Nd掺杂与人造沸石载体对TiO_2光催化活性的影响

以具有规则多孔结构的人造沸石为载体,以Nd(NO3)3和Ti(OBu)4为前驱体制备钕离子掺杂TiO2光催化剂.在紫外光的照射下,以甲基橙为光催化降解反应模型化合物,研究了TiO2、Nd-TiO2、TiO2/沸石、Nd-TiO2/沸石光催化剂的活性.通过FT-IR的表征,探讨了Nd和沸石对TiO2的光催化活性的影响.实验结果表明:掺杂钕离子能提高TiO2的光催化活性,催化剂用量为2 g/L,掺杂量为1.0%时,光催化活性最高;用人造沸石为载体所制得的TiO2光催化剂对甲基橙也具有较好的光催化降解效果.     

纳米 SnO2 基 CO 敏感元件的研究

采用沉淀法制备了SnO2纳米粉体，并制作了烧结型的CO敏感元件，考察了掺杂元素的种类和含量及烧结温度对敏感元件灵敏度的影响，为获得性能良好的CO气敏元件，需要最佳的制备方法和最好的掺杂剂。     

LD泵浦的掺Yb3+双包层光纤激光器的实验研究

采用国产的掺Yb^3 双包层光纤和包层泵浦技术，分别对10m和20m光纤的输出特性进行了研究。10m光纤在1064nm获得58mW的激光输出，阈值为138.8mW，斜效率为10％；20m光纤在1067nm获得104.8mW的激光输出，阈值为109mW。     

掺杂C60的聚乙烯基咔唑光导光膜的光电子能谱

采用Ｘ－射线光电子能谱表面分析技术并通过变温手段研究了聚乙烯基咔唑（ＰＶＫ）与Ｃ６０的作用形态，结果表明，ＰＶＫ与Ｃ６０可以形成电荷转移络合物，并且它的形成和解离随着温度的变化是可逆的。ＰＶＫ与Ｃ６０的电荷转移络合物的形成可能是改善ＰＶＫ光电性能的关键所在。     

Structure and electrical characteristics of Nb-doped SrTiO3 substrates

Strontium titanate (SrTiO3) has been widely used as substrates for growing perovskite oxides thin films be- cause SrTiO3 is chemically and compositionally stable, and has small lattice mismatch with many perovskite oxides[1―3]. It is known that SrTiO3 it…     

纳米FePt薄膜材料的研究进展

Ll_0FePt（001）薄膜由于具有较高的磁各向异性和较高的矫顽力在磁记录介质材料方面具有潜在的应用前景,本文从衬底选择、元素掺杂和制备工艺三个方面介绍了FePt薄膜的研究近况。     

Fe3+掺杂TiO2薄膜的制备和光催化性能研究

以钛酸正丁酯、无水乙醇和冰醋酸为原料,采用溶胶—凝胶法制备了Fe^3＋掺杂的TiO2纳米薄膜。考察了其催化降解甲基蓝实验中的光催化活性和杀菌性能。并通过XRD、SEM等手段分析了Fe^3＋掺杂TiO2样品的相组成和表面形貌。在450℃时最佳反应物配比浓度为钛酸正丁酯：无水乙醇：冰醋酸：蒸馏水=1：4：1．5：0．2 （摩尔比）,Fe^3＋掺杂对TiO2薄膜光催化性有着重要的影响。     

Nd掺杂Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15陶瓷的电性能

Nd等价取代Bi_4Ti_3O_(12)-SrBi_4Ti_4O_(15)的A位,形成SrBi_(8-x)Nd_xTi_7O_(27)(x=0.00～1.50)共生陶瓷.结果表明:Nd掺杂未改变晶体的共生结构,样品剩余极化(2P_r)在掺杂量x=0.50时取得极大值,为32.3×10~(-2) C·m~(-2),比未掺杂时增加了70%,而矫顽场则从未掺杂时的90.5×10~5 V·m~(-1)上升为103×10~5 V·m~(-1).Nd掺杂使得样品的居里温度(t_C)有所下降,x=0.50时的t_C为538℃.掺杂使得样品的压电性能明显改善,压电系数d_(33)从未掺杂时的6 pC·N~(-1)增加到x=0.50时的11 pC·N~(-1).     

硼掺杂对SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料合成温度及性能的影响

采用固相法合成了系列掺硼SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料。通过测试分析合成粉体的物相组成、激发光谱、发射光谱和余辉时间,研究了硼掺杂对SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料合成温度与发光性能的影响。实验结果表明,添加硼一方面做为助熔剂可以降低合成温度,另一方面当硼摩尔分数小于30%时,增加硼含量可以延长余辉时间,但硼含量的变化对激发和发射光谱峰值没有明显影响。     

Fabrication and superconducting properties of nano-SiC doped MgB2 tapes

Nano-SiC doped MgB2 tapes were prepared by the in situ powder-in-tube method. Heat treatment was performed at 650℃ for 1 h. XRD data indicate that SiC particles had reacted with the MgB2 during sintering process. MgB2 core seemed to be denser after SiC doping, and the critical temperature was slightly depressed. The critical current density Jc of the SiC doped tapes was significantly enhanced in magnetic fields up to 14 T compared to the undoped ones. For the 5% SiC doped samples, Jc was in- creased by a factor of 32 at 4.2 K, 10 T. The enhancement of Jc-B properties in SiC doped MgB2 tapes is considered to be due to the enhancement of grain linkages and the introduction of effective flux pining centers. The substitution of B by C in MgB2 grains is thought to be the main reason for the improve- ment of the flux pinning ability in SiC doped MgB2 tapes.