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42.
我们用等效介质理论计算了层间有反铁磁交换的侧向晶格。当外场垂直于磁性或非磁性层时,在这种超晶格中存在两种磁序:反转自旋(flop)和平行自旋磁序。我们发现,这两种磁序的表面模的频率随外场和层间耦合的变化情况很不同。前一种磁序中,模式的频率对层间耦合非常敏感,我们还发现使表面模存在的两个外场临界值。 相似文献
43.
本文分析二种指向仪器──磁罗经和陀螺罗经存在的问题和不足。根据磁罗经的指北原理、陀螺罗经高性能的特点和磁感器敏感磁束的特性,提出一种新型指向仪器的设想,并对新型罗经的各种问题进行初步的探讨和研究。 相似文献
44.
45.
46.
47.
本文对微小浮动间隙的磁头浮动块的动态浮动性能进行了仿真计算。在考虑头盘碰撞的基础上,分析了磁头浮动块对冲击的响应。分析结果表明:在微小浮动间隙的头盘系统中,盘片表面粗糙度和外界干扰冲击对浮动块的浮动性能影响较大。新的动态浮动理论中,必须包含头盘磁撞的研究。 相似文献
48.
本文给出了球坐标系下圆形电流回路磁感应强度(?)的一般表达式。进而讨论得出圆电流平面上圆心处(?)有最小值,而且无论圆内或圆外(?)可用同一表达式表示的结论。 相似文献
49.
本文在条件下,根据自旋玻璃杂质间RKKY短程关联作用,提出二维自旋玻璃的渗流模型,分析转变温区自旋集团的行为,说明磁化率的尖拐状峰值和比热的膝盖状峰值,同时解释两者在磁场下的变化趋势。 相似文献
50.
硫可以用作生长促进剂制备具有不同形态的碳纳米结构, 例如: Y型和海胆状结构, 单壁碳纳米管(SWCNTs), 双壁碳纳米管薄膜等. 此外, 研究表明低浓度的硫和低气体流量可实现碳纳米管中高压Fe7C3和Fe5C2相晶体的填充. 然而, 碳纳米管中高压相的填充条件以及连续垂直取向的碳纳米管薄膜的合成和形貌控制的条件尚需进一步研究. 本文采用化学气相沉积(CVD),使用硫和二茂铁的混合物作为生长促进剂和碳源, 在氩(Ar)气环境中将Si/SiO2基底作为局部生长区域, 实现了在碳纳米管内填充碳化铁相, 并通过对所得碳结构进行详细表征, 揭示填充的碳化物相(Fe5C2和Fe7C3)之间可能存在结合, 这些结果在磁数据存储方面将有潜在应用. 相似文献