影响未来生活的科技

强劲PC只有手掌大小,家电控制尽在掌握,把显示器像报纸一样卷起来带走,连电子表都可以接收信息……这一切你可能连想都想不到,但是在不久的将来,这些可能就是你生活中随处可见的东西。     

以氧化铝薄膜作为栅基绝缘层的场效应管

场效应晶体管是薄膜型结构，其绝缘层的介电常数、致密性和厚度对晶体管的性能影响很大。通常使用的二氧化硅绝缘层的介电常数较低，而氧化铝不但介电常数高，还具有低渗透性、高热稳定性等优点。但至今还没有以氧化铝作为栅极绝缘层包覆一维纳米材料的实验报道，主要是因为氧化铝熔点非常高，无法采用常规技术制作氧化铝绝缘层。中科院化学所有机固体重点实验室刘云圻、朱道本研究组与胶体、界面与化学热力学重点实验室韩布兴等合作，利用超临界流体技术简单、高效地将氧化铝不连续地包覆在碳纳米管表面上。     

影响晶体管开关电路脉冲波形的分析

开关电路是脉冲数字系统中常用电路之一,由于负载电容及晶体管的结电容的影响,使输出波形的上升和下降时间延长,从而限制了该电路的工作速度。本文分析了容性负载对开关电路脉冲波形的具体影响,并提出了一些改善措施。     

硅单晶杂质补偿度对超高反压大功率晶体管耐压特性的影响

一、引言 超高反压大功率晶体管DF104是电视机的重要电子器件。提高其质量和合格率是发展国产电视机的重要课题之一。在严格的器件设计和工艺条件下,采用低补偿度的优质硅单晶材料,能有效地提高这晶体管的击穿电压及其合格率,从而降低其成本。 实验用的衬底硅单晶片是电阻率大体相同(P≈80Ωom)的N-Si。实验时,从同一硅单晶锭切下硅片,用55K低温霍尔法和迭代法抽样检测其杂质补偿度K,再将和抽样检测样品相邻的硅片,经严格抛光清洗之后投片生产晶体管。每次生产条件严格保持相同。对生产出的晶体管,统测其耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)及其合格率ξ,η等。合格率ξ和η分别定义为耐压≥某额定耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)的成品数对总成品数之比。     

凹槽栅砷化镓金属—半导体场效应晶体管的二维稳态有限元分析

本文叙述用有限元方法对凹槽栅GaAs MESFET’s器件进行稳态模拟的程序。半导体基本方程的离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;有限元网格采用非均匀剖分及局部加密细分,程序能对结点编序优化,缩小带宽,这对凹槽栅器件,优点更为明显;在用耦合法求解非线性方程组中,采用予优共轭梯度法和牛顿迭代法相结合的新方法,对给定的偏压能一次计算成功。     

交流法短沟道MOS器件模型参数计算机自动提取

本文介绍了一种新型的交流法短沟道MOS器件参数计算机自动提取技术。它能快速而又精确地提取短沟道MOS器件的源漏串联电阻R_T、表面迁移率μ_0、迁移率退化因子θ、阈值电压V_T、平均表面态密度(?)等SPICE模拟程序中的模型参数。对LDD、硅栅CMOS等短沟道MOS器件测试结果表明它还具有抗干扰能力强之特点,是一种LSI-MOS电路制造的有效的CAM手段。