交流法短沟道MOS器件模型参数计算机自动提取

本文介绍了一种新型的交流法短沟道MOS器件参数计算机自动提取技术.它能快速而又精确地提取短沟道MOS器件的源漏串联电阻R_T、表面迁移率μ_0、迁移率退化因子θ、阈值电压V_T、平均表面态密度D_(it)等SPICE模拟程序中的模型参数.对LDD、硅栅CMOS等短沟道MOS器件测试结果表明它还具有抗干扰能力强之特点,是一种LSI-MOS电路制造的有效的CAM手段.     

LSIMOS器件的两维分析

本文应用Gummel自洽场理论对LSIMOS器件进行了两维分析,并开发了相应的模拟软件,模拟结果与实验基本吻合。     

磁电式万用表的保护设计

对磁电式万用表误操作的现象，进行了保护设计研究，并指出彻底解决该问题的方向。     

一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路

基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。     

一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制振荡器

本文提出一种全MOS器件补偿温度和沟调效应电流控制振荡器补偿方法,以减小医疗导联系统通信时钟恢复电路的振荡器的震荡频率偏移。与传统的振荡器相比,该振荡器采用全MOS器件设计温度和偏置电流补偿电路,在增强可靠性的情况下降低了温度和沟调效应引起的频率偏移。电路采用.35um标准MOS工艺设计,通过与传统的振荡器性能进行仿真比较,该方法的震荡频率的偏移量得到明显改善。     

VoIP的质量评价方法与应用

我国基于互联网的IP电话发展很快,但缺乏统一的语音质量评价标准．本文论述了国际上较为流行的IP电话质量评价体系,以及主观评价和客观评价方法,并通过实际测试环境,说明了不同网络条件对于IP电话质量的影响．     

Top-gated graphene field-effect transistors on SiC substrates

We report on a demonstration of top-gated graphene field-effect transistors(FETs) fabricated on epitaxial SiC substrate.Composite stacks,benzocyclobutene and atomic layer deposition Al2O3,are used as the gate dielectrics to maintain intrinsic carrier mobility of graphene.All graphene FETs exhibit n-type transistor characteristics and the drain current is nearly linear dependence on gate and drain voltages.Despite a low field-effect mobility of 40 cm2/(V s),a maximum cutoff frequency of 4.6 GHz and a maximum oscillation frequency of 1.5 GHz were obtained for the graphene devices with a gate length of 1 μm.     

PP/EPDM/MOS无卤阻燃体系阻燃性能的研究

结合碱式硫酸镁晶须(MOS)的阻燃功能,以微胶囊红磷(MRP)为协效剂,制备了无卤阻燃型PP/EP-DM/MOS/MRP共混物,并与PP/EPDM/Mg(OH)2/MRP共混物进行比较;对氧指数(LOI)、垂直燃烧(UL-94)、热重分析(TGA)及锥形量热器(CCT)测试表明:MOS的阻燃效果优于MH,主要是由于在燃烧过程中形成了稳定致密的碳层,对基材起到了保护作用;提出PP/EPDM热塑性弹性体的动态硫化可进一步提高PP/EPDM/MOS/MRP阻燃体系的阻燃性能。     

N沟硅栅集成开关电容滤波器设计分析

本文给出了低通、带通、带阻型 MOS 开关电容滤波器单片 IC 电路设计方法。并用通用电路分析程序进行了模拟分析。本文还提出了一种新型双层多晶 N 沟硅栅 E/DMOS 工艺,它能使电路设计有很大灵活性和高集成度。测试结果表明这种电路具有输出电压幅度大(≥14V_(P-P))、通带平坦、纹波小(≤0.1～0.2dB)、动态范围大(≥75dB)之特点。     

一种CMOS四象限模拟乘法器电路结构

本文提出了一种CMOS四象限模拟乘法器的新电路结构。用SPICE—2G6电路模拟程序,并以MOS晶体管的第二类模型参数对所设计电路进行了模拟。模拟结果表明:当电源电压为±8V时,输入信号范围可达10V;在此范围内,对X方向和Y方向的平衡差动输入信号,电压传输特性的最大非线性误差分别为满度输出的0.81%和0.52%;对X方向和Y方向输入信号的-3 dB带宽分别为0～1.5MHz和0～0.6MHz;在0～1 MHz带宽内的输出噪声电压为1.51mV。