X射线透视对MOS电容性能的影响

MOS电容在计算机电路中有着广泛的应用,受X射线辐射后的平带电压和阀电压的飘移,对计算机性能的稳定有着很大的影响.作者利用SOFRON-1505C型X光机,对3种MOS电容CD130,CE28,CG28受X射线后的平带电压和阀电压的飘移量进行测试和分析,从而分析X射线辐射对MOS电容的影响.     

具有超低蜂鸣脉冲固态源的研究

主要研究了双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ增益控制特性，利用双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ第二栅的电压来控制管子网络的增益，利用这种特性实现了脉冲对微波振荡器的调制。利用微带电路研制了结构紧凑、低成本、性能高的ＲＦ脉冲振荡器。该ＲＦ脉冲振荡器可用作小功率脉冲雷达源，特别适用于飞行器上的雷达发射源。     

集成MOSFET跨导结构非线性的谐波分析法

MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管跨导结构是全集成 MOSFET-C连续时间滤波器的基本电阻结构.本文根据导出的 MOSFET 伏安特性的傅里叶公式,提出了失配情况下 MOSFET 跨导结构非线性的谐波分析法,并给出了详细表格以供应用时参考.     

基于场效应管开关阵列的GEM探测器读出方式

为实现探测器信号成像要求,研究一种气体电子倍增膜(gasel ectron multiplier,GEM)探测器的读出方法。采用印刷电路技术,将读出电极盘与场效应管的分立元件组合构成阵列,通过场效应管开关阵列,读出GEM探测器信号,并实现成像。实测表明,该方法的动态范围(最大信号与噪声高宽的比值)可达7.3×104、积分非线性小于0.324%、灵敏度为2.55V/nC、可实现30帧/s的实时成像。该方法具有制作工艺简单、参数可调、成本低等优点,为随后采用厚膜技术及薄膜场效应管技术读出GEM探测器提供了重要的设计依据。     

TFT液晶显示原理

就TFT(Thin-Film-Transistor)液晶显示器的显示原理和驱动原理两个方面进行了总结,首先介绍了液晶的基本知识和物理特性,然后说明了液晶利用旋光特性进行显示的原理,并比较直观介绍了TFT玻璃基板结构、TFT液晶的驱动方式、驱动原理和驱动电路.最后,总结了TFT-LCD在液晶显示领域的应用和发展前景.     

准谐振开关电源高效设计方法

开关电源开关管和控制电路的集成,使电源设计可实现程序化和标准化。通过研究目前消费电子常用的开关电源模块仙童(Fairch ild)KA5Q系列,按照电源设计程序化和标准化的思路,提出了一种步进式理论计算结合经验参数的高效设计方法,并通过实验验证了该设计方法的可行性及有效性。     

面向穿戴或植入式临床应用的ssDNA-GFET纳米生物传感器发展现状

单链DNA探针-石墨烯场效应管（ssDNA-GFET）纳米生物传感器在可穿戴或可植入式临床应用领域有着广泛前景。介绍了现有ssDNA-GFET的应用、标志物检测性能提升方法、真实人体样本溶液中标志物检测,以及面向可穿戴或可植入式临床应用的柔性化研发现状,总结了ssDNA-GFET在投入实际可穿戴或可植入式临床应用前有待解决的问题。     

一种具有过流过热保护功能的大电流开关

设计了一族新型具有过流过热自动保护功能的大电流开关．叙述了主要设计技术，说明了各部分的电路原理，列出了主要元件的参数取值，给出了测试结果，分析了电路特点，指出了设计上的先进性和本开关的应用场合。     

酵母高亲和力铁转运系统主要基因及环境因子对该系统的影响

Fet3基因编码的一种多铜氧化酶和Ftr1基因编码的一种通透酶介导酵母细胞质膜高亲和力的铁吸收,FET3的Fe(Ⅱ）氧化酶活性是酵母高亲和力铁吸收系统必需的,FTR1在铁的跨膜转运中起着直接的作用,其转运底物是Fe(Ⅲ）,O2通过转录因子AFT1的作用和作为FET3的专性底物而对酵母高亲和力的铁吸收系统起着重要的调节作用。     

500 V/11 A VDMOSFET 的研究

在理论分析的基础上,设计制作了５００Ｖ／１１ＡＶＤＭＯＳＦＥＴ芯片,并且进行了失效分析,从而进一步解决了设计和工艺中存在的问题,提高了成品率．最后指出了今后努力的方向．