新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性

研制了一种新模式的半导体场效应晶体第－－垂直沟道的偶载场效应晶体管（VDCFET），这种结构可以避免现有光刻技术的制约，使用常规的半导体双极晶体管工艺，既可把有效沟道长度减短，大大提高器件的速度，又可将电源电压降低到小于1V，大幅度降低功耗，改进其电学性能。本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路。从纵向和横向报道了器件的设计思想，并给出了器件特性的测量结果。     

尼古丁-FET传感器的研制

尼古丁是烟草中最重要的生物碱。本文报导以四苯硼酸尼古丁缔合物为活性材料,研制了尼古丁场效应管传感器,测试了器件的性能参数,获得满意的结果。其线性范围在10~(-1)～10~(-4)mol/l,斜率为56±1mV/pc,适用的 pH 范围在5.5～7.5之间。     

单电子晶体管低频散粒噪声的数值解

在文「１」的基础上，讨论了单电子晶体管在两态情况下，的散粒噪声的行为和噪声谱与各个 电路因子的关系，从而给出了优化单电子晶体管操作环境的一些重要结论：信噪比可以通过调节电路参数而得到抑制，通过调节门电压可以起到降低温度扰动的作用。     

无线局域网语音质量评价的研究

无线局域网的语音应用日益广泛。本文分析了网络语音质量的评价方法，提出了改进的评价模型，使用原始语音数据进行网络仿真评价，得到了不同客观条件下无线局域网语音质量的平均意见得分，分析了不同的播放算法对语音质量的影响。     

Discussion on the relationship between ΔVEB and IE presented in thermal resistance standard IEC60747-7 Version 2000

This paper points out an error in the principle figure and the waveform figure of the thermal resistance standard IEC747-7, which describes the relation between the I-V curves and the temperature. It theoretically proves that the I-V-T curve of the standard contradicts the physical law. This contradiction is also revealed by experimental results. Finally, the correct I-V-T characteristic curve and the waveform figure at two different temperatures for the same transistor is given, which serves as the reference to correct the standard.     

双极晶体管中子辐照后的高温退火特性

利用硅双极晶体管在线监测中子注量,其直流增益和损伤常数是作为探测器指标的重要参数。高温退火可使受到中子辐照的双极晶体管性能部分恢复,进而可以重复使用。开展高温退火特性研究,分析双极晶体管直流增益的恢复程度以及损伤常数的重复性。在快中子脉冲堆上对贴片型3DG121C双极晶体管进行三轮中子辐照,每轮辐照累计注量2.64×10~(13)cm~(-2)。经过第一轮中子辐照后,双极晶体管直流增益下降至辐照前的40%,经过180℃连续24 h的高温退火后,直流增益恢复至辐照前的67%;经过第二轮辐照后,直流增益下降至第二轮辐照前的50%,在相同条件下退火后,直流增益恢复至第二轮辐照前的73%;经过第三轮辐照后,直流增益下降至第三轮辐照前的58%,在相同条件下退火后,其直流增益恢复至第三轮辐照前的87%。三轮实验结果表明:双极晶体管直流增益倒数随辐照中子注量变化的线性关系基本一致,具体表现为其损伤常数具有很好的重复性。利用该高温退火特性,将双极晶体管作为中子注量探测器应用于快中子脉冲堆中子注量在线监测,监测结果与活化箔结果基本吻合。     

基于0．25μm工艺的INMOS管变容特性分析及Hspice模拟

文章对Mos管的变容特性结合现有的文献作了简要分析，以0．25μm工艺的INMos的变容特性作了深入分析，并利用Hspice进行了仿真，对MOS管的变容特性作了深入讨论。并针对VCO电路对Mos的变容区间提出一些合理的建议。     

一套组合式设计性实验——模拟多功能多路报警器

本文从设计模拟多功能多路报警器实验出发 ,对信号接收电路、音响电路、逻辑电路进行设计。不仅能各自为一个设计实验 ,又可组合成报警器设计实验。同时对该报警器的实际应用具有借鉴作用。     

凹槽栅砷化镓金属—半导体场效应晶体管的二维稳态有限元分析

本文叙述用有限元方法对凹槽栅GaAs MESFET’s器件进行稳态模拟的程序。半导体基本方程的离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;有限元网格采用非均匀剖分及局部加密细分,程序能对结点编序优化,缩小带宽,这对凹槽栅器件,优点更为明显;在用耦合法求解非线性方程组中,采用予优共轭梯度法和牛顿迭代法相结合的新方法,对给定的偏压能一次计算成功。