基于SET/MOS混合结构的表决器电路的设计

基于单电子晶体管(SET)的库仑阻塞和库仑振荡效应,利用SET和MOS管的互补特性,提出了一种基于SET/MOS混合电路的新型表决器电路.利用HSPICE对所设计的表决器电路进行仿真验证,仿真结果表明SET/MOS混合电路能够实现表决器的功能.与传统CMOS电路相比,该SET/MOS混合电路使用的管子数目大大减少,功耗...     

高栅压低漏压条件下FG-pLEDMOS的热载流子退化机理

针对FG-pLEDMOS施加高栅压低漏压的热载流子应力会使器件线性区漏电流发生退化,而阈值电压基本保持不变,使用TCAD软件仿真以及电荷泵测试技术对其进行了详细的分析.结果表明:沟道区的热空穴注入到栅氧化层,热空穴并没有被栅氧化层俘获,而是产生了界面态;栅氧化层电荷没有变化,使阈值电压基本不变,而界面态的增加导致线性区漏电流发生退化.电场和碰撞电离率是热空穴产生的主要原因,较长的p型缓冲区可以改善沟道区的电场分布,降低碰撞电离率,从而有效地减弱热载流子退化效应.     

高性能低功耗逻辑电路—MOS电流模逻辑

本文介绍了一种高速低功耗逻辑电路:MOS电流模逻辑电路(MCML),该电路以其独特的差分结构及恒流源偏置方式,在高频电路及数模混合电路中表现出了低电压低功耗及高抗噪的特性,可作为高频应用中新一代高性能低功耗集成电路芯片。     

CoSi2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算，选择适当的注入能量，使注入的杂质浓度峰值位于ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ界面附近，经快速退火，可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型ＮＭＯＳ晶体管。该文还研究了注入在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化，结果表明，磷在热处理过程中，存在向硅衬底较强的扩散趋势，而硼则明显不同。     

基于多通道噪声消除的两级主动噪声控制算法研究

提出在传统的自适应降噪算法的基础上进行改进,发展为两级主动噪声控制( T-ANC)算法,将纯净信号作为参考信号。第一级滤波器的输出是近似的算法输入噪声,将其作为第二级滤波器的参考信号,从而在第二级滤波结束后,得到复原的纯净信号。仿真实验表明,本文提出的算法,有效的弥补了传统的主动噪声控制算法中噪声相关信号作为参考通道难以获取的情况,取得了较高的信噪比增量和降噪量,主观感受音质改善明显。     

Realization of a tunable analog predistorter using parallel combination technique for laser driver applications

This paper describes a new approach for designing analog predistorters that can compensate for the nonlinear distortion of laser drivers in a radio-over-fiber(RoF) system.In contrast to previous works,this paper analyzes the transfer characteristics of CMOS transistors,by combining parallel currents of CMOS transistors in various W/L and negative bias voltages to realize the tunable analog predistortion function.The circuit is fabricated by a standard 0.18μm CMOS technology.The core circuit current consumption is only 15 mA and the entire driver circuit works in a band-pass from 1 ~2.2GHz.Experimental results of two-tone tests have shown that with an analog predistortoer the IIP3 of the laser driver circuit has an improvement of 4.91 dB.     

纺织器材专用VD-MOS高频感应加热装置

采用VD -MOS研制出纺织器材专用串联谐振感应加热电源 .利用锁相技术将逆变器的工作频率锁定在槽路的固有谐振频率内 ,使得该电源始终能运行在负载功率因数为 1的状态 ,运用斩波电路实现功率调节     

具有双n+发射区的MCT

提出一种新型的MOS控制晶闸管结构DNMCT器件。该器件同MCT相比减弱了寄生JFET效应，并利用PISCES-IIB器件模拟软件验证DNMCT具有较好的正向导通电流-电压特性。该结构在一定程度上可缓解器件开关速度与导通压降之间的矛盾。     

内场限环结构LDMOST的耐压分析

文章讨论了内场限环结构ＬＤＭＯＳＴ的参数优化和器件耐压问题，采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式．同时，对ＬＤＭＯＳＴ的优化结构开展了耐压分析．与国外同类工作比较，此方法简便直观，计算结果与二维数值模拟结果符合得较好．     

6.5万彩色显示PM-OLED控制与驱动芯片

为了支持并利用有机发光二极管(OLED)显示技术,设计了一种适用于96×64无源OLED(PM-OLED)的显示控制与驱动芯片。该芯片可以实现6.5万彩色显示和256级对比度调节,驱动方法采用了脉冲幅度调制(PAM)。芯片不但集成了数字和模拟电路,而且兼容高电压和低电压同时工作。测试结果表明:在低压电源为3V、高压电源为12V的情况下,当列驱动单元输出电流为100μA时,驱动电路和显示屏的整体模块功耗约为770mW,所设计的控制与驱动芯片能够正确显示彩色图像。