分子电子学

作为纳米电子学的一个重要分支，分子电子学在近年来得到了巨大的发展，并成为国际上研究的热点。本文介绍了各种分子器件的制作技术及基本工作原理，回顾了近年来分子电子学的最新进展，展望了分子电子学的未来发展。     

不同类型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应损伤机制

文章研究了双极晶体管不同温度的低剂量率辐射损伤增强效应，发现NPN晶体管与PNP晶体管的低剂量率辐射损伤机翻是不相同的．最后文章讨论了其中可能的内在机制。     

脉冲电化学齿轮光整加工电源设计与研究

脉冲电化学齿轮光整加工工艺具有加工效率高、成本低、表面质量好等特点，其实现的关键环节之一是高频、大功率脉冲电源，因此介绍了脉冲电化学齿轮光整加工工艺的原理及特点，论述了脉冲电源的构成原理及设计思路，设计制造出基于现代电力电子器件——绝缘栅双极晶体管(IGBT)的高频、大功率脉冲电源；应用该电源进行齿轮脉冲电化学光整加工试验，得到了满意的结果。     

低能量氩离子束轰击改善双极型晶体管的噪声特性

在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后，采用低能量氩离子束轰击芯片背面，能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数。实验结果表明，晶体管低频噪声系数的下降与硅-二氧化硅界面的界面态密度的减小有关，而其高频噪声系数的下降是特征频率和电流放大系数增加的结果。     

利用背面Ar+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性

研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（n-MOSFET)线性区的特性，用低能量（550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面，能有效地改善其线性区的直流特性，如跨导，沟道电导，阈值电压，表面有效迁移率以及低频噪声等，实验结果表明，随着轰击时间的增加，跨导，沟道电导和表面有效迁移率光增大，然后减小，阈值电压先减小，随后变大；而低频噪声在轰击后明显减小，实验证明，上述参数的变化是硅－二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。     

电阻栅MOSFET电流模型分析

本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ－ＭＯＳＦＥＴ一级近 下电流模型的解析表达式。并对其物理机制进行了分析讨论。     

雪崩晶体管产生窄脉冲用于探地雷达

雪崩晶体管产生窄脉冲用于探地雷达于东海（东南大学毫米波国家重点实验室，南京２１００１８）近年来，晶体管在雪崩区的运用越来越广泛，采用雪崩效应后，可以很方便地产生具有毫微秒甚至亚毫微秒上升时间以及很大峰值功率的脉冲．由于专用雪崩晶体管的出现，使得实用的...     

基于生物光敏蛋白细菌视紫红质膜的光子晶体管的模型

生物光色材料细菌视紫红质（ｂＲ）分子的光循环具有两个主要光活性态－基态Ｂ（５６８ｎｍ）和最稳中间态Ｍ（４１２ｎｍ）。用它们吸收带波长的光照射ｂＲ将分别引起分子的异构（Ｂ→Ｍ）和复构（Ｍ→Ｂ）光反应。本文首先研究了化学增强ｂＲ膜的互补调制饱和吸收，即多光束照射引起Ｂ、Ｍ各态粒子数比例变化，多光束之间互补调制输出光强。研究发现，当５６８ｎｍ和４１２ｎｍ双光束同时入射长Ｍ态寿命的ｂＲ膜时，存在阈值光强Ｉ     

未知掺杂MOS结构少子产生寿命空间分布研究

本文采用线性扫描法测定未知掺杂ＭＯＳ结构少子产生寿命空间分布，结果表明，本方法是简单准确的。     

垂直氮化镓功率晶体管及其集成电路的发展状况

氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,因其优越的性能,例如高电子迁移率、高电子饱和速率、耐高温及高热导率等优点吸引了越来越多的关注.也正是因为这些优点,垂直氮化镓功率晶体管在未来的电力电子领域中具有很大的发展和广泛的应用前景.本文列出了氮化镓材料和其他半导体材料主要的物理参数、氮化镓单晶制备及其外延生长的主要方法,阐述了氮化镓功率器件在目前环境下的优势.针对器件结构,列出了横向器件本身存在的问题和垂直器件的优点,解释了垂直器件为何能够成为未来功率器件的主流结构.在此基础上,详细介绍了氮化镓电流孔径垂直晶体管、垂直氮化镓沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管、基于原位氧化物氮化镓夹层的垂直沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管和垂直氮化镓鳍式场效应晶体管的结构、工作原理、研究进展及所存在的一些问题,并将文中所提及的垂直氮化镓功率晶体管的性能参数按器件种类和时间顺序进行归纳为未来氮化镓功率晶体管的发展提出了大致的方向.针对集成电路系统,归纳了氮化镓功率器件在驱动芯片方面的特殊要求和关键技术.最后,针对当下的市场环境,列举了垂直氮化镓功率晶体管在中、低压范围内比较热门且发展前景较好的应用场景.