振荡压实的随车监测

压实质量的检查和控制一直是进一步发展压实技术的一个重要研究课题.采用试验分析了振荡压实计测量原理,在作为测量特征值的轮心水平运动与轮缘切线运动之间的相位差与土壤压实度之间建立起某种稳定的具有足够敏感度的关系. 将加速度传感器测得的两运动间的相位差信号,经滤波放大并通过数字电路统计处理,显示在仪表上,性能测试与传统测试方法比较,结果近似,显示了该方法的可适用性.     

非线性振荡的Volterra级数分析法

在Ｖｏｌｔｅｒｒａ级数和非线性转移函数理论的基础上,介绍了一种递推算法,可以在任意精度内由两个非线性代数方程（由决定方程产生）求得非线性振荡器的近似正弦波的同值与频率。该法既保留了谐波平衡分析法、描述函数法和平均法的许多期望的特性,而且以技巧上与经典的Ｋｒｙｌｏｖ,Ｂｏｇｏｌｉｕｂｏｖ及Ｍｉｔｒｏｐｉｓｋｙ等方法有类似之处,但比它们简便。与常规方法不同之处还在于本法对系统的非线性度和振荡的幅值无严     

它激剪切流动诱发振荡射流的研究

摘要:论述了它激剪切流动诱发振荡射流的机理,分析了它激有效激励条件,并对它激振荡射流的轴心压力进行了测试和频谱分析,给出了压力信号的功率谱。实验表明这种射流振荡幅值高,频率宽广,冲蚀效果优于普通射流。     

基于改进的GM（1,1）模型的上海市垃圾产量的预测

GM(1,1)模型是上海市垃圾产量预测的一种有效的方法,但序列的随机波动性难以在GM(1,1)模型得到反映。利用灰色震荡序列GM{1,1}模型,对上海市2000年~2008年垃圾产量进行预测,预测结果表明,此方法能够反映出上海市垃圾产量所具有的波动性特性,得到更高的预测精度。     

旁栅偏压对GaAs MESFET沟道电流中低频振荡的调制

在研究旁栅偏压条件下MESFET输出特性时经常发现沟道电流的低频振荡现象. 通过测试不同旁栅电压条件下的GaAs MESFET输出特性, 研究了沟道电流的低频振荡现象与旁栅偏压的关系, 发现旁栅偏压对沟道电流的低频振荡现象具有调制作用, 无论旁栅偏压朝正向还是负向变化都存在一个阈值可以消除此低频振荡. 理论分析认为这种调制作用与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关. 这一结论对于设计低噪声GaAs IC具有十分重要的指导意义.     

孤立系统中熵减的必要条件和化学反应

化学反应是非常复杂的,其包括振荡、凝聚、催化剂和自组织等.对这些情况熵的变化可以是增加或者减少.热力学第二定律是基于孤立系统和统计独立性.如果在系统中由于内部相互作用存在涨落放大,则可能出现熵减.在孤立系统中熵减的必要条件是存在内部相互作用.在化学反应中有各种内部相互作用,这样在一个孤立系统中具有熵减的某些有序化过程是可能的.     

针对信息节点振荡特性的改进LDPC译码方法

在中高信噪比情况下,信息节点值在译码迭代中可能出现在0和1之间振荡的情况,从而使最终的误比特率上升.针对这种情况,提出了将出现振荡情况且初始软信息较小的信息节点所携带的初始信息认定为不可靠并忽略掉的改进译码算法,有效的降低了误比特率.对码长为504 bit码率为2/3的LDPC非规则规则码进行了仿真实验,在Eb/N0为0.5 dB到2.5 dB的范围内均能取得优于传统BP译码算法0.3 dB的增益.     

燃气轮机中心分级燃烧器天然气掺氢燃烧的受迫振荡特性

天然气掺氢燃烧是燃气轮机机组降低碳排放重要措施之一,但掺氢燃料的组分变化会导致燃烧室火焰结构及燃烧稳定性发生变化.为分析中心分级燃烧器掺氢燃烧条件下的燃烧不稳定性问题,通过试验研究了燃烧器入口速度扰动下,不同掺氢比对中心分级掺氢燃烧的瞬态火焰结构、压力以及热释放响应的影响,并利用本征正交分解(POD)法提取了火焰脉动的特征模态,发现其主要包含火焰干涉区强脉动和轴向扰动两种模态.试验结果表明,随着掺氢体积比从0%增大到30%,火焰前沿向上游移动,两级火焰间距缩短,火焰干涉对应的脉动模态的能量占比增大,加强了压力与热释放的耦合,导致燃烧室内的压力响应增大9%,热释放响应增大37%.     

基于非线性空间电荷振荡效应的电子束序列产生与优化

基于非线性空间电荷振荡效应可以进行超短电子束纵向整形,本文在清华大学汤姆逊散射X射线源平台上,利用此效应对ps间隔超短电子束序列的产生进行了优化研究.实验分别产生了总电荷量约为1 nC的7个和15个微束团,通过控制束流参数优化其聚束因子,并通过改变微波电子枪的发射相位实现了电子束微脉冲间隔从0.5到1.4 ps的调节.电子束序列形成后,由S波段加速管进一步将能量提高到～45 MeV以冻结纵向分布.本文还测量了该电子束相干渡越辐射产生的窄带太赫兹辐射,结果与电子束序列纵向结构预测一致.     

外场中超导体/半导体/超导体结的直流Josephson电流

当外加磁场时,超导体/半导体/超导体结的临界电流受外加磁场的影响.超导结的临界电流与磁场的曲线非常类似于单色光在单狭缝衍射的夫琅和费图样.在未考虑外加磁场的超导体/半导体/超导体结的临界电流的基础上,进一步对外加磁场的情形进行了研究.