在硅基材料上用Sol-gel法制备涂层测定氧扩散系数研究

提出一种测定氧扩散系数新方法.用Sol-gel法制备了Y2O3/SiO2均匀致密的薄膜,能成功解决其它方法无法得到的冶炼所得到的熔体,光学椭偏测定氧化层的膜厚.探讨了氧在薄膜中的扩散,在Wagner理论基础上,用数学方法表达在掺杂SiO2薄膜氧扩散系数与氧化层膜厚的关系.     

用模拟技术研究材料压缩试验方法

采用LS－DYNA3D非线性动力学有限元分析程序对新材料压缩试验方法进行了计算机模拟，提出了一些改进的实验方法，论证了这种方法的可靠性和可行性。     

Ga2Se3:Co2+光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。     

三维Minkowski空间的Mannheim侣线

讨论了三维Minkowski空间中Mannheim侣线的曲率与挠率之间的关系，证明了Mannheim侣线的曲率与挠率满足的关系式．     

Fe∶LiNbO3晶体中全息图的选择性擦除研究

研究选择性擦除的原理和方法，针对铌酸锂晶体中定影全息图和未定影全息图的特点，介绍相应的选择性擦除的原理和在物光和参考光中引入π相位差的几种方法，通过引入π相位差记录互补全息图，利用全息图及其互补全息图的非相干叠加，消除原全息图对晶体折射率的调制，从而实现对未来影全息图的选择性擦除，实验中实验了在晶体中某一数据面面内部分数据的擦除，并从理论上对实验结果进行了分析。     

基于三层体系结构电子政务系统的JSP技术

引用国际先进的开发技术将三层网站体系结构应用于长春房地网。使用了面向对象数据库技术,并将连接池技术用于访问Oracle数据库,解决了网站中连接数据库的稳定性和连接效率问题。利用JSP(JavaServerPage)、Servlet、JavaBean、连接池、高速缓存等先进技术构建的电子政务系统,在可扩展性、效率和实用性等方面有了极大的提高。     

不同代数PAMAM树形分子对CaCO3晶体的影响

以端基为-COONa的聚酰胺胺(PAMAM)树形分子为基础,研究不同代数PAMAM树形分子对CaCO3晶体的影响.分别合成了0.5代、1.5代、2.5代、3.5代、4.5代-COONa端基的PAMAM树形分子,制备了不同代数树形分子存在下的CaCO3晶体,并用IR,XRD,SEM等方法对其进行了表征.结果表明,随着树形分子代数的增加,生成趋于完善的球霰石CaCO3晶体,且CaCO3晶体颗粒的粒径呈减小趋势,由0.5代PAMAM的(6.0±0.5) μm降至4.5代PAMAM的(0.7±0.5) μm.说明端基为-COONa的PAMAM树形分子对CaCO3是一种很好的晶体改性剂和结晶抑制剂.     

在硅基材料上用Sol-gel法制备涂层测定氧扩散系数研究

提出一种测定氧扩散系数新方法。用Sol-gel法制备了Y2O3/SiO2均匀致密的薄膜，能成功解决其它方法无法得到的冶炼所得到的熔体，光学椭偏测定氧化层的膜厚。探讨了氧在薄膜中的扩散，在Wagner理论基础上，用数学方法表达在掺杂SiO2薄膜氧扩散系数与氧化层膜厚的关系。     

三维编织物纱线空间构型的数学表达

采用示踪棉股线与普通棉股线在四步法编织机上编织6×4和6×6两种类型三维编织物,以较小间距横切编织物后。用QUESTER视频显微系统拍摄截面得到示踪纱截面中心点定位坐标,以三次周期样条插值方法处理经归一化的示踪纱线空间定位坐标,得到同一编织物中不同纱组内纱线在一个完整编织循环中空间构型的数学表达,以此反映矩形截面三维编织物的细观结构。     

四步法三维编织预型件的细观结构及拉伸性能预测

基于三维编织预型件细观结构的数学表达，提出在小拉伸变形和大拉伸变形下预测整段拉伸曲线的预测方法，该方法真实地反映了编织物的拉伸过程。最后与实验结果进行比较，具有很好的一致性。由于编织物强度预测的复杂性，利用该方法有可能在解决三维编织预型件的强度预测计算方面取得突破。