一种高线性GaAs pHEMT宽带低噪声放大器的设计

针对互补金属氧化物半导体工艺在高频时性能差的缺点,基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管器件,设计了一种用于无线通信系统的宽带低噪声放大器,宽带低噪声放大器的设计采用负反馈来获得平坦的增益和较低的输入输出反射系数。电路版图设计好后利用Advanced Design System 2005进行仿真。仿真结果表明,该放大器在0.3~2.2 GHz频带内,增益高于12 dB,且变化小于3 dB;噪声系数在1.04~1.43 dB之间,输入输出反射系数均小于-10 dB,群延时特性在整个频带内接近线性,且在整个频带内无条件稳定,所设计的宽带低噪声放大器能够很好地满足实际需要。     

基于压控单元的单电子晶体管宏模型

在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上,笔者采用等效电路的方法,提出了基于压控单元的SET宏模型,仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比,得出曲线的走势与理想曲线基本一致,偏差不大.并且通过计算表明,数值的精度在合理范围内,验证了模型的合理性.     

酞菁铜有机静电感应三极管的研制

采用真空蒸镀和磁控溅射等工艺,利用纯度为99.995％的有机材料酞菁铜（简称CuPc）,试制了Cu／CuPc／AI／CuPc／Cu5层结构的有机静电感应三极管。在室温下测试栅极Al／CuPc的肖特基势垒特性,发现它具有良好的整流特性;通过对该三极管特性进行测试研究,结果表明,该三极管驱动电压低,呈不饱和I-V特性,且其工作特性依赖于铝栅极的电压。     

一次性VB1半导体传感器的研究

报道了一种以四苯硼钠为活性物质的一次性VB1半导体传感器.其Nernst响应线性范围为1.0×10-1～1.0×10-5 mol/L;斜率为29 mV/pC;检测下限为2.0×10-6 mol/L.该传感器具有全固化、易微型化和多功能化等优点,可用于测定人尿中VB1的排出量及生物和医学方面的一次性使用.     

浅谈晶体管电路在继电保护中的应用

文章论述了晶体管电路在继电保护中的应用,分析了晶体管电路在现代电力系统中应用的优势及其发展趋势。     

改进型多输出端差动差分电流传送器及其应用

提出了一种新颖的改进型多输出端差动差分电流传送器(MDDCC)及其CMOS实现电路,用计算机仿真方法比较了MDDCC和第二代电流传送器(CCⅡ)的特性;以MDDCC构成了全差分式连续时间电流模式低通及带通滤波器,分析并模拟了所提出的滤波器的特性。仿真结果表明,MDDCC电路兼有差动差分放大器(DDA)和CCⅡ两者的优点,适于实现全集成连续时间滤波器。     

RASTA滤波在语音通信质量客观评价中应用的研究

介绍了在语音通信质量客观评价中使用RASTA（Relative Spectra）滤波的研究结果。通过分别将RASTA滤波与感知线性预测（PLP,Perceptually Linear Prediction)方法和美倒谱（MFCC,Mel Frequency Cepstral Coefficient)方法相结合对通过短波或超短波信道的男女生文件进行拟合研究,均取得了比较好的效果。与PLP方法结合关系数提高了12％,与MFCC方法结合相关系数提高了4％。说明RASTA滤波对信道噪声的低频成分中人耳听不到的部分进行过滤的方法在语音通信质量客观评价中是有效的。     

GaN基高电子迁移率晶体管器件的可靠性及退化机制研究进展

GaN基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）器件在航天、通讯、雷达、电动汽车等领域具有广泛的应用,近年来成为电力电子器件的研究热点。在实际应用中,GaN基HEMT器件随着使用时间的延长会发生退化甚至失效的情况,器件的可靠性问题仍是进一步提高HEMT器件应用的绊脚石。因此,研究器件的可靠性及退化机制对于进一步优化器件性能具有极其重要的意义。将从影响器件可靠性的几个关键因素如高电场应力、高温存储、高温电场和重离子辐照等进行阐述,主要对近几年文献里报道的几种失效机制及相应的失效现象进行了综述和总结,最后讨论了进一步优化器件可靠性的措施,对进一步提高HEMT器件的应用起促进作用。     

一种EEPROM存储单元的读出电流检测电路

针对电可擦除编程存储器(EEPROM)存储单元的读出电流需要被精确检测的问题,该文提出了一种对EEP-ROM存储单元进行工作电流检测的电路,该电路主要用电流镜来搭建,和读出电路中的灵敏放大器相连。在检测时用电流镜电路把灵放的读出电流镜像到电流检测的输出端。模拟结果显示,用这种检测电路来检测读出电流可以取得较高的精度(98.5%)。同时,电路本身结构简单,在实际中易实现。     

MOS器件的热载流子效应

热载流子效应产生的原因，首先是在沟道强电场中形成迁移率偏低的热载流子，然后由于碰撞电离而使热载流子大量增加。热电子和热空穴能够越过界面势垒向栅氧化层发射。进入栅氧化层的热载流子，或者穿透氧化层，或者造成随时间而增加的界面态，或者造成载流子陷阱。热电子或热空穴也可以受结电场的作用而进入衬底。抑制热载流子效应的方向，一是在沟道两侧制作轻掺杂区，以降低沟道电场强度；二是对栅氧化层进行氮化处理和提高氧化温度，以改善氧化层的质量，增强抗热载流子效应的能力。