12GHz频段波导传输型FET放大器

本文叙述了应用ＧａＡｓ ＭＥＳ ＦＥＴ直接安装在矩形波导管内，实现波导型二端口场效应晶体管放大的结构；同时，介绍利用Ｓｍｉｔｈ园图进行匹配设计的工程近似法；以及从工程的观点导出噪声系数的转换公式．并把这些结果用于研制１２ＧＨｚ频段ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ低噪声波导传输型放大器。当应用国产ＷＣ—６０型砷化镓场效应晶体管（该管用在５０欧微带放大系统时，测得功率增益为９ｄＢ；噪声系数为２．６ｄＢ）制成一级功率增益ＧＰ≥１０ｄＢ；噪声系数ＮＦ≥２ｄＢ的波导传输型前置放大器，     

无线局域网语音质量评价的研究

无线局域网的语音应用日益广泛。本文分析了网络语音质量的评价方法，提出了改进的评价模型，使用原始语音数据进行网络仿真评价，得到了不同客观条件下无线局域网语音质量的平均意见得分，分析了不同的播放算法对语音质量的影响。     

基于0．25μm工艺的INMOS管变容特性分析及Hspice模拟

文章对Mos管的变容特性结合现有的文献作了简要分析，以0．25μm工艺的INMos的变容特性作了深入分析，并利用Hspice进行了仿真，对MOS管的变容特性作了深入讨论。并针对VCO电路对Mos的变容区间提出一些合理的建议。     

交流法短沟道MOS器件模型参数计算机自动提取

本文介绍了一种新型的交流法短沟道MOS器件参数计算机自动提取技术。它能快速而又精确地提取短沟道MOS器件的源漏串联电阻R_T、表面迁移率μ_0、迁移率退化因子θ、阈值电压V_T、平均表面态密度(?)等SPICE模拟程序中的模型参数。对LDD、硅栅CMOS等短沟道MOS器件测试结果表明它还具有抗干扰能力强之特点,是一种LSI-MOS电路制造的有效的CAM手段。     

N 沟硅栅集成开关电容滤波器设计分析

本文给出了低通、带通、带阻型 MOS 开关电容滤波器单片 IC 电路设计方法。并用通用电路分析程序进行了模拟分析。本文还提出了一种新型双层多晶 N 沟硅栅 E/DMOS 工艺,它能使电路设计有很大灵活性和高集成度。测试结果表明这种电路具有输出电压幅度大(≥14V_(?))、通带平坦、纹波小(≤0.1～0.2dB)、动态范围大(≥75dB)之特点。     

电流模式MOS A／D转换神经网络的研究

从Ａ／Ｄ转换基本规则出发，提出了一种电流模式ＭＯＳＡ／Ｄ转换神经网络，并对该网络进行了分析研究，导出确定权值的公式。网络权值易存贮且调节简单。用ＰＳＰＩＣＥ对４－ｂｉｔＡ／Ｄ转换网络进行仿真，并对采用分立元件的构成的３－ｂｉｔＡ／’Ｄ转换网络进行了实验。     

高阻硅衬底MOS结构共面波导的偏压特性

提出一种新型高阻硅(电阻率ρ>8kΩ.cm)衬底MOS(metal-oxide-semiconductor)结构的凸起式共面波导。给出了其在50MHz～40GHz频段的插入损耗和回波损耗测试结果,以及在-40V～+40V直流偏压下散射参数的变化。结果表明,随着偏压的变化,回波损耗在Ka波段极值点的频率和幅值均会产生偏移,插入损耗极值点的频率基本没有偏移,只存在幅值偏移。共面波导的损耗偏移与MOS结构的Si-SiO2界面效应有关,在凸起式共面波导损耗的偏压实验中,观察到与传统MOS结构共面波导相反的曲线,并尝试给出了理论解释。该文设计的共面波导在35GHz下实现了小于-0.010dB/mm的损耗,优于Ka频段硅衬底共面波导已报道的结果。     

基于开关电容的10阶Butterworth滤波器的设计和仿真

用开关电容电路在模拟集成电路的设计中取代电阻,具有电路规模小、功耗低、工艺过程比较简单、易于大规模集成等优势,本文应用开关电容电路技术对10阶Butterworth滤波器进行变换和简化,计算机模拟说明,其结果与理论计算值相符,更利于集成.     

基于FPGA的数字幅频均衡器的设计

本系统利用FFT快速傅里叶变换技术,完成20Hz～20kHz信号从时域到频域的变换.系统采用FPGA＋MSP430单片机的双核协同工作方式;其中,FPGA作为核心处理器完成FFT快速傅里叶变换,包括各个频点的峰值取样及幅频均衡和处理后的信号重建;而超低功耗单片机MSP430作为协处理器提供友好的人机显示界面,两个处理器能够相互结合工作,各发挥其优点,因此较出色地完成了数字幅频均衡功能.经调试并实测,效果良好.