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41.
采用水基热分解法在SiO2/Si基底上制备了钛酸铅和掺镧钛酸铅铁电薄膜。详细研究了以水为溶剂,将铅盐和钛醇盐等直接加入到溶剂中制成先体溶液,测量溶液的DTA-TGA曲线和透光率曲线;对薄膜作XRD和SEM分析,并对其结果进行了简要讨论了测量了室温下薄膜介电性能和铁电性能。 相似文献
42.
《华东理工大学学报(自然科学版)》2012,40(1)
通过固相反应法制备Mn、Zr共掺杂钛酸锶钡/氧化镁陶瓷粉体,经干压成型后在空气气氛中于l450℃烧结4h,通过扫描电子显微镜和X射线衍射研究了ZrO2和MnO2共掺杂的Bao6Sro4TiO3/MgO复合陶瓷材料的微结构和介电性能。结果表明:Zr02可以显著降低材料的介电常数和介电损耗,有效提高了陶瓷材料的温度稳定性;随ZrO2添加量的增加,体系的晶胞参数略有增加,MgO在钛酸锶钡中以独立相的形式存在:制备出的BST铁电陶瓷材料的25℃相对介电常数较低(&〈110),介质损耗小于1.0×10^-3(在频率为10kHz时),温度系数小于6.012×10^-3,可调性大于20%(8.0kV/mm),适用于制作移相器。 相似文献
43.
王昱 《西北民族学院学报》2012,33(4)
目的:探讨油橄榄叶提取物(OLE)对铅中毒小鼠肌肉组织DNA甲基化水平和抗氧化能力的影响.方法:选健康小鼠,每日灌胃醋酸铅溶液的同时灌胃不同剂量的OLE进行治疗,连续用药30d,检测肌肉组织DNA甲基化水平、超氧化物歧化酶(SOD)、谷胱苷肽过氧化物酶(GSH-PX)活性和丙二醛(MDA)含量.结果:与模型对照组相比,小鼠灌胃OLE后肌肉DNA甲基化水平和MDA含量降低,SOD和GSH-PX活性升高.结论:OLE对铅中毒小鼠有一定的疗效,能影响肌肉组织DNA甲基化水平和抗氧化能力,阻止铅对肌肉的毒性. 相似文献
44.
热处理过程对纳米钛酸钡相变的影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
文中采用超重力反应沉淀法制备35nm的钛酸钡粉体, 并在不同温度下对粉体进行热处理, 研究了热处理过程对粉体立方→四方相变的影响。实验结果表明: 当热处理温度高于900℃时, 钛酸钡晶体结构由立方相转变为四方相, 同时粉体的粒径和四方率迅速增大, 在1 000℃时, 分别达到0.15μm和1.009;热处理过程中钛酸钡相变过程取决于粉体的粒径而与存在于晶粒中的OH-缺陷无关; 借助于空位缺陷理论和扩散传质模型, 解释了高温热处理过程(>900℃)钛酸钡粒径迅速长大的原因。 相似文献
45.
以乙酸钡、钛酸四丁酯为原料,采用微波辅助溶胶-凝胶法制备La3+掺杂钛酸钡,通过物相分析、电镜分析、红外分析及电化学分析等手段,研究其晶胞结构与电化学性能的改变. XRD分析表明:La3+掺杂可以增大钛酸钡的晶胞体积、晶格常数a.扫描电镜分析显示:样品直径约50~200纳米的颗粒,为更小的粒子团聚而成,粒径不均匀,有团聚.红外光谱分析表明:制得的样品具有钙钛矿的钛氧八面体结构.电化学分析表明:La3+掺杂的钛酸钡可以增大钛酸钡的储电性能,随着La3+掺杂量的增大,储电量逐渐增加.当La3+掺杂量达到0.002时,储电性能达到最优,随着La3+掺杂量的增大,储电性能逐渐降低,但仍然比纯钛酸钡的储电性能好. 相似文献
46.
采用真空烧结使 Sr Ti O3 系基片充分半导化,研究了氧化物( Na2 O)及其它两种复合氧化物( Pb O Bi2 O3 B2 O3 、 Mn O Bi2 O3)为扩散剂对半导化的( Sr Ca) Ti O3 基陶瓷压敏、介电特性及显微结构的影响 相似文献
47.
二氧化铅电极的制备及其应用 总被引:10,自引:0,他引:10
王惠君 《浙江海洋学院学报(自然科学版)》1999,18(2):165-167
介绍了PbO2电极的发展简史,电极的制备方法和电化学特性,以及在有机和无机工业生产中的应用。 相似文献
48.
49.
评述了1996-1999年间报道的水中Hg、Cr、Cd、As、Pb测定方法情况,内容包括分光光度法、电化学法、原子吸收光谱法及其它分析方法。 相似文献
50.
采用sol-gel法在SiO2/Si衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)薄膜.利用湿法化学刻蚀技术对BST薄膜进行图形化.通过实验结果对比,选择HF/HNO3/H2O2/H2O(体积比为1∶20∶50∶20)的混合液作为最佳刻蚀液.扫描电镜(SEM)结果表明,刻蚀后BST薄膜表面干净,无残留物,图形轮廓清晰.原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)结果显示,刻蚀后BST薄膜表面粗糙度增大,结晶性退化.对刻蚀后的薄膜在600℃后退火处理,能要在一定程度上恢复其表面形貌和结晶性.应用优化工艺制备BST薄膜阵列,采用剥离法将Au,Ni/Cr和Pt/Ti电极进行微图形化.最后,成功地制备了Au/Ni/Cr/BST/Pt/Ti/SiO2/Si结构的8×8元的红外探测器阵列. 相似文献