添加剂对SrTiO3系高压介质介电性能的影响

研究了添加剂对 Sr Ti O3系高压介质介电性能的影响规律 ,并对各种添加剂的作用机理进行了解释。结果表明 Mn O2 的加入能降低介质的介质损耗 ,Dy2 O3的加入能提高介质的介电常数 ,Ca Ti O3、Mg Ti O3、Ni O的加入能降低该材料介电常数的温度变化率。     

钛酸钠纳米线的制备及其性能

利用水热法制备钛酸钠(Na2Ti3O7)纳米线,并研究了该材料制作湿敏传感器的特性.结果表明:该传感器的特性较好,响应和恢复时间分别为5s和6s;当工作频率为20Hz,相对湿度在11%～95%变化时,该传感器的电阻变化为5个数量级,且电阻与相对湿度变化间的线性关系较好.     

Ba_(1-x)Sr_xTiO_3·yLa_2O_3固溶体的合成、结构与性能

用化学掺杂方法合成了Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３和Ｂａ０９Ｓｒ０１ＴｉＯ３·ｙＬａ２Ｏ３（０≤ｘ≤１,０≤ｙ≤０３）系列固溶体超细粉末。ＸＲＤ证实,当ｘ＝１,ｙ＝０时,为四方晶系ＢａＴｉＯ３纯相,当０＜ｘ＜１,０＜ｙ≤０３时,得到一系列完全互溶固溶体,结果符合Ｖｅｇａｒｄ定律。ＳＥＭ观察粒子为球形,大小均匀,粒度０２～０３μｍ,制陶实验发现,钛酸钡经化学掺杂后,室温介电常数显著提高,当ｘ＝０１,ｙ＝００２时,ε可达３００００,比ＢａＴｉＯ３纯相的室温介电常数提高２０倍。     

射频磁控溅镀掺杂铜对钛酸锌薄膜中相变化及微结构的影响

探讨了ZnTiO3薄膜掺杂Cu元素对于薄膜性质、相变化与微结构之影响.实验是在一定温度下以射频磁控溅镀系统将铜沉积于ZnTiO3陶瓷靶上,控制沉积于ZnTiO3陶瓷靶上铜含量之后,再沉积掺杂铜的钛酸锌薄膜于SiO2/Si基板上.成长出来的薄膜经由ESCA分析得知铜的质量分数分别为0.84%、2.33%和2.84%.从XRD分析常温下掺杂Cu的ZnTiO3薄膜为非晶质态,经过600℃退火后,ZnTiO3薄膜则由非晶质态转变成Zn2Ti3O8结晶相,而未掺杂铜的ZnTiO3薄膜在600℃退火时并没有结晶相产生.ZnTiO3薄膜经过900℃退火后,Zn2Ti3O8相分解成Zn2TiO4相和TiO2相,且ZnTiO3晶格常数因为Cu离子置换至Zn离子的位置有变小的趋势.由TEM分析证实Cu离子与Zn离子的置换,导致晶格应变产生双晶缺陷.经由XRD、SEM和TEM分析得知掺杂太多的铜会抑制TiO2相的生成,而随着过多的Cu析出,晶体平均晶粒慢慢变小晶格应变也随之降低,以致晶格常数回复往原来晶格常数方向趋近.     

金属硫蛋白结合铅离子的竞争反应和置换反应研究

从锌诱导的家兔肝脏中分离纯化得到两种亚型的金属硫蛋白(MTs)：Zn₇MT-Ⅰ和Zn₇MT-Ⅱ,在酸性条件下脱金属得脱金属硫蛋白(apoMTs)。从镉诱导的家兔肝脏中分离纯化得：Zn₂Cd₅MT-Ⅰ和Zn₂Cd₅MT-Ⅱ。采用圆二色性(CD)光谱法和紫外(UV)吸收光谱法研究金属硫蛋白结合铅离子的竞争反应和置换反应。竞争反应显示：Pb²⁺和Zn²⁺竞争结合apoMT-Ⅰ形成的是金属混配的金属硫蛋白;而apoMT-Ⅱ的金属结合位点则完全被Pb²⁺所占据,表明apoMT-Ⅱ对Pb²⁺更为敏感。置换反应显示：Pb²⁺既不能置换出Zn₇MT-Ⅰ中的Zn²⁺,也不能置换出Zn₇MT-Ⅱ中的Zn²⁺;但Pb²⁺能完全置换出Zn₂Cd₅MTs中的Zn²⁺,且其置换行为也存在着亚型上的差异。提示Zn₂Cd₅MT-Ⅱ可能有效地解铅中毒。     

水口山铅锌矿4#金矿体矿石室内试验

对水口山铅锌矿4~#金矿体矿石进行了氰化物和硫脲室内浸出可行性研究,初步试验结果表明,可行性方案为氰化浸出工艺,并研究了氰化浸出工艺浸出剂浓度、氧化剂浓度、液固比等对浸出效果影响,金浸出率超过90％,获得了浸出的合适参数和工艺条件,可为下步现场试验提供参考依据。