催渗作用;与B-C-M共渗相比,B-C-N-RE共渗层的耐磨性和耐蚀性明显提高。对B-C-N-RE共渗的机理及稀元素的作用进行了初步探讨。 相似文献
923.
在pH4.5的HAc-NaAc介质中,Ni(Ⅱ)与1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-吡唑啉酮-5(PMBP)生成络合物,于-0.95V(vs.SCE,下同)出现一尖锐、灵敏的极谱波峰电流与Ni(Ⅱ)浓度在0.005~1.2μg/ml范围内呈良好的线性关系.用多种电化学方法研究了极谱波的性质及电极反应机理,证明-0.95V处的极谱波为络合物吸附波,峰电流由中心离子Ni(Ⅱ)还原产生,络合物组成为Ni(Ⅱ):PMBP=1:1试验了多种离子对峰电流的影响采用离子交换法分离干扰离子,用于钢样中镍的测定,得到满意结果。 相似文献
924.
利用浸渍法制备了一系列不同掺杂量的V2O5/CeF3光催化剂,通过光催化降解丙酮实验考察了催化剂的光催化性能,并采用X射线衍射(XRD)、BET比表面积和紫外可见光谱(UV-vis)等方法表征了催化剂的物理化学性质.结果表明:少量(摩尔分数≤15%)V2O5的掺杂有利于催化剂比表面积的增加,有利于催化剂光催化性能的提高;而当V2O5含量进一步增加时,由于CeVO4晶相的出现,使催化剂的比表面积减小、禁带宽度增加,从而降低了催化剂的光催化活性.其中,摩尔分数为15%的V2O5/CeF3催化剂具有最佳的光催化性能,丙酮降解率可达85%. 相似文献
925.
926.
陈果良 《上海师范大学学报(自然科学版)》1992,(1)
设A∈C_r~(m×n),r≤min(m,n)。对于加权条件数K_(MN)(A)=‖A‖MN‖A_(MN)~+‖NM,本文指出在一定条件假设下,K_(MN)(A)在矩阵扰动问题中的极小性质。主要结果如下:1.设A∈C_r~(m×n),E是A的任意小扰动矩阵。R(E)(?)r(A),R(E~*)(?)R(A~*)且‖A_(MN)~+‖NM‖E‖MN<1,有(?)成立,则有K_(MN)(A)≤(?)MN(A)。2.设A∈C_r~(m×n),E为A的任意小扰动矩阵。r(A+E)=r(A),且‖A_(MN)~+‖NM‖E‖MN<1,有(?)成立,则K_(MN)(A)≤(?)MN(A)。其中(?)当r相似文献
927.
在非水介质中合成了5种轻稀土高氯酸盐与配体二甘双酰氮甲基苯胺形成的固体配合物,通式为[Ln(L)2(H2O)2](ClO4)3(Ln=La,Pr,Nd,Sm或Eu).用元素分析、摩尔电导、红外光谱、核磁共振和TG-DTA分析对这些配合物进行了表征.结果表明,在这些新配合物中,配体L表现为三齿配位行为. 相似文献
928.
采用共沉淀法制备了晶相单一、结晶度良好的钴铝类水滑石,借助XRD、FT-IR对其物化性能进行了表征;在乙酸存在下,将其应用于苯甲醛液相空气氧化合成苯甲酸的反应当中,详细考察了搅拌速度、乙酸用量、反应温度及时间、催化剂组成结构及其用量等因素对该反应活性及选择性的影响。实验结果表明:CoAl-HTLcs在乙酸为介质的条件下能够很好地催化氧化苯甲醛至苯甲酸。在敞开体系下,当反应温度为65℃,反应时间为45 min,实验搅拌速度为800 r/min,V(苯甲醛)∶V(乙酸)=5∶15,CoAl类水滑石(n(Co)/n(Al)=2)催化剂用量为0.1 g时,苯甲酸的选择性为100%,苯甲醛的转化率近100%。 相似文献
929.
从经PMA刺激的小鼠脾细胞中提取总RNA, 采用RT-PCR技术获得鼠白细胞介素15(mIL-15)基因, 将其克隆至真核表达质粒VR1012中, 转染COS-7细胞, 将转染细胞裂解, Western blot检测. 表明获得了mIL-15真核表达载体, 其具有完整的带有信号肽的mIL-15序列, 重组结果正确, Western blot检测阳性. 并获得有生物活性的mIL-15蛋白. 相似文献
930.
选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,器件的暗电流密度随之减小 ,同时击穿电压也相应减小 .为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度 ,还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触 .对减薄后的器件进行I V特性测量 ,由于工作电压大幅降低 ,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小 .同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大 ,将器件温度降低到 - 15℃时 ,暗电流密度可降低到 1nA·mm- 2 以下 . 相似文献