钛酸铋晶体的吸收系数与光强的关系

用 2种方法测量BTO晶体的吸收系数随光强变化关系 ,结果表明 ,室温下BTO晶体的吸收系数对光强的依赖关系很大 ,推断BTO晶体存在深能级吸收中心的同时也存在浅能级吸收中心     

微晶粉粒铁电相变中的介电常数

提出了一个理论模型说明现行方法不能观察到微晶粉粒铁电相变介电峰的原因。按照理论预言 ,测量了钛酸锶钡粉料与水混合成两相不均匀系的相变介电峰 ,实验结果与理论公式符合得很好     

分光光度法测定微量铂（Ⅳ）的高灵敏显色反应及其应用研究

研究了２－（３，５－二氯－２－吡啶偶氮）－５－二甲氨基苯胺（３，５－ｄｉＣｌ－ＰＡＤＭＡ）光度法测定铂（Ⅳ）的最佳条件．结果表明，在ｐＨ３．２５～５．２５的ＨＡｃ－ＮａＡｃ缓冲介质中，铂与试剂在沸水浴中加热２５ｍｉｎ后能形成稳定的蓝色配合物，加入无机酸及乙醇后转变为绿蓝色，其最大吸收波长位于６３４ｎｍ，表观摩尔吸光系数高达１．０４×１０５Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１．以ＥＤＴＡ为掩蔽剂，较大量的常见金属离子不干扰测定．铂含量在０～１２μｇ／１０ｍＬ范围内符合比尔定律．方法已应用于催化剂中微量铂（Ⅳ）的测定．     

纯钛酸铋晶体和掺铝钛酸铋晶体的光吸收谱

用自动分光光度计测量自己生长的光折变晶体钛酸铋（ＢＴＯ）光吸收谱．结果表明,室温下纯ＢＴＯ晶体的吸收谱在２．２～３．２ｅＶ之间存在一个宽吸收峰,说明在晶体的带隙内存在一个间接跃迁能级,离导带顶大约２．２ｅＶ;掺铝后该吸收峰消失,光折变效应也随之消失．     

阳极溶出伏安法同时测定高纯铟中的铅和镉

本文提出了一种在酒石酸铵—氨水体系中用阳极溶出伏安法同时测定高纯铟中痕量杂质铅和镐的新方法,工艺简单而且精密度高。不需预先和基体分离,在一定条件下对高纯铟样品进行测定．测定限铅可达1×10-1％．镉可达1×10－5％、铅、镉平均加标回收率均可达99％以上。     

古夜郎国铜釜的铅同位素考证

本文运用铅同位素比值法研究古夜郎国铜釜,得出夜郎国铜釜的矿料来自贵州西部和云南东北部的结论,从而揭示夜郎国和滇国之间有密切的经济文化关系,并为弄清夜郎国的领域提供了有价值的佐证．     

铅欠缺对PZN基陶瓷相组成和介电性能的影响

研究了初始粉体中的氧化铅欠缺对PZN基预烧粉体和无铅气氛烧结的陶瓷的相组成和介电性能的影响。研究发现：任何微量的铅欠缺都会使预烧粉体和陶瓷中产生焦绿石相，而且随着氧化铅欠缺量的增加预烧粉体和陶瓷中的钙钛矿相含量逐渐地下降。随着铅欠缺量的增加，PZN基陶瓷的介电常数大幅度地增加，但是铅欠缺对介电损耗影响很小。介电常数的增加主要是由于“有效有序微区”尺寸的增大和晶界间过量氧化铅层的消除。     

MgO-SiO_2-TiO_2系统Co、Ca离子掺杂的研究

以氧化钴及钛酸钙作为添加剂对Mg Si Ti高频低介陶瓷系统进行离子掺杂,并运用扫描电镜和X射线衍射对钴、钙离子的改性机理以及两添加剂的最佳配比进行分析.研究表明:适量的钴离子作为晶粒抑制剂和矿化剂,减少了系统缺陷,使系统微观结构排列整齐、致密,显著地使损耗从11 3×10-4降低至0 15×10-4,同时使烧结温度降低了近40℃。适量的钙离子掺杂在保证了其他介电性能的前提下可以有效地优化系统介电常数和电容量温度性能.该瓷料特别适于制成片式多层陶瓷电容器用于航空、航天、国防军事等尖端技术领域.     

Dy2O3掺杂对BaTiO3陶瓷结构与性能的影响

对水热法合成的BaTiO3粉体进行稀土氧化物Dy2O3掺杂改性,利用扫描电镜、X射线衍射及电气性能测试等手段,分析了离子取代行为和晶格参数与固溶度之间的关系,重点研究了Dy2O3掺杂量对BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸、介电性能的影响规律.结果表明,Dy2O3在陶瓷的烧结过程中可抑制晶粒生长,使晶粒尺寸变小,提高了陶瓷的致密度.当掺杂量w(Dy2O3)为0.6%时,陶瓷晶粒的晶格常数达到最大值,此时晶粒内部缺位浓度最低,常温介电常数提高到4100,在-15～100℃范围内,介电常数随温度变化率为±10%,交流击穿场强为3 2kV/mm.     

钛酸钾晶须表面处理及对聚烯烃增强

为改善聚烯烃(PO)体系强度,对钛酸钾晶须(K2Ti6O13,PTW)进行表面无机包硅处理。并比较了硅烷偶联剂改性前后晶须对PO增强性能的改变．实验结果表明，包硅处理后经硅烷偶联剂KH-570表面改性的PTW能与PO基体更好地相容，达到较好的增强效果。在添加量10%的情况下，PO体系的冲击强度略有下降,但拉伸强度提高40％．