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441.
Fe—Mn—Si基合金共格界面能的离散点阵平面分析 总被引:1,自引:1,他引:0
结合合金的相变热力学对离散点阵平面(DLP)模型进行了改进,使之能够处理多元置换型合金中诸如马氏体与奥氏体这类化学成分相同而结构不同的两相共格界面能。利用改进的DLP模型计算了Fe-Mn-Si基合金的{111}fcc//{0001}hcp共格界面能,分析了温度、合金成分对它的影响,结果表明,与它们对层错能的影响一致。体系的共格界面能作为马氏体相变临界驱动力△GMs^γ→ε中的阻力项所占的比例小于10%。 相似文献
442.
中微子结构及其结构函数 总被引:2,自引:0,他引:2
与研究光子结构类似,若现时中微子v2e,F(q1,g,g)的超对称性伴子-中性微子U0e,B(q2,g-),从亚夸克海中俘获2对色亚夸克bcb-c,一对用于使U0e,B(q2,g-)构成y-2/3e,B(q2,b-c)和反轻子-夸克共振态B+2/3c(bc,g-),一对用于将两者粘合在一起的胶子弦,即相当于胶子弦将y-2/3e,B(q2,b-c),B+2/3c(bc,g-)粘合在一起的带电谐振子,将显示强作用的特性.但B+2/3c(bc,g-)是反轻子-夸克共振态(l--q),其传播子为比W±1,Z°更重的ε-e(q-1,q2)物质,又给出了它的弱作用性质.以往分析核子结构函数的一些原理和方法可延用于中微子的情形,从而给出了中微子结构函数. 相似文献
443.
对于气体泄漏的几种释放量进行了模型试验,数值模拟了在带有燃气管道的共同沟中燃气泄漏后的摩尔组分浓度分布.对比模型试验结果发现:在气体泄漏点的一定范围内,标准κ-ε湍流计算模型能够模拟燃气的泄漏,数值计算的燃气浓度能够满足工程精度要求,工程中的三维湍流问题可以进行数值仿真. 相似文献
444.
王嘉梅 《云南民族大学学报(自然科学版)》2001,10(2):322-325
探讨满足精确重建条件的调制型数字滤波器组,提出了这种调制型数字滤波器组的设计及实现方法,计算机仿真实验证明该方法是简单和有效的. 相似文献
445.
在不同条件下用KH-550硅烷偶联剂对介孔分子筛Fe—MCM-41表面进行化学修饰后,以Fe—MCM-41分子筛为载体负载TiO2纳米溶胶。实验发现在硅烷化处理时,选择不同极性的溶剂对复合光催化剂的吸附性能有显著影响。利用XRD,固体漫反射UV—Vis吸收光谱,FT—IR,低温N2吸附-脱附等对分子筛进行了表征。结果表明:在不同的溶剂中,Fe—MCM-41分子筛在KH-550化学修饰时硅烷化程度不同。与无水乙醇等极性较强的溶剂所制的样品相比,正己烷为溶剂的TiO2—Fe—MCM-41正己烷样品具有更强的吸附能力,对TiO2纳米粒子具有更好分散能力。 相似文献
446.
多芯片组件(MCM)的可测性设计 总被引:1,自引:0,他引:1
为克服在线测试技术测试MCM时不能达到满意的故障覆盖率的困难,采用可测性技术对MCM进行设计.根据MCM的特点和测试要求,提出了在JTAG标准基础上扩展指令寄存器,添加专门的用户指令,融合扫描通路法、内建自测试法等可测性方法,分层次地对MCM进行全面测试.建立模型进行验证的结果表明:该方法能有效地测试MCM,缩短了测试时间,故障覆盖率达到95%以上. 相似文献
447.
448.
基于外骨骼机器人手指系统动力学,提出了机器人鲁棒μ控制器的设计方法。分析了系统模型的不确定性,将负载动力学作为系统的反馈不确定,建立了合理的被控对象标称模型。基于高速DSP实现鲁棒控制器的数字化,在μ控制器设计和数字实现过程中考虑了机器人系统的计算延时。通过实验评估采样延时对机器人控制器鲁棒性能的影响。实验结果表明,μ控制器能够抑制干扰和模型不确定对机器人系统的影响,系统具有很好的鲁棒稳定性和鲁棒性能。 相似文献
449.
具有磁感应定向加热肿瘤治疗作用的纳米As2 O3磁性脂质体的制备和表征 总被引:10,自引:0,他引:10
在薄膜法制备工艺基础上,采用反复冻融和超声处理、并加明胶分散磁性粒子的改良方法制备纳米As2O3磁性脂质体,然后应用透射电子显微镜、能谱仪、原子荧光光谱仪和图像分析系统等对其特性进行检测.结果所得纳米As2O3磁性脂质体粒径为(190±80) nm,球形或卵球形, 有一个明显磁性核心,As2O3的包封率为53.0%.所以此改良法制备出的纳米As2O3磁性脂质体粒径较小、稳定性好和药物包封率高,有可能作为一种较理想的肿瘤靶向治疗复合载体发挥药物和磁感应加热的联合定向治疗作用. 相似文献
450.
采用固相法、共沉淀法和燃烧法分别合成出了LiNi0.5Mn0.5O2正极材料粉,利用XRD、SEM和扣式电池测试对材料的结构、形貌和电化学性能进行了表征. 结果表明:固相法产物有杂相出现,共沉淀法产物球形度较好,燃烧法颗粒较细,电性能最好,首次放电比容量为145.5 mAh/g(2.75~4.3 V). 相似文献