Interface dipole engineering in metal gate/high-k stacks

Although metal gate/high-k stacks are commonly used in metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs) in the 45 nm technology node and beyond,there are still many challenges to be solved.Among the various technologies to tackle these problems,interface dipole engineering (IDE) is an effective method to improve the performance,particularly,modulating the effective work function (EWF) of metal gates.Because of the different electronegativity of the various atoms in the interfacial layer,a dipole layer with an electric filed can be formed altering the band alignment in the MOS stack.This paper reviews the interface dipole formation induced by different elements,recent progresses in metal gate/high-k MOS stacks with IDE on EWF modulation,and mechanism of IDE.     

移动网络MOS值优化方案研究

平均意见值(MOS,Mean Opinion Score)测试是通过对用户通话习惯的模仿,用评分的方式来真实反映用户通话质量。提高MOS值对于改善当地网络覆盖水平,提高用户感知度有重要的意义。从传输网、核心网侧以及无线网侧两个方面对影响MOS值的因素进行了分析及优化,通过实验验证了无线网侧MOS值优化的关键是要提升当地的无线环境质量。     

VIPer50/50A单片开关电源的原理与应用电路设计

介绍了VIPer5 0 5 0A单片开关电源芯片的主要性能特点和基本工作原理 ,对典型应用电路进行了重点分析 ,最后针对该芯片的实际应用提供了计算机辅助设计的流程图     

实时多媒体通信中话音质量的保证

从网络传输角度,为保证当前基于IP网络、实时话音通信质量,对所采用的方法进行了探讨,并比较了所采用的各种改善方法的优缺点。结合非实时操作系统线程调度的特征,提出在非实时操作系统中运营实时业务的方法。同时介绍了话音音质评估的方法,及对多媒体数据包封包大小的考虑。     

MOS表面反型层少子时变效应研究

为深入研究半导体表面过程，主要针对Ｚerbst方程，用数值拟合法，给出脉冲电压作用下ＭＯＳ器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解，进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式；分子表面少子时变过程，为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具。     

跨导型放大器端口扩展特性

研究跨导型放大器输入端及输出端可灵活扩展的特性，包括输入端和输出端扩展基本原理和方法及多输入端跨导型放大器主要性能并经ＳＰＩＣＥ模拟验证。     

移动通信网络中的IP电话语音质量的仿真方法

提出了宽带移动通信系统中的IP电话语音质量的仿真方法。整个仿真平台由无线链路仿真、系统级性能仿真和VoIP语音质量仿真三部分组成。文中重点介绍了平台中的VoIP语音质量仿真部分。仿真过程中的分组丢失采用Gilbert模型来模拟,话音的MOS分值用PESQ算法来计算。利用该平台对cdma20001x移动通信系统的IP电话语音质量进行了仿真,给出了分组丢失率、突发性连续分组丢失、用户数等与VoIP语音质量的关系。     

一种快速有效提取微波场效应管模型参数的新方法

本文介绍了一种在大的微波系统优化中非常有效的方法——分离法。本文是将总的优化问题化为一系列子优化问题,在每个子优化问题中都用电路响应最灵敏的参数组成目标函数。这样就大大地提高了优化的精度和效率。本文运用分离法的基本原理自编了灵敏度分析程序MICSEN,并利用自编的优化程序MICBFGS,成功地提取了微波场效应管模型参数,其精度比传统方法大为提高,计算时间亦大大缩短。     

一种改进的共源共栅电流源的设计

以基本的镜像电流源电路结构为基础,通过改进提出了一种改进的共源电流源,并应用到1.8GHz的VCO中,对VCO的振荡频率与电流源的关系作了研究,并以TSMC0.25μm工艺库在Hspice中进行了仿真,确定了MOS管的尺寸和电流源的静态指标,仿真结果表明基本达到VCO的要求。     

神经元MOS的特性分析

在神经元MOS的基本结构和工作原理的基础上，使用器件的等效电路模型通过HSPICE仿真软件对器件进行模拟，给出了器件的转移特性曲线，得到了器件的“可变阚值”特性，并介绍了该器件在CDMA匹配滤波器及数字PWM发生器中的应用。结果表明，该器件可使电路结构大为简化，器件数目大大减少。最后通过对器件运算精度的分析，得出其运算精度主要受MOS晶体管寄生电容等因素的影响。