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131.
132.
线性区间系统的鲁棒非脆弱H∞控制 总被引:3,自引:0,他引:3
讨论了一类区间系统的鲁棒非脆弱H∞状态反馈控制问题.考虑的非脆弱控制器其控制器参数在未知的区间内波动但波动幅度已知,该形式的控制器等效描述类似于范数有界摄动形式的非脆弱控制器,基于线性矩阵不等式方法,给出了鲁棒非脆弱H∞状态反馈控制方案,所设计的控制器在给定区间内波动时保证闭环系统稳定且满足给定的H∞性能指标,数值例子表明了H∞上述设计方法的有效性。 相似文献
133.
刘海刚 《五邑大学学报(自然科学版)》1997,11(3):51-54
一种垂直导电型的场效应管—VMOS场效应管,应用在电火花脉冲电源上,改善了脉冲电源的性能,使电火花加工水平得以提高。本文列举了VMOS管电路的一些典型应用。 相似文献
134.
Construction and characteristics of a transformed lepidopteran cell clone expressing baculovirus p35
ZHENG Gulling LI Changyou LI Guoxun WANG Ping Robert R. Granados 《科学通报(英文版)》2005,50(23):2728-2732
A transformed cell line was constructed from Mythimna separata cells Ms7311 by lipofection method. TMs7311 cells were generated using a double selection technique involving a selection in the antibiotic Zeocin, followed by a second round of selection by exhibiting cell characterization. A cell clone expressing p35 was obtained with high level of AcMNPV and recombinant proteins. Compared with wild type Ms7311 cells, the cell clone showed increased resistance to Actinamycin D-induced apoptosis and a profound resistance to nutrient development (PBS). When the cell clone was infected with recombinant baculoviruses expressing secreted alkaline phosphatase (SEAP) and β-galactosidase, expression of the recombinant proteins from TMs7311 cells exceeded that from parental Ms7311 cells. Production of budded virus and occlusion body was significantly higher than that from parental ceils Ms7311. 相似文献
135.
136.
35S启动子组入蓝藻质粒载体pUC13-pbl楼士林,郭奕斌,吴巧娟(生物学系)近年来构建了一些含35S启动子的质粒载体 ̄[1],但未见含35S启动子的蓝藻质粒载体.因此本研究拟把CaMV的35S启动子组入由孙立春等人构建的蓝藻质粒载体pUC13-p... 相似文献
137.
138.
卞金洪 《盐城工学院学报(自然科学版)》2009,22(3):37-39,50
将以Codex—M3为内核的ARM芯片LM3S8962与数字式温度传感器ADT75相结合,实现了一个具有以太网功能的远程温度采集器。该采集器具有性价比高、实现简单、传输稳定可靠等优点。 相似文献
139.
以马尾松为材料,在获得马尾松银松素合酶基因的基础上,构建了该基因转化双子叶植物的表达载体,该表达载体含有35S启动子和NOS终止子,能启动基因在双子叶植物中高效地表达.设计并合成分别含有Bgl和BstE酶切位点的上下游引物,通过PCR反应扩增出含有该酶切位点的银松素合酶基因cDNA全序列,酶切后连接到pCAMBIA1301植物表达载体上.经PCR鉴定、酶切分析及DNA测序证实cDNA片段大小、序列以及读码框的正确性.最后通过电击将表达载体转化农杆菌LBA4404,为进一步研究银松素合酶基因的功能奠定基础. 相似文献
140.
采用基于第一性原理和太阳电池基本方程的wxAMPS软件,在理想情况下,模拟计算了单结In0.65 Ga0.35 N太阳电池的光电特性。计算结果表明:当p层厚度从130 nm逐渐增加到220 nm时,入射的光子吸收能量减少,从而产生的光生载流子数目减少,进而引起了开路电压、短路电流密度以及电池的转换效率均逐渐减小,但是填充因子却反而逐渐增大,为对单结In0.65 Ga0.35 N太阳电池的设计提供了理论的参考依据。 相似文献