白岩尾矿库初期坝Ⅲ号冲沟斜坡稳定性评价及防渗处理

因变更了初期坝轴线，Ⅲ号冲沟斜坡在清基中发现了隐蔽发育于中厚层白云岩中的卸荷裂隙，裂隙宽度０．１０～１．００ｍ，深度３．２０～４．５０ｍ。根据勘探及试验资料，进行了斜坡稳定性和渗透性评价。结论得出：（１）在天然状态下，Ｋ＞１，斜坡稳定；（２）在饱水状态下，沿ｍ２滑移结构面，Ｋ＜１，斜坡不稳定；（３）斜坡浅层管道式渗透作用，将产生渗透破坏。建议采用团结——帷幕溉浆作防渗处理。     

（R）－2－硫代四氢噻唑－4－羧酸甲酯的合成及消旋化

Ｌ－半胱氨酸甲酯盐酸盐和二硫化碳在三乙胺存在下反应，当摩尔比为１：１．５：２时，得到的（Ｒ）－２－硫代四氢噻唑－４－羧酸甲酯，产率８０％；摩尔比为１：１．５１３．５时，得到Ｒ，Ｓ－２－硫代四氢噻唑－４－羧酸甲酯。另外，由（Ｒ）－２－硫代四氢噻唑－４－羧酸与甲醇及二氯亚硫酰反应，也得到（Ｒ）－２－硫代四氢噻唑－４－羧酸甲酯，产率为９８％，     

泰必利中间体-2-甲氧基-5-甲磺酰基苯甲酸的新合成法

本文叙述文题化合物(Ⅱ)的合成方法改进。2-甲氧基苯甲酸经氯磺化反应生成2-甲氧基-5-氯磺酰基苯甲酸(Ⅲ),Ⅲ用亚硫酸钠在碳酸氢钠存在下进行还原反应,得2-甲氧基-5-亚磺酸苯甲酸二钠盐(Ⅳ),Ⅳ直接用硫酸二甲酯甲基化、酸析而得产物Ⅱ,收率以Ⅲ计约70%。     

含氧化钛高炉型渣中氧化镁对脱硫的影响

在1500℃下,实验测定了含氧化钛高炉型渣中氧化镁对脱硫的影响。结果表明,在碱度不变的条件下,脱硫系数L_s随MgO含量的增加而增加,L_s 达到极大值后随MgO增加而降低。脱硫系数为极大值时,％MgO=10.3～10.6。     

抗菌素对明亮发光杆菌A_2发光的影响

本文研究了八种抗菌素(四环素、红霉素、卡那霉素、多粘菌素B、头孢霉素、抗霉素A、杆菌肽和博莱霉素)对明亮发光杆菌A_2(photobocterium phosphoreum A_2)发光的影响。其中四环素、抗霉素A和杆菌肽在低浓度时刺激细菌发光,然后随着作用时间的延长而逐渐抑制发光;较高浓度时则完全抑制发光,未见刺激发光。其余五种抗菌素则均表现为抑制细菌发光。抑制发光的程度随时间和所用浓度的高低而呈一定的依存关系。实验结果表明,抗菌素对发光细菌的影响作用还是跟它们各自的作用机制有关。本文还讨论了细胞质膜在细菌发光中的作用和呼吸抑制剂对细菌发光的影响的作用机制。     

三元配合物La(Et2 dtc)3(phen)的热化学性质

目的研究三元配合物La(Et2dtc)3(phen)的热化学性质.方法采用了微量热法和燃烧法.结果铜试剂(NaEt2dtc·3H2O)和邻菲咯啉(phen·H2O)与水合氯化镧(LaCl3·3.94H2O)在无水乙醇中反应,制得三元固态配合物La(Et2dtc)3(phen).在298.15 K下测得了该配合物的液相生成反应的焓变△rHθm(l),为(-8.801±0.043)kJ/mol,计算了固相生成反应的焓变△rHθm(s),为(70.428±0.293)kJ/mol;配合物的恒容燃烧能△cU为(-17 455.98±7.98)kJ/mol,其标准燃烧焓△cHθm和标准生成焓△fHθm经计算分别为(-17 475.19±7.98)kJ/mol,(-1 257.78±8.84)kJ/mol.结论IR光谱表明该配合物中La3+与3个NaEt2dtc中的6个硫原子双齿配位,同时与邻菲咯啉中的2个氮原子双齿配位,配位数为8.     

N-氯乙酰基-5-芳氧甲基-2-噁唑烷酮类化合物的合成

目的研究N-氯乙酰基-5-芳氧甲基-2-噁唑烷酮类化合物的合成方法。方法以三乙胺为催化剂，甲苯为溶剂，在110℃反应3h制备目标产物，并对产物进行了薄层色谱、元素分析、红外、核磁的分析鉴定和表征。结果合成了7种化合物，产率大于80％。结论反应条件温和，方法简单，具有较好的应用价值。     

含纳米硅的SiO2薄膜电致发光的数值分析

考虑到薄膜中存在的缺陷对发光的影响,采用位形坐标为理论模型,对用射频溅射法制备的具有Au/(Si/SiO2)/p-Si结构样品的电致发光谱进行了数值分析.数值结果表明,在SiO2薄膜中存在2个缺陷中心,电子和空穴就是通过这些缺陷中心复合而发光.这一结论与实验符合得很好,并与量子限制效应-复合中心发光的理论结果相一致.     

光催化剂TiO_2的性质及应用研究

通过文献综合评述的方法,对光催化剂TiO2的节能、高效及降解有机物等方面的应用进行了研究.结果表明,光催化剂主要有金属氧化物或硫化物、分子筛及有机物三种类型,特别是TiO2光催化剂所表现出的特殊性质是目前研究和利用最广泛的光催化剂.     

Modulation of low-frequency oscillations in GaAs MESFETs’ channel current by sidegating bias

Low-frequency oscillations in channel current are usually observed when measuring the GaAs MESFET‘s output characteristics. This paper studies the oscillations by testing the MESFET‘s output characteristics under different sidegate bias conditions. It is shown that the low-frequency oscillations of channel current are directly related to the sidegate bias. In other words, the sidegate bias can modulate the oscillations. Whether the sidegate bias varies positively or negatively, there will inevitably be a threshold voltage after which the low-frequency oscillations disappear. The observation is strongly dependent upon the peculiarities of channel-substrate (C-S) junction and impact ionization of traps-EL2 under high field. This conclusion is of particular pertinence to the design of low-noise GaAs IC‘s.