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21.
22.
本文用镜像法分析再生过程中,从施加在记录磁介质上的记录磁化强度析出的磁通和耦合到再生磁头的磁通,根据两种回路磁阻不同的影响计算出交链于再生磁头线圈中的磁通.由此可求得,当具有模拟信号的记录磁介质进入再生磁头的前部空间时所产生的再生电压.计算结果表明,再生电压的幅值中包含着许多重要的记录损失参数. 相似文献
23.
从实验及原理上说明了卵磷脂是优良的磁粉分散剂。提出了实验上确定卵磷脂最佳用量的方法。 相似文献
24.
25.
本文讨论了计算铝电解槽磁场的各种数学模型,指出了等效数学模型存在的问题及其在计算中产生误差的原因,提出了提高磁场计算精度应采用实际数学模型,即按母线的实际形状计算各载流母线产生的磁场. 相似文献
26.
本文利用重复镜像法获得了“穿棒法”的二维场模型的解析解.由此证明了在一定条件下若电流偏心,可以在有限范围内使磁场强度有所增强;本文分析讨论了国内外几种磁扮探伤标准中存在的缺陷;以及C.Edwards 和S.B.Palmer 两人认为“磁扬强度与芯棒位置无关”的看法.解析解并为制定合理的标准和正确运用电流偏心法提供理论依据. 相似文献
27.
利用双道析晶动力学实时监测系统(DPMS)和时间延迟摄像显微镜(TLVM)系统,验证了磁场抑制碳酸钙过饱和溶液析晶过程中“磁记忆效应”的存在。根据析晶动力学曲线和TLVM图片,比较了磁处理溶液静置不同时间(10,27,45,70、80h)后“磁记忆效应”的差异,首次提出了“磁记忆效应”存在峰值。TLVM光学实验照片清晰显示:溶液磁处理之后静置时间约30h时,沉析物中文石所占比例最多,方解石和球霰石所占比例最少,从而形成软垢,达到最佳阻垢效果;且还发现磁记忆时间至少可以达80h。 相似文献
28.
本文研究了CoCr垂直磁化薄膜的磁畴随温度的变化。垂直磁化点畴变化为面内磁化羽状畴的转变温度在升温过程中为350℃。本实验测得CoCr膜的居里点T_c约在600℃附近。本文也分析了H_k或K_u随温度的变化要比M随温度的变化更快。这支持了垂直磁各向异性根源主要来自磁晶各向异性。显微照片也显示了自发磁化点畴的尺寸要比膜表面晶粒或膜断面晶柱的尺寸都要大,并都处在单畴状态。 相似文献
29.
本文通过对典型样品的低温磁行为分析探讨了磁化率反映古气候的机制,并尝试把下蜀土剖面磁化率古气候记录与华北黄土及深海沉积的记录相对比。 相似文献
30.
本文测定1-[5-(3-吡啶)-四唑-2-乙酰基]-4-芳基氨基硫脲及3-[5-(3-吡啶)-四唑-2-亚甲基]-4-芳基-1,2,4-三唑-5-硫酮等六种化合物的~(13)C-NMR 谱.各种~(13)C-NMR 化学位移,根据取代基效应,讯号强度以及同模型化合物化学位移对照而确认其归属. 相似文献