结型场效应管放大器的计算

本文提出一种通过绘制通用转移特性曲线和通用跨导特性曲线来计算结型场效应管放大器的 方法，由于此法能适应不同型号的场效应管，使放大电路的计算得到简化。     

功率晶体管背面金属化研究

本文对比研究了磁控溅财、化学镀镍和蒸发等不同方法制备的背面金属化层对功率晶体管性能的影响。结果表明，采用磁控溅射方法制备的银系多层金属电极能显著降低功率晶体管的热阻，减小饱和压降和改善在电流特性。特别是，间隙工作寿命试验超过38000次以上，达到高可靠质量要求。文中还研究了金属化层制备中芯片背面状况对晶体管性能的影响。     

高阻硅衬底MOS结构共面波导的偏压特性

提出一种新型高阻硅(电阻率ρ>8kΩ.cm)衬底MOS(metal-oxide-semiconductor)结构的凸起式共面波导。给出了其在50MHz～40GHz频段的插入损耗和回波损耗测试结果,以及在-40V～+40V直流偏压下散射参数的变化。结果表明,随着偏压的变化,回波损耗在Ka波段极值点的频率和幅值均会产生偏移,插入损耗极值点的频率基本没有偏移,只存在幅值偏移。共面波导的损耗偏移与MOS结构的Si-SiO2界面效应有关,在凸起式共面波导损耗的偏压实验中,观察到与传统MOS结构共面波导相反的曲线,并尝试给出了理论解释。该文设计的共面波导在35GHz下实现了小于-0.010dB/mm的损耗,优于Ka频段硅衬底共面波导已报道的结果。     

工作于亚阈区的纯MOS管基准电压源的研究设计

本文旨在设计一种无三极管无大电阻无运放的纯MOS电压基准源,采用的方法是利用工作在亚阈值区的NMOS和自偏置的共源共栅NMOS组合。采用CSMC(华润上华)0.5 umBiCMOS工艺,在MOS工艺角sf、27℃,得到输出基准电压为1.520 V,电路功耗仅200 nA,在温度范围(-20℃～100℃)内的温度系数为31.33 ppm/℃.     

基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器

基于单电子晶体管(SET)和PMOS管串联产生的负微分电阻(NDR)特性,提出了一种新型的SET/CMOS反相器.该反相器利用NDR特性与NMOS负载管的电流-电压特性构成两个单稳态点,实现反相功能.应用HSPICE仿真器,采用精准的单电子晶体管的子电路模型及22nm CMOS预测技术模型对该反相器进行仿真,结果表明:该反相器的功能正确,具有比传统CMOS反相器更低的功耗;与其它单电子反相器相比,该反相器可在室温下实现输出电压全摆幅,且具有较低的传输延迟.     

浅谈双极工艺生产中开关时间的控制

通过对双极晶体管生产工艺的理论分析,结合在双极磷扩线上实验所获得的数据,阐述双极晶体管的生产工艺中开关时间的控制因素,以及提高开关速度的途径.     

聚硒吩类导电高分子的合成、性能及应用

作为聚噻吩类似物,聚硒吩类材料具有带宽低、迁移率高、氧化还原电位低等优于聚噻吩类材料的特性,在电致变色、场效应晶体管、光伏电池等多个应用领域展现出良好的应用前景,近年来又重新引起了科学家们的关注,并在部分领域实现了性能上的重大突破。本文围绕硒吩类化合物的合成、聚硒吩类材料的制备、性能及其应用等方面系统总结了聚硒吩类导电高分子近十年来的研究进展,并简要探讨了当前的研究困难及下一步的发展方向。     

Pd/Pt修饰的AlGaN/GaN HEMT器件氢传感特性研究

制备了Pd/Pt修饰的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件.对器件的氢传感特性测试表明,Pd/Pt合金修饰的器件的氢响应和响应(恢复)速率要优于Pd和Pt单独修饰的器件,Pd和Pt质量比为2 mg∶1 mg的氢传感器具有最佳的氢传感性能.对吸附平衡的稳态分析进一步证实了这一结论.室温下氢体积分数为0.1%,氢气通入流速为200 mL/min时,Pd/Pt(2 mg∶1 mg)样品的电流变化为0.249 mA,响应时间和恢复时间分别为41 s和42 s.此外,测试温度增加到55℃也进一步提高了器件对氢气的响应和响应速率.     

电子时代的奠基人和两次诺贝尔物理学奖获得者——巴丁

1997年12月和1998年1月是晶体管发明50周年.晶体管的发明打开了电子明代的大门,50年代未集电路、大规模集成电路乃至超大规模集成电路的研制成功,使计算机得到了极大的发展和提高.当今信息产业已成为世界的主导产业,而信息产业的基础可以说晶体管,所以晶体管的发明意义不亚于工业革命.晶体管的发明者之一——J.巴丁是一位固体理论物理学家,正是由于他在晶体管研制过程中,从理论上提出了表面态理论,开辟了研究方向的新思路,最终导致了晶体管的发明,十年后他又因提出超导性理论,第二次没荣获诺贝尔物理学奖.