取向多晶Fe-Ga合金结构与磁致伸缩应变研究

采用定向凝固的方法实验研究了取向多晶Fe-Ga合金的磁致伸缩性能.发现〈110〉轴向取向的Fe-Ga合金具有较大的磁致伸缩应变.在零预压力下,其饱和磁致伸缩应变λs为188×10-6;在20 MPa预压力下,λs可以达到286×10,具有明显的压力效应.还观察到在大的预压力(＞15 MPa)作用下,在低磁场范围出现负磁致伸缩应变现象.     

NO2分子Faraday效应磁强计

采用Faraday光谱方法,系统研究了交流(Zeeman调制)、直流(光强调制)磁场下,NO2气体分子的光谱信号随外加磁场的变化关系.实验结果与理论分析表明,NO2分子的光谱信号与外加磁场呈线性关系,由此提出了一种NO2分子Faraday效应磁强计,预期可以测量5×10-3～100 mT,DC-1 MHz范围内的磁场,并具有良好的线性度.     

板肋式多肋T梁桥的空间分析

根据板肋式多肋T梁桥的受载力学行为特点，将其各板件视为板梁，同时在构造其位移模式时也考虑了T梁顶板剪滞效应和局部弯曲影响，由此提出了板肋式多肋T梁桥空间计算的桥梁有限单元法。     

微波的危害及微波防护膜的研究

从近期的国内外研究报告看出，人们对微波生物效应有了新的认识。为了消除微波对人体辐射的不良影响，笔研究了有效的防护措施，提出一种由微波吸收材料和微波反射材料组成的防护膜，设置在微波源与保护主体之间。经实验测得手机上采用微波防护膜后，防护区域微波射场强可降至5μW/cm^2以下，符合国家的卫生标准，有效地多功能解决了微波辐射的危害问题。     

HgBa2Can-1CunO2n+2+δ(n=1,2,3)体系的压力效应

和的超导转变温度分别为97,128和135K,是迄今为止具有一层、二层和三层CuO_2平面铜氧化物超导体中的最高值。令人感兴趣的是,Hg系超导体对压力非常敏感,当压力P增加到31 GPa时,理想掺杂的HgBa_2Ca_2Cu_3O_8 δ的T_c可达到创纪录高的164 K。研究表明体系在整个掺杂范围表现出超导性质,T_c与CuO_2平面内的空穴浓度(n_H)之间存在着倒抛物线的依赖关系。而且,初始压力系数随氧含量(δ)而变化,并且在过掺杂区也保持正值。这些结果暗示了在常压下通过元素替代或电荷转移以施加“内压力”获得同样高T_c的可能性。     

纳米软磁合金薄带的巨磁致阻抗效应

自从在CoFeSiB非晶丝(带)及FeCuNbSiB的纳米晶丝(薄膜)材料中发现巨磁致阻抗效应以来,GMI效应在实际运用中有广阔的前景,而且在理论上探讨GMI的起因也是非常有意义的,所以受到普遍的关注。非晶(纳米晶)软磁合金具有高的磁导率,在一定频率的交流驱动电流作用下,外加直流磁场阻碍了交流电流所感生的磁通量的变化,从而降低磁导率,提高趋肤深度,降低了交流阻抗,引起效应。及非晶薄带在不同的温度下热处理可以形成纳米级软磁合金,降低各向异性常数和磁致伸缩系数,提高磁导率,有利于GMI效应的出现。本文对以上三类材料进行不同温度下的热处理,研究GMI效应随外加磁场及驱动电流频率(f)的变化关系,并探讨GMI的来源。定义。     

稀土与3,5,3''-三碘甲腺原氨酸的作用

随着科学技术的发展,稀土已广泛进入生态环境研究领域,尤其是由于稀土微肥的使用,使稀土还可通过食物链等渠道进入人体,因此,稀土的生物效应及其作用机理的研究已经成为急待解决的重大问题。 Haley首次报道了稀土元素对内分泌系统的影响,而后长时间内无进一步研究。近年来我国学者用细胞培养、动物实验以及电生理等多种手段研究了稀土对内分泌系统的影响,而其作用机制尚待探讨。甲状腺是人体重要分泌腺体,3,5,3’-三碘甲腺原氨酸（T_3)）是甲状腺分泌的两种重要激素之一,在新陈代谢中起重要调解作用。此外,T_3也是丘脑-垂体-甲状腺     

Co/C软X射线多层膜的时效研究

<正>软X射线多层膜是由折射系数高低不同的两种材料交替沉积而构成的一维周期结构.在软X射线多层膜的实际应用中,如显微学、宇航学和显微全息等方面,具有高反射率是十分重要的.因此,研究X射线多层膜的时间效应有实际意义.本文研究了Co/C软X射线多层膜的时间效应.     

GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构量子受限Stark效应的实验研究

半导体量子阱超晶格作为一种新型的人工剪裁结构受到人们的普遍重视.该结构的特点之一就是可以利用在外电场调制作用下光学性质的变化来实现其在光电子学方面的应用,量子受限Stark效应(Quantum confined stark effect,简称QCSE)就是一个例子,它是指在外加垂直电场的作用下,跃迁能级能量的变化,这种能量的变化称为Stark位移.其不仅存在于半导体量子阱的带间跃迁中,同时也存在于子带间跃迁中.在包络函数近似下,利用求解一维Schr(?)dinger方程,研究了GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构中的Stark位移,通过微扰理论计算指出在一定的结构设计下,Stark位移量可以达到方形量子阱结构的两倍.根据理论计算,考虑到生长条件的具体限制,在半绝缘GaAs衬底上外延生长了样品.1μm GaAs缓冲层之上是50 nm的AlAs剥离层,然后是300 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As层,接下来为50周期的阶梯量子阱结构.每个结构单元由 2 nm的 GaAs,8 nm的Al_(0.15)Ga_(0.85)As和4 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As构成.在阶梯量子阱结构之后是200 nm的 Al_(0.3)Ga_(0.7)AS和     

经济增长过程中知识积累效应的混沌经济模型

本文根据新经济增长理论关于知识是经济增长的原动力这一重点观点，结合混沌经济学的动态经济系统变量的倍周期交叉变换的思想，建立了知识积累效应变量x;变换的混沌经济模型，分析并发现了xt变量倍周期变换的数值规律，确立了xt- μ（μ是xt的控制参数）的对应关系，分析并发现了μ与其组成因子之间的关系，指出政府科技调控参数（w)和知识增长率（α＋β）是决定μ值的关键，同时也是确定xt值的周期性状的关键的初始条件。发现一个知识增长率可能会引发两个数值的经济增长率的出现，甚至产生无穷多个数值的经济增长率的结果（即混沌的结果）。