N2O氮化LPCVD氧化物可靠性的改进

通过与热生长氧化物进行比较 ,对LPCVD氧化物及N2 O氮化LPCVD氧化物的质量和可靠性进行了高场应力实验研究 .发现LPCVD氧化物有比热氧化物低的界面态密度Ditm 及小的应力感应Ditm 的增加 ,但电子陷阱产生和俘获率却表现出增强的性能 ,从而使击穿特性退化 .在N2 O氮化后 ,LPCVD氧化物的Si/SiO2界面和体质量得到很大提高 ,其机理在于N2 O氮化导致界面氮的结合及LPCVD氧化物中H2 副产物的有效排除 .     

4H-SiC MOS电容栅介质经NO退火电流导通机理研究

本文对进行NO退火和非NO退火的SiC MOS电容的栅泄漏电流的导通机理进行了分析,研究表明在高场下经过NO退火和未经过NO退火的样品的栅泄露电流都由Fowler-Nordheim （FN）隧穿决定,经过NO退火的势垒高度为2.67 eV,而未经过NO退火的样品势垒高度为2.54 eV,势垒高度的增加说明了氮化的作用.在中度电场区域,通过拟合分析发现此区域的栅泄漏电流主要由Poole-Frenkel发射（PF）决定,并不受陷阱辅助隧穿trap assisted tunneling（TAT）的影响.同时C-V特性也明显看出NO退火对界面质量的影响.      

EIS型LAPS中Pt/LaF3溶氧敏感单元的物理建模与PSPICE模拟

本主要介绍EIS(Electrolyte—Insulator—Semiconductor)型LAPS(Light Addressable Potentiometric Sensor)中以Pt／LaF3为敏感膜的溶氧敏感单元的物理模型，并用PSPICE模拟了该模型．     

多模式集成MOS方法在精细化温度预报中的应用

利用T213和ECMWF模式产品,对集成MOS预报方法在温度预报方面做了研究试验,并将其与单模式MOS预报方法进行了对比分析.研究结果表明,多模式集成MOS预报方法与传统MOS预报方法相比,预报水平有了进一步的提高,它能同时充分利用多个模式产品的有用信息,吸取其各自的优点,做出更好的预报.在系统程序设计时,给各因子附带...     

MOS晶体管模型参数提取的实验方法探讨

基于CMOS（互补金属氧化物半导体）的集成电路设计在当今集成电路设计中占有很大的比重,MOS晶体管作为CMOS集成电路中最基本的元件之一,其参数的提取在计算机辅助分析中是不可缺少的关键环节之一。文章详细讨论了MOS晶体管众多参数提取的理论基础和实验方法,通过该实验方法的学习和应用,可以使学生对MOS晶体管有更深的认识,同时也对CMOS集成电路设计打下扎实的基础。     

基于MOS管PDE模型的RF电路瞬态包络仿真算法分析

提出了以谐波平衡技术为平台,基于RF电路中MOS晶体管PDE模型的混合域瞬态包络仿真算法,解决了将MOS晶体管的PDE模型与表征电路系统的ODE耦合在一起进行数值求解的问题,并以一个功放电路为例说明了这种仿真技术的有效性。     

用比例差分方法从NMOSFET输出特性提取界面陷阱密度

在均匀的高电场应力下,MOSFET器件的阈值电压和输出特性的比例差分峰值会有所改变.这是由于在应力过程中产生的缺陷引起的.在本文中,用比例差分方法从NMOSFET器件的输出特性提取了阈值电压、输出特性的比例差分的峰值和界面陷阱密度.得到了阈值电压和比例差分峰值,界面陷阱密度和应力时间的关系.此种方法也适用于PMOSFET器件.这是一个简单而快捷的技术.用这个技术实验数据可以在测量的过程中进行分析.     

MCT特性的PSPICE模拟

通过使用等效电路法，利用国际通用电路模拟软件包PSPICE对新型的电力电子器件MCT进行特性模拟和分析，并对Harris公司的器件MCTV75P60E1进行计算。结果表明该方法简单易行，模拟结果可靠。     

神经网络并行算法型CMOS模数转换器设计

基于神经网络和开关电容技术提出了一种行算法型ＣＭＯＳ模数转换器电路结构，文中详细分析了电路的工作原理，并采用通用电路模拟程序进行了仿真，结果表明转换功能正确，输入电压递增和递减均无错码，转换过程中不需要复位，该转换器充分发挥开关电容精确处理和神经网络并行处理的优点，因而精度高，速度快，而且所需元件少，工艺完全与常规ＣＭＯＳ兼容，是一种有巨大发展潜力的新型ＣＭＯＳ转换器。     

高频全集成MOSFET-C THOMAS-TOW滤波器的极点分析

Thomas-Tow(T-T)电路是有源RC滤波器设计中常用的一种基本二次块,全集成MOSFET-C T-T电路往往采用平衡结构来实现,在高频下工作时,由于MOSFET的分布电容及运算放大器的有限增益带宽乘积(GB)的影响,集成T-T电路的主极点频率ω_0及品质因数Q_0值均会发生明显变化,本文用极点分析方法详细探讨了这些影响,所得出的结论对这类高频集成滤波器的设计有应用意义。