用 MOS-DYL 电路实现逻辑推理神经元

介绍神经网络的电子学实现方法并分析了用ＭＯＳ－ＤＹＬ电路实现神经网络的优越性。提出了用ＭＯＳ－ＤＹＬ电路实现基本神经元模型的方法，并证明应用其有可能实现逻辑推理功能，最后用专用软件在微机上对上述电路结构进行了仿真，说明设计的可行性。     

FET混频参数的计算

ＧａＡｓＦＥＴ的散射参数与工作状态有关,采用散射参数不能直接求出混频增益．本文介绍一种ＧａＡｓＦＥＴ的混频参数的计算方法．由散射参数求得混频参数,从而求得ＧａＡｓＦＥＴ的混频增益．     

OTA—C连续时间滤波器可编程问题研究

讨论OTA—C连续时间滤波器的数字化编程控制方法。提出用有源电容提升电路取代电容加权阵列,以扩大滤波器参数的调节范围;还提出相应的数字控制电路,并构成可编程低通滤波器的芯片电路框图;用双极型OTA及数字组件构成分离电路进行部分实验,提供了实验结果。     

MeV高能B离子注入Si的退火

报导了在国内实现MeV级能量离子注入的实验研究结果.在n-型Si(100)衬底上使用MeV能量的B离子注入产生p~+-型层和快速形成n-p-n结构.结果表明,经合适退火的样品内部,形成了深掩埋的注入激活层和良好的表面单晶层.采用双重注入的增强退火效应,能更为有效地对高能B离子注入样品实现退火,这对高能离子注入的实际应用有重要意义.     

BJT和FET的三种基本放大电路动态性能比较教学法

探讨了将BJT和FET的三种基本放大电路放在一起进行对比教学的方法。在工程近似分析时，采用低频混合π型等效电路并忽略晶体管的rbb′的情况下，这两种有源器件具有相同的低频小信号电路模型，从而导出了BJT和FET放大电路基本统一的输入电阻，输出电阻和电压增益的表达式，简化了电路分析，提高了教学效率。     

神经元MOS的特性分析

在神经元MOS的基本结构和工作原理的基础上，使用器件的等效电路模型通过HSPICE仿真软件对器件进行模拟，给出了器件的转移特性曲线，得到了器件的“可变阚值”特性，并介绍了该器件在CDMA匹配滤波器及数字PWM发生器中的应用。结果表明，该器件可使电路结构大为简化，器件数目大大减少。最后通过对器件运算精度的分析，得出其运算精度主要受MOS晶体管寄生电容等因素的影响。     

基于MOS电容的压控振荡器设计

传统的环形压控振荡器通常是利用控制电阻的方式来达到压控振荡的效果。文章利用容性耦合电流放大器作为压控振荡器的基本反馈单元,并在输出端增加MOS电容来控制振荡频率;分析了利用饱和区的MOS电容特性来实现压控的方法,并采用Smartspice软件和0.6μm CMOS工艺参数对该压控振荡器进行了模拟;结果表明,这种方法对电路的静态工作点影响很小,输出交流波形的频率稳定度高,有良好的线性调谐特性,达到了预期的效果。     

多孔硅光电特性及其应用

通过对金属铝、多孔硅及单晶硅样品在无光照和有光照两种不同条件下I-U特性的测试,研究了多孔硅光电特性及其应用.结果表明,多孔硅(PS)具有高的电阻率和敏感的光学特性     

多功能汽车电压调节器电路及其芯片设计

提出一种用于汽车发电系统电压调节的新型电路结构．论述了该电路的基本工作原理，着重分析了电路中中心处理单元的工作机理．对电路的集成芯片设计进行了讨论，并给出了由该芯片电路构成的电压调节器装置的主要性能