稀土硫酸盐对Na_2Mo_(0.1)S_(0.9)O_4离子导电性的影响

为了开发用于SO_2气体传感器的固体电解质材料。对掺杂稀土硫酸盐的Na_2Mo_(0.1)S_(0.9)O_4体系的离子导电性和相关系进行了研究,取得了良好的结果;在掺有4m/oPr_2(SO_4)_3的体系中,280℃时电导率达到10~(-3)Ω~(-1)cm~(-1);差热分析表明,没有相变发生,成功地将Na_2Mo_(0.1)S_(0.9)O_4的高温快离子导电相稳定到了室温。     

磷掺杂类石墨相氮化碳的制备及其在甲基汞检测中的应用

甲基汞在环境中对生物危害极大,因此迫切需要一种快速高灵敏的检测方法.本文通过将磷掺杂到类石墨相氮化碳(g-C3 N4)中,减小了其禁带宽度,提高了其催化活性.采用磷掺杂类石墨相氮化碳(PCN)修饰金电极构建了电化学传感器用于甲基汞(CH3 Hg+)的测定.在最佳实验条件下,CH3 Hg+展示出良好的差分脉冲伏安响应信号...     

溶胶凝胶法制备Sb掺杂SnO2透明导电膜的结构与性能研究

在乙醇溶剂中,以无机金属盐SnCl2.2H2O和SbCl3为原料,采用溶胶-凝胶法制备了Sb掺杂的SnO2透明导电薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量和热处理温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明,热处理温度为500℃、Sb掺杂摩尔百分比为15%～20%时,薄膜具有较好的结晶性能、好的导电性能、较高的可见光区透射率和红外光区反射率。     

异价掺杂对Li2MnCl4氯化物固态电解质结构和性能的影响

一系列Li2-xMn1-xGaxCl4(x=0,0.1,0.3,0.5)可以通过机械化学的方法合成.根据X射线衍射以及Rietveld结构精修,Ga3+成功进入了被Mn2+部分占据的八面体位点.刚经过球磨的、具有较低结晶度的材料整体上在离子电导率方面优于结晶良好、经过250℃退火的材料.刚经过球磨的Li1.9 Mn0....     

聚硅烷与聚乙炔比较性理论研究

用密度泛函理论(DFT),在B31YP/6-31G(d)水平下对主链含有30个原子的聚乙炔和聚硅烷在未掺杂和电荷掺杂及掺杂后在电场作用下进行几何全优化,再对它们的几何结构和自旋密度进行比较研究.结果表明,在聚乙炔中,电荷掺杂后在链中间区域形成了极子,加电场后,极子偏离中间位置向链的一端移动,电场越大,极子偏移也越大:在聚硅烷中,电荷掺杂后形成的极子几乎遍及整个分子链,加电场后极子移到了链端.表明在同样的电场下极子在聚硅烷中的移动程度比在聚乙炔中大.     

基于RC网络集成电路的多晶硅薄膜电阻工艺优化

介绍基于RC[1]网络集成电路中的制作多晶硅电阻工艺和掺杂方法,并详细阐述了这种方法的工艺过程和控制方式.利用LPCVD方式制作多晶硅薄膜,可以得到很好的膜层均匀性和最佳的淀积速率,再利用POCl3进行高温掺杂[2],得到优化的电阻率,灵活改变各种参数,可使电阻的精度优于5%.     

电荷掺杂和C1掺杂聚吡咯、聚呋喃、聚噻吩的导电性理论研究

利用Gaussian 03程序包中的密度泛函理论在B3LYP/6-31G(d)水平下,对未掺杂、电荷掺杂和C1掺杂的聚吡咯、聚呋喃、聚噻吩进行几何全优化,并对它们的几何结构、自旋密度、自然键轨道(NBO)、前线轨道能进行了理论分析.结果表明,电荷掺杂能使聚合物键长趋于平均化,其极子分布几乎遍及了整个分子链而C1原子掺杂对聚合物的影响主要集中在与C1原子相邻的C原子上,极子分布局域在C1原子附近的大约7个碳原子上,掺杂能够明显增强仃电子共轭性,降低能隙,从而增强导电性.     

团簇Mo2S4的稳定结构和电子性质

根据密度泛函理论方法,在B3LYP/Lanl2dz水平下对已设计的团簇Mo_2S_4初始构型进行单重态和三重态的全参数优化计算,再排除同重态下相同构型及虚频不稳定构型后,得到10种优化后构型。各优化后构型的稳定程度为:1~((3))1~((1)) 2~((1))3~((1))4~((1))2~((3))3~((3))4~((3))5~((3))5~((1)),其中单重态的稳定性比三重态的稳定性好。团簇Mo_2S_4整体的电荷量和为0,呈电中性,各优化构型的电子流动性强弱与构型的空间结构有关,而与构型的自旋多重度无关,电子的流向主要由Mo原子流向S原子,Mo原子的5s、5p轨道与S原子的3p轨道是电子流动的主要贡献者。     

掺杂对锰氧化物La_(0.67)Ca_(0.33)Mn_(0.9)A_(0.1)O_3(A:Cr,Co,Fe,Cu)结构的影响

采用固相反应法制备了La0.67Ca0.33Mn0.9A0.1O3(A:Cr,CoFe,Cu)系列样品;利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对系列样品进行了表征,结果表明:样品单相性很好;以元素Cr,Fe,Co替代时,样品呈现较均匀的颗粒,而元素Cu替代时样品呈大片状结构,空洞半径按替代元素Cr,Co,Fe,Cu的顺序逐渐变大,说明替代元素与Mn离子的半径之差Δ是影响样品空洞半径及缺陷的重要因素.