电流变液的固态结构

电流变体系在外场作用下形成一定的固态结构,而其性能与所形成的结构密切相关.不考虑体系非静电力时,体系自由能为静电能的负值,而静电能与有效介电常数成正比.基于Maxwell-Wagner模型,推导出有效介电常数关于颗粒体积比的一系列正幂项解析表达式,计算球颗粒悬浮于介质或导电液体中构成的3种立方结构的有效介电常数.计算结果表明:电流变体系中球颗粒为介质球或是导体球构成3种立方结构中FCC结构具有最低的自由能.电流变液在由液相向固相转变的过程中,形成的固态结构为FCC结构.     

高k栅MOSFET栅–源/漏寄生电容的半解析模型

文章针对高k栅MOSFET的栅介质层及其侧壁掩蔽层提出了一个二维定解问题,求出了二维电势和电荷分布.文章根据栅极电荷与栅源及栅漏电压关系,提出了MOSFET的栅极和源极/漏极之间的寄生电容的模型,用半解析法计算了这些寄生电容,得到了寄生电容与几何尺寸之间的关系.文章的计算结果表明改变栅极电介质常数可以得到一个寄生电容的最小值,计算结果与CST仿真结果能够很好地符合.     

液中放电沉积技术研究进展

液中放电沉积是一种新型的表面改性技术,起源于电火花加工技术,可在金属表面制备出具有高硬度、高耐磨性以及高结合力等优良性能的沉积层。此外,该技术不污染环境,有望替代部分常用但具有污染性的表面改性技术。液中放电沉积技术的核心内容为沉积层形成机制、工具电极材料以及介电流体成分。简单介绍了液中放电沉积技术的特点,重点阐述了沉积层的形成机制以及缺陷优化工艺,并从工具电极材料、介电流体成分和实际生产应用三个方面总结了液中放电沉积技术的国内外研究进展,展望了该技术的发展方向。     

微波辅助萃取的微波吸收系数与吸收功率密度

微波吸收系数和吸收功率密度是反映微波辅助萃取效率的两个重要参量,前者代表了溶液对微波能的整体吸收比率,后者代表了溶液中某一点处微波能转化为热能的强度.文中根据微波在介质中的传播规律,导出了微波吸收系数与溶液复介电常数间的关系式;并以微波与物质相互作用的基本原理为基础,导出了微波吸收功率密度与物质复介电常数以及空间位置间的量化关系式.所得结论可为微波辅助萃取中溶剂的选择以及特定溶剂中微波频率的选择提供理论参考.     

BST陶瓷异向电磁特性的研究

本文提出了一种构造全介质异向介质的全新方法，根据Maxwell方程组及本构方程中传导电流与位移电流对于物质电／磁偶极短的相同贡献，BST陶瓷中体位移电流取代金属中面传导电流，使得BST陶瓷具有异向电磁特性．从理论和实验上证明了这一理论的正确性．     

ZnCr_2O_4陶瓷湿度检测新方法应用研究

根据ZnCr2 O4陶瓷的吸湿动力学方程G =Ka×P(H2 O)×t和脱湿动力学方程ln(G) =-Kd×t×exp(Ea/RT)制备一种湿度检测器 ,这种检测器克服了以往应用电阻型湿敏陶瓷来检测湿度时存在的诸多局限 ,确定了湿敏陶瓷在大范围温区湿度的定量检测 ,用这种检测器来考察土壤的吸、脱水功能 ,能较为简便地识别该土壤的保水抗旱能力 ,确定其是否适合于农作物的生长 .制备的这种湿度检测器还为解决粮食的防湿保质问题提供了一条切实可行的途径 .     

论宋代陶瓷刻划花装饰的艺术特征

陶瓷刻划花装饰是指在尚未干透的坯体表面上，用竹制或铁制工具来刻划出各种深浅、面积不同的纹饰。本文以在陶瓷坯体表面不同的刻画技法作为观察对象从制作工艺的角度出发。探讨了宋代陶瓷刻划花装饰的艺术特征。     

TiO2对粉煤灰及石英砂制备微晶玻璃组织转变的影响

利用粉煤灰与石英砂制备微晶玻璃，并对其进行不同工艺的热处理．通过对热处理后的试样研究发现：当粉煤灰质量分数为30％，未加TiO2时，试样在780℃加热时首先析出过渡相Ca2SiO。，在随后的高温晶化过程中，过渡相溶解消失，析出更稳定的平衡相钙长石；当TiO2质量分数为0—15％时，随着TiO2含量的增加，在780℃加热时由析出梭形的Ca2SiO。微晶转变为析出粒状的钙长石微晶；当粉煤灰质量分数增加到40％，TiO2质量分数为3．5％时试样中出现网状微晶组织，而加入的形核剂TiO2质量分数达到5％时试样中无网状微晶组织出现，说明TiO2对网状组织的析出具有明显抑制作用．     

电介质中两点电荷间的作用力分析

分析了点电荷在无限大均匀电介质中的受力问题,对球形点电荷的受力给出了具体计算公式,对任意形状点电荷的受力也进行了讨论。     

PbO过量对大各向异性改性PbTiO_3性能的影响

研究了一种新型的具有大各向异性的改性PbTiO3 陶瓷材料的性能随着材料制备中铅过量的变化而变化的关系 ,其中包括材料的机电耦合系数、机械品质因素、介电损耗等 .研究结果表明当铅过量为 1%～ 2 % (摩尔百分比 )时 ,材料的性能达到较佳 .通过分析认为 :当铅不足时 ,主要是由其它的B位掺杂离子取代A位的铅 ,从而造成配方B位离子的重新排列 ,材料的性能因而有所下降 ;当铅过量时 ,铅离子将取代A位的钙 ,部分钙离子将进入晶界 ,从而降低了材料的性能