IGBT－SPWM变频调速系统的研究

本文介绍一种以ＩＧＢＴ为功率元件的通用型全数字控制的脉宽调制（ＳＰＷＭ）变频装置。采用８０９８单片机和三相高频可编程脉宽控制器ＳＬＥ４５２０为核心的控制系统，改善了ＰＷＭ变频器的性能。实验表明，系统运行平稳，调速平滑，动态性能好。     

光纤的质量检验与切割,粘合流程设计

在计算机控制以及标准光纤的对比下，迎过测量光线在煤质中传播的路径，从而反推其媒质（光纤）的物理性质—折射率，并随时进行必要的切割和粘合．     

GTR饱和区特性及其安全保护

分析了大功率晶体管（ＧＴＲ）饱和区伏安特性,测量了不同驱动条件和工作温度下ＧＴＲ的集电极压降和集电极电流的关系．结果表明,存在一个饱和压降阈值,超过这个阈值后,过流将产生．据此设计了一种快速有效的过流保护电路．     

晶体管参数对高稳晶振频率稳定度的影响

本文利用晶体管混合π型等效电路和振荡器的相位平衡条件，计算出晶体管参数对振荡器频率稳定度的影响，计算结果表明，晶体管发射结电容对频率稳定影响最大，为了减轻这些影响，本文提出了一行之有效的办法。     

低能量Ar~+背面轰击对晶体管电流放大系数和特征频率的影响

在制造硅ｎｐｎ型高频、超高频小功率晶体管管芯和形成铝电极后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大晶体管的直、交流电流放大系数，提高特征频率和使击穿特性变硬。实验结果表明，上述参数的改善，是轰击后界面态密度减小和基区少数载流子寿命增长的结果，而且与轰击时间及束流密度有关。     

MOS场效应管直流模型参数的计算机自动提取

研制成一种由计算机自动提取MOS场效应管直流模型参数的系统。该系统可以精确地提取SPICE电路分析程序所需的全部MOS场效应管直流模型参数,并且将提取出的模型参数所作出的模拟输出特性曲线与实测曲线进行比较。     

小尺寸微波晶体管放大器的设计

通常用微带电路进行微波晶体管电路设计时,在微波的低频段,微带电路的尺寸比较大,给使用带来不便,为了缩小几何尺寸,本文着重讨论利用短微带线加以电抗支节调谐,作微波晶体管放大器级间匹配的设计方法。     

巨型功率晶体管二次击穿检测

概述了双极功率晶体管二次击穿机理.介绍了二次击穿的测试电路和测试方法.讨论了降低电流型二次击穿的方法和防止电流型二次击穿的电路改进措施.     

电流提升CMOS运算跨导放大器

提出了一种设计CMOS运算跨导放大器(OTA)的新电路结构,这种结构是在基本OTA中引入偏置电流提升电路,故称为电流提升OTA。讨论了电路设计方法,并用3μmP阱CMOS工艺制出了器件样品。测试结果表明,这种新结构OTA在输入信号允许范围、—3dB带宽、转换速率等方面均优于基本OTA。作为一个应用实例,用两个电流提升OTA及两个分立电容组成了二阶高通滤波器,该滤波器的截止频率f_O可由电信号连续调节,其可调范围是从10KHz至300KHz。